Nuntii Industriae
-
Finis Aetatis? Fallimentum Wolfspeed Campum SiC Reformat.
Fallimentum Wolfspeed Magnum Momentum Criticum Industriae Semiconductorum SiC Significat Wolfspeed, dux diuturnus in technologia carburi silicii (SiC), hac septimana fallimentum declaravit, mutationem significantem in prospectu globali semiconductorum SiC significans. Casus societatis profundiora ostendit...Plura lege -
Conspectus Completus Technicarum Depositionis Pelliculae Tenuis: MOCVD, Magnetron Sputtering, et PECVD
In fabricatione semiconductorum, dum photolithographia et corrosio sunt processus frequentissime memorati, technicae depositionis pellicularum tenuium sive epitaxiales aeque criticae sunt. Hic articulus plures methodos communes depositionis pellicularum tenuium in fabricatione microcircuituum adhibitas introducit, inter quas MOCVD, magnetr...Plura lege -
Tubi Sapphirini Protectionis Thermocouple: Augentes Sensum Temperaturae Praecisum in Ambitibus Industrialibus Difficilibus
1. Mensura Temperaturae – Spina Moderationis Industrialis Cum industriae modernae sub condicionibus magis magisque complexis et extremis operentur, accurata et fidissima temperaturae monitoratio necessaria facta est. Inter varias technologias sensorias, thermocupla late adoptantur propter...Plura lege -
Carbidum Silicii Specilla AR Illuminat, Experientias Visuales Novas Infinitas Aperiens
Historia technologiae humanae saepe videri potest ut indefessus studium "augmentationum" — instrumentorum externorum quae facultates naturales amplificant. Ignis, exempli gratia, quasi systema digestivum "additum" functus est, plus energiae ad evolutionem cerebri liberans. Radiophonia, saeculo XIX exeunte nata, quia...Plura lege -
Sectio laserica technologia vulgaris ad secandum carburum silicii octo unciarum in futuro fiet. Collectio Quaestionum et Responsionum.
Q: Quae sunt praecipuae technologiae in sectione et tractatione crustularum SiC adhibitae? R: Carburum silicii (SiC) duritiam secundam tantum adamantibus habet et materia valde dura et fragilis habetur. Processus sectionis, qui crystallos cretos in crustulas tenues secandos implicat, est...Plura lege -
Status et inclinationes hodiernae technologiae processus crustularum SiC
Ut materia substrati semiconductoris tertiae generationis, crystallus singularis carburi silicii (SiC) latas applicationis perspectivas in fabricatione instrumentorum electronicorum altae frequentiae et altae potentiae habet. Technologia processus SiC partes decisivas agit in productione substrati altae qualitatis...Plura lege -
Stella oriens semiconductoris tertiae generationis: Gallii nitridum plura nova incrementa in futuro ostendit.
Comparatae cum machinis carburi silicii, machinae potentiae gallii nitridi plura commoda habebunt in condicionibus ubi efficientia, frequentia, volumen et aliae rationes comprehensivae simul requiruntur, ut puta machinae gallii nitridi fundatae feliciter adhibitae sunt...Plura lege -
Incrementum industriae domesticae GaN acceleratum est.
Usus instrumentorum potentiae Gallii nitridi (GaN) vehementer crescit, ductu venditorum Sinensium electronicorum, et mercatus instrumentorum potentiae GaN ad duo miliarda dollariorum anno 2027 pervenire expectatur, auctus a 126 milionibus dollariorum anno 2021. Nunc, sector electronicorum est impulsor principalis Gallii nitridi...Plura lege