Substratum
-
Lamella LNOI (Lithium Niobatum in Isolatore) Telecommunicationis Sensus Electro-Opticus Altus
-
Substrata Silicii Carbidi (HPSl) semi-insulantia, lamellae trium unciarum, altae puritatis (sine dopatione)
-
Lamella substrati SiC 4H-N 8 unciarum, e carburo silicii simulato, crassitudine 500um, gradus investigationis.
-
Sapphiri dia crystallus singularis, alta duritia Morhs 9 resistens abrasioni, configurabilis
-
Substratum Sapphiri Pictatum PSS 2unciae 4unciae 6unciae ICP siccum incisum ad fragmenta LED adhiberi potest.
-
Substratum Sapphiri Figuratum (PSS) 2 unciarum, 4 unciarum, 6 unciarum, in quo materia GaN crescit, ad illuminationem LED adhiberi potest.
-
Substratum carburi silicii, diametro 150mm, fictitium gradus, SiC Wafer Reasearch productum, 4H-N/6H-N
-
Lamina au obducta, lamina sapphirina, lamina silicii, lamina SiC, 2 unciae 4 unciae 6 unciae, crassitudo aurata 10 nm 50 nm 100 nm
-
Lamina aurea silicii obducta (Obducta Si) 10nm 50nm 100nm 500nm Au Excellens Conductivitas pro LED
-
Crustulae silicii auratae, 2, 4, 6 pollices, crassitudo strati aurei: 50nm (± 5nm) vel pellicula obducta Au, puritas 99.999%.
-
AlN-in-NPSS Wafer: Stratum Aluminii Nitridi Altae Efficientiae in Substrato Sapphirino Non Polito ad Applicationes Altae Temperaturae, Altae Potentiae, et RF.
-
AlN in FSS 2unciarum 4unciarum NPSS/FSS exemplar AlN pro area semiconductorum