Nuntii

  • Relatio inter plana crystallina et orientationem crystallinam.

    Relatio inter plana crystallina et orientationem crystallinam.

    Plana crystallina et orientatio crystallina duo sunt notiones principales in crystallographia, arcte conexae cum structura crystallina in technologia circuituum integratorum silicio fundatorum. 1. Definitio et Proprietates Orientationis Crystallinae Orientatio crystallina directionem specificam repraesentat...
    Plura lege
  • Quae sunt commoda processuum Trans Vitrum (TGV) et Trans Silicium, TSV (TSV) prae TGV?

    Quae sunt commoda processuum Trans Vitrum (TGV) et Trans Silicium, TSV (TSV) prae TGV?

    Commoda processuum Trans Vitrum (TGV) et Trans Silicium (TSV) prae TGV sunt praecipue: (1) excellentes proprietates electricae altae frequentiae. Materia vitrea est materia insulans, constans dielectrica tantum circiter 1/3 est constans dielectrica materiae silicii, et factor damni est 2-...
    Plura lege
  • Applicationes substratorum carburi silicii conductivorum et semi-insulatorum

    Applicationes substratorum carburi silicii conductivorum et semi-insulatorum

    Substratum carburi silicii in genus semi-insulans et genus conductivum dividitur. In praesenti, specificatio vulgaris productorum substrati carburi silicii semi-insulati est 4 unciae. In genere conductivo carburi silicii...
    Plura lege
  • Suntne etiam differentiae in applicatione laminarum sapphirinarum cum diversis orientationibus crystallorum?

    Suntne etiam differentiae in applicatione laminarum sapphirinarum cum diversis orientationibus crystallorum?

    Sapphirus est crystallus singularis aluminae, ad systema crystallinum tripartitum pertinet, structura hexagonali. Structura eius crystallina constat ex tribus atomis oxygenii et duobus atomis aluminii in vinculo covalenti, arctissime dispositis, cum catena nexus forti et energia clathri, dum eius crystallina inte...
    Plura lege
  • Quid interest inter substratum conductivum SiC et substratum semi-insulatum?

    Quid interest inter substratum conductivum SiC et substratum semi-insulatum?

    Instrumentum carburi silicii SiC ad instrumentum e carburo silicii ut materia prima factum refertur. Secundum proprietates resistentiae diversas, in instrumenta potentiae carburi silicii conductiva et instrumenta RF carburi silicii semi-insulata dividitur. Formae instrumentorum principales et...
    Plura lege
  • Articulus te magistrum TGV ducit.

    Articulus te magistrum TGV ducit.

    Quid est TGV? TGV, (via per vitrum), technologia creandi foramina per vitrum in substrato vitreo. Simpliciter dictum, TGV est aedificium altum quod vitrum perforat, implet et connectit sursum deorsumque ut circuitus integratos in solo vitreo construat...
    Plura lege
  • Quae sunt indices aestimationis qualitatis superficiei lamellae?

    Quae sunt indices aestimationis qualitatis superficiei lamellae?

    Cum continua technologia semiconductorum progressu, in industria semiconductorum et etiam industria photovoltaica, requisita qualitatis superficiei substrati lamellae vel laminae epitaxialis etiam valde severa sunt. Quae igitur sunt requisita qualitatis...
    Plura lege
  • Quantum scis de processu accretionis monocrystalli SiC?

    Quantum scis de processu accretionis monocrystalli SiC?

    Carburum silicii (SiC), ut genus materiae semiconductricis cum lata zona hiatus, partes magis magisque importantes in applicatione scientiae et technologiae modernae agit. Carburum silicii excellentem stabilitatem thermalem, magnam tolerantiam campi electrici, conductivitatem intentionalem et...
    Plura lege
  • Proelium Emergens Substratorum SiC Domesticorum

    Proelium Emergens Substratorum SiC Domesticorum

    Recentibus annis, cum continua penetratione applicationum subsequentium, ut vehicula novae energiae, generatio potentiae photovoltaicae, et accumulatio energiae, SiC, ut nova materia semiconductoria, partes magnas in his campis agit. Secundum...
    Plura lege
  • MOSFET SiC, 2300 voltia.

    MOSFET SiC, 2300 voltia.

    Die XXVI mensis, Power Cube Semi nuntiavit prosperam evolutionem primi semiconductoris MOSFET SiC (Silicon Carbide) 2300V Coreae Meridianae. Comparatum cum semiconductoribus Si (Silicon) fundatis iam exstantibus, SiC (Silicon Carbide) altiores tensiones sustinere potest, itaque appellatur...
    Plura lege
  • Num recuperatio semiconductorum tantum illusio est?

    Num recuperatio semiconductorum tantum illusio est?

    Ab anno MMXXI ad MMXXII, celeris incrementum in foro globali semiconductorum factum est propter ortum postulationum specialium ex eruptione COVID-19 ortarum. Attamen, cum postulationes speciales ex pandemia COVID-19 ortae in posteriore parte anni MMXXII finitae sint et in...
    Plura lege
  • Anno MMXXIV, sumptus capitales in semiconductoribus decreverunt.

    Anno MMXXIV, sumptus capitales in semiconductoribus decreverunt.

    Die Mercurii, Praeses Biden pactum nuntiavit ut Intel octo miliarda et quingenta miliarda dollariorum in pecunia directa et undecim miliarda dollariorum in mutuis sub Lege CHIPS et Scientiae suppeditaret. Intel hanc pecuniam ad fabricas suas laminarum electronicarum in Arizona, Ohio, Novo Mexico, et Oregon utetur. Ut in nostro... nuntiatum est.
    Plura lege