Stratum Epitaxiale
-
GaN 200mm 8unciarum in substrato sapphirino Epi-laminato.
-
GaN in Vitro 4-unciae: Optiones Vitri Adaptabiles, Inter quas JGS1, JGS2, BF33, et Quartzum Ordinarium.
-
AlN-in-NPSS Wafer: Stratum Aluminii Nitridi Altae Efficientiae in Substrato Sapphirino Non Polito ad Applicationes Altae Temperaturae, Altae Potentiae, et RF.
-
Lamellae Epitaxiales GaN-in-SiC Adaptatae (100mm, 150mm) – Optiones Substratorum SiC Plures (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
Crustulae GaN super Adamantum 4 pollices 6 pollices Crassitudo epidermidis totalis (micron) 0.6 ~ 2.5 vel ad usus altae frequentiae aptatae.
-
Substratum lamellae epitaxialis magnae potentiae GaAs, lamellae gallium arsenidi, longitudine undae laseris 905nm ad curationem medicam laseris.
-
Substrata epitaxialia InGaAs pro laminis photodetectoris PD Array ad LiDAR adhiberi possunt.
-
Detector lucis APD substrati lamellae epitaxialis InP 2 pollicum 3 pollicum 4 pollicum ad communicationes fibrae opticae vel LiDAR.
-
Substratum Silicii super Insulatorem, lamellam SOI tribus stratis ad Microelectronicam et Frequentiam Radiophonicam
-
Insulator lamellae SOI in lamellae silicii octo unciarum et sex unciarum SOI (Silicon-On-Insulator)
-
Lamella SiC Epitaxiy 6unciarum typus N/P accepta ad necessitates personalizatas
-
Lamella SiC Epi 4unciae pro MOS vel SBD