Nuntii
-
Conspectus Completus Technicarum Depositionis Pelliculae Tenuis: MOCVD, Magnetron Sputtering, et PECVD
In fabricatione semiconductorum, dum photolithographia et corrosio sunt processus frequentissime memorati, technicae depositionis pellicularum tenuium sive epitaxiales aeque criticae sunt. Hic articulus plures methodos communes depositionis pellicularum tenuium in fabricatione microcircuituum adhibitas introducit, inter quas MOCVD, magnetr...Plura lege -
Tubi Sapphirini Protectionis Thermocouple: Augentes Sensum Temperaturae Praecisum in Difficultatibus Ambientibus Industrialibus
1. Mensura Temperaturae – Spina Moderationis Industrialis Cum industriae modernae sub condicionibus magis magisque complexis et extremis operentur, accurata et fidissima temperaturae monitoratio necessaria facta est. Inter varias technologias sensorias, thermocupla late adoptantur propter...Plura lege -
Carbidum Silicii Specilla AR Illuminat, Experientias Visuales Novas Infinitas Aperiens
Historia technologiae humanae saepe videri potest ut indefessus studium "augmentationum" — instrumentorum externorum quae facultates naturales amplificant. Ignis, exempli gratia, quasi systema digestivum "additum" functus est, plus energiae ad evolutionem cerebri liberans. Radiophonia, saeculo XIX exeunte nata, quia...Plura lege -
Sapphirus: "Magia" in Gemmis Pellucidis Abdita
Numquamne caeruleum sapphiri fulgens miratus es? Haec gemma fulgens, propter pulchritudinem suam pretiosa, "vim scientificam supernaturalem" secretam tenet quae technologiam revolutionare posset. Recentes inventiones a scientificis Sinensibus factae mysteria thermalis occulta sapphiri...Plura lege -
Sapphirum Coloratum in Laboratorio Cultum Estne Futurum Materiarum Ornamentorum? Analysis Completa Commodorum et Propensionum Eius
Recentibus annis, crystalli sapphirini colorati, in laboratorio culti, materiam revolutionariam in industria gemmarum emerserunt. Spectrum colorum vibrantem ultra caeruleum sapphirum traditionalem offerentes, hae gemmae syntheticae per artem provectam fabricatae sunt...Plura lege -
Praedictiones et Provocationes Materiorum Semiconductorum Quintae Generationis
Semiconductores quasi fundamentum aetatis informationis funguntur, cum unaquaque iteratione materiae limites technologiae humanae denuo definiat. A semiconductoribus silicio fundatis primae generationis ad materias hodiernas quartae generationis ultra-latae bandae hiatus, omnis saltus evolutionis translationem impulit...Plura lege -
Sectio laserica technologia vulgaris ad secandum carburum silicii octo unciarum in futuro fiet. Collectio Quaestionum et Responsionum.
Q: Quae sunt praecipuae technologiae in sectione et tractatione crustularum SiC adhibitae? R: Carburum silicii (SiC) duritiam secundam tantum adamantibus habet et materia valde dura et fragilis habetur. Processus sectionis, qui crystallos cretos in crustulas tenues secandos implicat, est...Plura lege -
Status et inclinationes hodiernae technologiae processus crustularum SiC
Ut materia substrati semiconductoris tertiae generationis, crystallus singularis carburi silicii (SiC) latas applicationis perspectivas in fabricatione instrumentorum electronicorum altae frequentiae et altae potentiae habet. Technologia processus SiC partes decisivas agit in productione substrati altae qualitatis...Plura lege -
Sapphirus: Plus quam caeruleus in vestiario "summi ordinis" est.
Sapphirus, "stella summa" familiae Corundum, similis est iuveni eleganti "vesti caerulea profunda" induto. Sed postquam eum saepe convenis, invenies vestes eius non solum "caeruleas" esse, nec solum "caeruleas profundas". A "caeruleo cyanei" ad ...Plura lege -
Composita Adamantina/Cupri – Proxima Res Magna!
Ab annis 1980, densitas integrationis circuituum electronicorum augetur quotannis ratione 1.5× vel celerius. Integratio altior ad maiores densitates currentis et generationem caloris in operatione ducit. Nisi efficaciter dissipatur, hic calor defectum thermalem causare et li... minuere potest.Plura lege -
Materiae semiconductrices primae generationis, secundae generationis, tertiae generationis
Materiae semiconductrices per tres generationes transformatrices evolutae sunt: prima generatio (Si/Ge) fundamenta electronicarum modernarum iecit, secunda generatio (GaAs/InP) impedimenta optoelectronica et altae frequentiae perfregit ut revolutionem informationis promoveret, tertia generatio (SiC/GaN) nunc energiam et externam...Plura lege -
Processus Fabricationis Silicii super Insulatorem
Lamellae SOI (Silicon-On-Insulator) materiam semiconductoriam specialem repraesentant, stratum silicii tenuissimum super stratum oxidi insulantis formatum exhibens. Haec structura singularis intermedia (vel "sandwich") incrementa significantia perfunctionis machinis semiconductoribus praebet. Compositio Structuralis: Machina...Plura lege