Nuntii
-
Specificationes et parametri lamellarum silicii monocrystallini politorum
In florenti progressu industriae semiconductorum, crustae silicii monocrystallini politae partes cruciales agunt. Materiam fundamentalem ad productionem variarum machinarum microelectronicarum praebent. A circuitibus integratis complexis et accuratis ad microprocessores celeres...Plura lege -
Quomodo Carbidum Silicii (SiC) in vitra AR transit?
Cum celeriter technologia realitatis augmentatae (RA) progressa sit, vitra callida, ut vector magni momenti technologiae RA, paulatim a conceptu ad realitatem transeunt. Attamen, late diffusa adoptio vitrorum callidorum adhuc multis provocationibus technicis obicitur, praesertim quod ad ostentationem attinet...Plura lege -
Influentia Culturalis et Symbolismus Sapphiri Colorati XINKEHUI
Influentia Culturalis et Symbolismus Sapphirorum Coloratorum XINKEHUI Progressus in technologia gemmarum syntheticarum permiserunt ut sapphiri, rubini, aliorumque crystallorum variis coloribus recrearentur. Hi colores non solum speciem gemmarum naturalium servant, sed etiam significationes culturales ferunt...Plura lege -
Capsula Horologii Sapphiri Nova Moda in Mundo — XINKEHUI Plures Optiones Tibi Praebet
Capsulae horologiorum sapphirinae propter firmitatem eximiam, resistentiam abrasionis, et perspicuam pulchritudinem in industria horologiorum luxuriosorum crescente popularitate consecuti sunt. Notae propter firmitatem et facultatem usus quotidiani tolerandi, speciem nitidam servantes, ...Plura lege -
LiTaO3 Wafer PIC — Ductor Undarum Tantalati Lithii in Insulatore cum Iactura Parva ad Photonica Non Linearis In-Chip
Summarium: Ducem undarum tantalati lithii, insulatore fundatum, 1550 nm longitudinis, cum iactura 0.28 dB/cm et factore qualitatis resonatoris anularis 1.1 millionum, elaboravimus. Applicatio nonlinearitatis χ(3) in photonicis nonlinearibus investigata est. Commoda niobati lithii...Plura lege -
XKH-Communicatio Scientiae-Quid est technologia sectionis crustarum?
Technologia sectionis laminarum in frusta, ut gradus criticus in processu fabricationis semiconductorum, directe coniungitur cum effectu, proventu, et sumptibus productionis microplagulae. #01 Fundamenta et Momentum Sectionis Laminarum in Frusta 1.1 Definitio Sectionis Laminarum Sectio laminarum (etiam nota ut scri...Plura lege -
Tantalas lithii tenuis pelliculae (LTOI): Materia proxima stellae pro modulatoribus altae celeritatis?
Materia tenuis pelliculae lithii tantalatis (LTOI) nova vis insignis in campo opticae integratae emergit. Hoc anno, plura opera summi gradus de modulatoribus LTOI edita sunt, cum laminis LTOI altae qualitatis a Professore Xin Ou ex Instituto Shanghaiensi provisis...Plura lege -
Profunda Intellegentia Systematis SPC in Fabricatione Crustularum
SPC (Statistical Process Control) instrumentum essentiale est in processu fabricationis crustularum, adhibita ad monitorandum, regendum, et stabilitatem variarum partium in fabricatione emendandam. 1. Conspectus Systematis SPC SPC est methodus quae utitur statisticis...Plura lege -
Cur epitaxia in substrato lamellae perficitur?
Incrementum strati additi atomorum silicii in substrato lamellae silicii plura commoda habet: In processibus silicii CMOS, incrementum epitaxiale (EPI) in substrato lamellae est gradus processus criticus. 1. Qualitatem crystalli emendando...Plura lege -
Principia, Processus, Methodi, et Instrumenta ad Purgationem Crustularum
Purgatio humida (Wet Clean) est unus e gradibus criticis in processibus fabricationis semiconductorum, ad removendas varias sordes e superficie lamellae destinatus, ut gradus processus subsequentes in superficie munda perfici possint. ...Plura lege -
Relatio inter plana crystallina et orientationem crystallinam.
Plana crystallina et orientatio crystallina duo sunt notiones principales in crystallographia, arcte conexae cum structura crystallina in technologia circuituum integratorum silicio fundatorum. 1. Definitio et Proprietates Orientationis Crystallinae Orientatio crystallina directionem specificam repraesentat...Plura lege -
Quae sunt commoda processuum Trans Vitrum (TGV) et Trans Silicium, TSV (TSV) prae TGV?
Commoda processuum Trans Vitrum (TGV) et Trans Silicium (TSV) prae TGV sunt praecipue: (1) excellentes proprietates electricae altae frequentiae. Materia vitrea est materia insulans, constans dielectrica tantum circiter 1/3 est constans dielectrica materiae silicii, et factor damni est 2-...Plura lege