Nuntii
-
Tantalas lithii tenuis pelliculae (LTOI): Materia proxima stellae pro modulatoribus altae celeritatis?
Materia tenuis pelliculae lithii tantalatis (LTOI) nova vis insignis in campo opticae integratae emergit. Hoc anno, plura opera summi gradus de modulatoribus LTOI edita sunt, cum laminis LTOI altae qualitatis a Professore Xin Ou ex Instituto Shanghaiensi provisis...Plura lege -
Profunda Intellegentia Systematis SPC in Fabricatione Crustularum
SPC (Statistical Process Control) instrumentum essentiale est in processu fabricationis crustularum, adhibita ad monitorandum, regendum, et stabilitatem variarum partium in fabricatione emendandam. 1. Conspectus Systematis SPC SPC est methodus quae utitur statisticis...Plura lege -
Cur epitaxia in substrato lamellae perficitur?
Incrementum strati additi atomorum silicii in substrato lamellae silicii plura commoda habet: In processibus silicii CMOS, incrementum epitaxiale (EPI) in substrato lamellae est gradus processus criticus. 1. Qualitatem crystalli emendando...Plura lege -
Principia, Processus, Methodi, et Instrumenta ad Purgationem Crustularum
Purgatio humida (Wet Clean) est unus e gradibus criticis in processibus fabricationis semiconductorum, ad removendas varias sordes e superficie lamellae destinatus, ut gradus processus subsequentes in superficie munda perfici possint. ...Plura lege -
Relatio inter plana crystallina et orientationem crystallinam.
Plana crystallina et orientatio crystallina duo sunt notiones principales in crystallographia, arcte conexae cum structura crystallina in technologia circuituum integratorum silicio fundatorum. 1. Definitio et Proprietates Orientationis Crystallinae Orientatio crystallina directionem specificam repraesentat...Plura lege -
Quae sunt commoda processuum Trans Vitrum (TGV) et Trans Silicium, TSV (TSV) prae TGV?
Commoda processuum Trans Vitrum (TGV) et Trans Silicium (TSV) prae TGV sunt praecipue: (1) excellentes proprietates electricae altae frequentiae. Materia vitrea est materia insulans, constans dielectrica tantum circiter 1/3 est constans dielectrica materiae silicii, et factor damni est 2-...Plura lege -
Applicationes substratorum carburi silicii conductivorum et semi-insulatorum
Substratum carburi silicii in genus semi-insulans et genus conductivum dividitur. In praesenti, specificatio vulgaris productorum substrati carburi silicii semi-insulati est 4 unciae. In genere conductivo carburi silicii...Plura lege -
Suntne etiam differentiae in applicatione laminarum sapphirinarum cum diversis orientationibus crystallorum?
Sapphirus est crystallus singularis aluminae, ad systema crystallinum tripartitum pertinet, structura hexagonali. Structura eius crystallina constat ex tribus atomis oxygenii et duobus atomis aluminii in vinculo covalenti, arctissime dispositis, cum catena nexus forti et energia clathri, dum eius crystallina inte...Plura lege -
Quid interest inter substratum conductivum SiC et substratum semi-insulatum?
Instrumentum carburi silicii SiC ad instrumentum e carburo silicii ut materia prima factum refertur. Secundum proprietates resistentiae diversas, in instrumenta potentiae carburi silicii conductiva et instrumenta RF carburi silicii semi-insulata dividitur. Formae instrumentorum principales et...Plura lege -
Articulus te magistrum TGV ducit.
Quid est TGV? TGV, (via per vitrum), technologia creandi foramina per vitrum in substrato vitreo. Simpliciter dictum, TGV est aedificium altum quod vitrum perforat, implet et connectit sursum deorsumque ut circuitus integratos in solo vitreo construat...Plura lege -
Quae sunt indices aestimationis qualitatis superficiei lamellae?
Cum continua technologia semiconductorum progressu, in industria semiconductorum et etiam industria photovoltaica, requisita qualitatis superficiei substrati lamellae vel laminae epitaxialis etiam valde severa sunt. Quae igitur sunt requisita qualitatis...Plura lege -
Quantum scis de processu accretionis monocrystalli SiC?
Carburum silicii (SiC), ut genus materiae semiconductricis cum lata zona hiatus, partes magis magisque importantes in applicatione scientiae et technologiae modernae agit. Carburum silicii excellentem stabilitatem thermalem, magnam tolerantiam campi electrici, conductivitatem intentionalem et...Plura lege