Magnum Progressus in Technologia Duodecim Pollicum Laminarum Lasericarum e Carbido Silicii ad Sublevandum

Index Rerum

1. Magnum Progressus in Technologia Duodecim Pollicum Laminarum Lasericarum e Carbido Silicii ad Sublevandum

2. ​Momenta multiplicia inventionis technologicae pro evolutione industriae SiC​​

3. Prospectus Futuri: XKH Integra Progressio et Collaboratio Industrialis

Nuper, Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd., princeps fabricator domesticus apparatuum semiconductorum, magnum progressum in technologia tractationis laminarum carburi silicii (SiC) fecit. Societas feliciter elevationem laminarum carburi silicii 12 unciarum utens instrumento elevationis lasericae independenter elaborato perfecit. Hoc progressum gradum magnum Sinis in campo apparatuum fabricationis clavium semiconductorum tertiae generationis significat et novam solutionem ad sumptus minuendos et efficientiam augendam in industria carburi silicii globali praebet. Haec technologia antea a multis clientibus in campo carburi silicii 6/8 unciarum comprobata erat, cum effectu apparatuum ad gradus provectiores internationales pervenit.

Haec progressio technologica multiplices significationes pro evolutione industriae carburi silicii habet, inter quas:

1. ​​Significans Reductio Sumptuum Productionis:Collatae cum laminis carburi silicii sex unciarum vulgaribus, laminae carburi silicii duodecim unciarum aream praesto circiter quater augent, sumptus laminis unitariis 30%-40% minuentes.

2. Capacitas Copiae Industriae Aucta:Impedimenta technica in tractatione lamellarum magnae magnitudinis carburi silicii aggreditur, apparatum subsidii praebens ad expansionem globalem capacitatis productionis carburi silicii.

3. Processus Substitutionis Localisationis Acceleratus:Monopolium technologicum societatum externarum in campo apparatuum magnarum magnitudinis ad silicium carburum tractandum frangit, auxilium magnum praebens progressioni autonomae et controllabili apparatuum semiconductorum Sinarum.

4. Promotio Popularisationis Applicationum Deorsum:Impensae reductio applicationem instrumentorum carburi silicii in campis maximi momenti, ut vehiculis novae energiae et energia renovabilis, accelerabit.

Societas Technologiae Semiconductorum Beijing Jingfei, Ltd., est societas Instituti Semiconductorum Academiae Scientiarum Sinensis, in investigatione et evolutione, productione, et venditione apparatuum semiconductorum specialium intenta. Technologia applicationis lasericae in centro suo habens, societas seriem apparatuum semiconductorum tractandorum cum iuribus proprietatis intellectualis independentibus elaboravit, clientibus domesticis fabricatoribus semiconductorum maioribus serviens.

Praeses societatis Jingfei Semiconductor dixit, "Semper innovationibus technologicis adhaeremus ad progressum industrialem promovendum. Progressus prosper technologiae elevationis laseris carburi silicii duodecim unciarum non solum facultatum technicarum societatis reflectit, sed etiam fructum ducit ex valido auxilio Commissionis Scientiae et Technologiae Municipalis Pechinensis, Instituti Semiconductorum Academiae Scientiarum Sinensis, et propositi specialis clavis 'Innovatio Technologica Perturbativa' a Centro Innovationis Technologicae Nationali Pechinensis-Tianjin-Hebei ordinato et effectu peracto. In futuro, pergemus augere pecuniam in investigationem et progressionem (R&D) ut clientibus solutiones apparatuum semiconductorum summae qualitatis praebeamus."

Conclusio

Prospiciens, XKH amplissimo suo catalogo productorum substratorum silicii carburi (a 2 ad 12 uncias tegentium cum facultatibus nexus et processus ad singulorum necessitates aptatis) et technologia multi-materiarum (inter quas 4H-N, 4H-SEMI, 4H-6H/P, 3C-N, etc.) utetur ad evolutionem technologicam et mutationes mercatus in industria SiC active tractandas. Continuo emendando quantitatem laminarum, minuendo sumptus productionis, et profundiorem collaborationem cum fabricatoribus apparatuum semiconductorum et clientibus finalibus, XKH se dedicat ad praebendas solutiones substratorum altae efficacitatis et altae firmitatis pro nova energia globali, electronicis altae tensionis, et applicationibus industrialibus altae temperaturae. Propositum nostrum est adiuvare clientes ut impedimenta technica superent et distributionem scalabilem consequantur, nos tamquam socium fidum materiarum principalium in catena valoris SiC collocantes.