Summarium crustulae SiC
Laminae e carburo silicii (SiC) substratum electum factae sunt pro electronicis magnae potentiae, altae frequentiae, et altae temperaturae per sectores autocineticos, energiae renovabilis, et aëronauticos. Nostra collectio polytypos et schemata dopationis comprehendit—nitrogeno dopatum 4H (4H-N), semi-insulantem altae puritatis (HPSI), nitrogenio dopatum 3C (3C-N), et typum-p 4H/6H (4H/6H-P)—in tribus gradibus qualitatis offeruntur: PRIME (substrata plene polita, gradus machinarum), DUMMY (lappata vel non polita ad probationes processus), et RESEARCH (strata epi et perfiles dopationis ad usum investigationis et progressionis). Diametri laminarum 2″, 4″, 6″, 8″, et 12″ comprehendunt, ut et instrumentis antiquis et fabricae provectae conveniant. Etiam globulos monocrystallinos et crystallos seminales accurate orientatos praebemus ad incrementum crystallorum domesticum sustinendum.
Lamellae nostrae 4H-N densitates vectorum ab 1×10¹⁶ ad 1×10¹⁹ cm⁻³ et resistivitates 0.01–10 Ω·cm habent, mobilitatem electronicam excellentem et campos dissolutionis supra 2 MV/cm praebentes — ideales pro diodis Schottky, MOSFETs, et JFETs. Substrata HPSI resistivitatem 1×10¹² Ω·cm excedunt cum densitatibus microtubulis infra 0.1 cm⁻², minimam effusionem pro instrumentis RF et microundarum curantes. Cubic 3C-N, praesto in formis 2″ et 4″, heteroepitaxem in silicio permittit et novas applicationes photonicas et MEMS sustinet. Lamellae 4H/6H-P typi P, aluminio ad 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³ dopatae, architecturas instrumentorum complementarias faciliorem reddunt.
Laminae PRIME poliuntur chemico-mechanice ad asperitatem superficiei <0.2 nm RMS, variationem crassitudinis totalis sub 3 µm, et curvaturam <10 µm. Substrata DUMMY accelerant probationes compositionis et involucri, dum laminae RESEARCH crassitudines epi-stratorum 2-30 µm et dopationem singularem habent. Omnia producta diffractione radiorum X (curva oscillationis <30 arcsec) et spectroscopia Raman certificantur, cum probationibus electricis — mensuris Hall, profilatione C-V, et scrutatione micropipi — obsequium JEDEC et SEMI curantibus.
Globuli usque ad diametrum 150 mm per PVT et CVD cum densitatibus dislocationum infra 1×10³ cm⁻² et numero microtubulorum parvo coluntur. Crystalli seminales intra 0.1° ab axe c secantur ut incrementum reproducibile et proventus sectionis altiores garantiantur.
Combinando multiplices polytypos, variationes dopandi, gradus qualitatis, magnitudines laminarum, et productionem internam globulorum et crystallorum seminum, nostra suggestus substrati SiC catenas commeatus simplificat et progressionem machinarum pro vehiculis electricis, retibus electricis intelligentibus, et applicationibus in ambitu difficili accelerat.
Summarium crustulae SiC
Laminae e carburo silicii (SiC) substratum electum factae sunt pro electronicis magnae potentiae, altae frequentiae, et altae temperaturae per sectores autocineticos, energiae renovabilis, et aëronauticos. Nostra collectio polytypos et schemata dopationis comprehendit—nitrogeno dopatum 4H (4H-N), semi-insulantem altae puritatis (HPSI), nitrogenio dopatum 3C (3C-N), et typum-p 4H/6H (4H/6H-P)—in tribus gradibus qualitatis offeruntur: PRIME (substrata plene polita, gradus machinarum), DUMMY (lappata vel non polita ad probationes processus), et RESEARCH (strata epi et perfiles dopationis ad usum investigationis et progressionis). Diametri laminarum 2″, 4″, 6″, 8″, et 12″ comprehendunt, ut et instrumentis antiquis et fabricae provectae conveniant. Etiam globulos monocrystallinos et crystallos seminales accurate orientatos praebemus ad incrementum crystallorum domesticum sustinendum.
Lamellae nostrae 4H-N densitates vectorum ab 1×10¹⁶ ad 1×10¹⁹ cm⁻³ et resistivitates 0.01–10 Ω·cm habent, mobilitatem electronicam excellentem et campos dissolutionis supra 2 MV/cm praebentes — ideales pro diodis Schottky, MOSFETs, et JFETs. Substrata HPSI resistivitatem 1×10¹² Ω·cm excedunt cum densitatibus microtubulis infra 0.1 cm⁻², minimam effusionem pro instrumentis RF et microundarum curantes. Cubic 3C-N, praesto in formis 2″ et 4″, heteroepitaxem in silicio permittit et novas applicationes photonicas et MEMS sustinet. Lamellae 4H/6H-P typi P, aluminio ad 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³ dopatae, architecturas instrumentorum complementarias faciliorem reddunt.
Laminae PRIME poliuntur chemico-mechanice ad asperitatem superficiei <0.2 nm RMS, variationem crassitudinis totalis sub 3 µm, et curvaturam <10 µm. Substrata DUMMY accelerant probationes compositionis et involucri, dum laminae RESEARCH crassitudines epi-stratorum 2-30 µm et dopationem singularem habent. Omnia producta diffractione radiorum X (curva oscillationis <30 arcsec) et spectroscopia Raman certificantur, cum probationibus electricis — mensuris Hall, profilatione C-V, et scrutatione micropipi — obsequium JEDEC et SEMI curantibus.
Globuli usque ad diametrum 150 mm per PVT et CVD cum densitatibus dislocationum infra 1×10³ cm⁻² et numero microtubulorum parvo coluntur. Crystalli seminales intra 0.1° ab axe c secantur ut incrementum reproducibile et proventus sectionis altiores garantiantur.
Combinando multiplices polytypos, variationes dopandi, gradus qualitatis, magnitudines laminarum, et productionem internam globulorum et crystallorum seminum, nostra suggestus substrati SiC catenas commeatus simplificat et progressionem machinarum pro vehiculis electricis, retibus electricis intelligentibus, et applicationibus in ambitu difficili accelerat.
Imago crustulae SiC
Scheda datorum lamellae SiC typi 4H-N sex pollicum
| Scheda datorum lamellarum SiC sex pollicum | ||||
| Parametrum | Subparametrus | Gradus Z | Gradus P | Gradus D |
| Diameter | 149.5–150.0 mm | 149.5–150.0 mm | 149.5–150.0 mm | |
| Crassitudo | 4H-N | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Crassitudo | 4H-SI | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Orientatio Lamellae | Extra axem: 4.0° versus <11-20> ±0.5° (4H-N); In axem: <0001> ±0.5° (4H-SI) | Extra axem: 4.0° versus <11-20> ±0.5° (4H-N); In axem: <0001> ±0.5° (4H-SI) | Extra axem: 4.0° versus <11-20> ±0.5° (4H-N); In axem: <0001> ±0.5° (4H-SI) | |
| Densitas Microtubuli | 4H-N | ≤ 0.2 cm⁻² | ≤ 2 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Densitas Microtubuli | 4H-SI | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Resistivitas | 4H-N | 0.015–0.024 Ω·cm | 0.015–0.028 Ω·cm | 0.015–0.028 Ω·cm |
| Resistivitas | 4H-SI | ≥ 1×10¹⁰ Ω·cm | ≥ 1×10⁵ Ω·cm | |
| Orientatio Plana Primaria | [10-10] ± 5.0° | [10-10] ± 5.0° | [10-10] ± 5.0° | |
| Longitudo Plana Primaria | 4H-N | 47.5 mm ± 2.0 mm | ||
| Longitudo Plana Primaria | 4H-SI | Incisura | ||
| Exclusio Marginis | Tres millimetra | |||
| Stamina/LTV/TTV/Arcus | ≤2.5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm | ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm | ||
| Asperitas | Polonica | Ra ≤ 1 nm | ||
| Asperitas | CMP | Ra ≤ 0.2 nm | Ra ≤ 0.5 nm | |
| Fissurae Marginis | Nullus | Longitudo cumulativa ≤ 20 mm, singularis ≤ 2 mm | ||
| Laminae Hexagonales | Area cumulativa ≤ 0.05% | Area cumulativa ≤ 0.1% | Area cumulativa ≤ 1% | |
| Areae Polytypae | Nullus | Area cumulativa ≤ 3% | Area cumulativa ≤ 3% | |
| Inclusiones Carbonis | Area cumulativa ≤ 0.05% | Area cumulativa ≤ 3% | ||
| Scalpturae Superficiales | Nullus | Longitudo cumulativa ≤ 1 × diametrum lamellae | ||
| Fragmenta Marginis | Nullum permissus latitudo et profunditas ≥ 0.2 mm | Usque ad septem fragmenta, singula ≤ 1 mm | ||
| TSD (Dislocatio Cochleae Filetae) | ≤ 500 cm⁻² | N/A | ||
| BPD (Dislocatio Plani Basis) | ≤ 1000 cm⁻² | N/A | ||
| Contaminatio Superficialis | Nullus | |||
| Involucrum | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium | |
Scheda datorum lamellae SiC typi 4H-N 4 pollicum
| Scheda datorum crustulae SiC quattuor unciarum | |||
| Parametrum | Productio MPD Nulla | Gradus Productionis Standardis (Gradus P) | Gradus Simulacrum (Gradus D) |
| Diameter | 99.5 mm–100.0 mm | ||
| Crassitudo (4H-N) | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | |
| Crassitudo (4H-Si) | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | |
| Orientatio Lamellae | Extra axem: 4.0° versus <1120> ±0.5° pro 4H-N; In axem: <0001> ±0.5° pro 4H-Si | ||
| Densitas Microtubuli (4H-N) | ≤0.2 cm⁻² | ≤2 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Densitas Microtubuli (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Resistivitas (4H-N) | 0.015–0.024 Ω·cm | 0.015–0.028 Ω·cm | |
| Resistivitas (4H-Si) | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Orientatio Plana Primaria | [10-10] ±5.0° | ||
| Longitudo Plana Primaria | 32.5 mm ± 2.0 mm | ||
| Longitudo Plana Secundaria | 18.0 mm ±2.0 mm | ||
| Orientatio Plana Secundaria | Facies siliconis sursum: 90° in directionem horariam a plano primo ±5.0° | ||
| Exclusio Marginis | Tres millimetra | ||
| LTV/TTV/Arcus Curvatura | ≤2.5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Asperitas | Ra politurae ≤1 nm; Ra CMP ≤0.2 nm | Ra ≤0.5 nm | |
| Fissurae Marginum a Luce Altae Intensitatis | Nullus | Nullus | Longitudo cumulativa ≤10 mm; longitudo singularis ≤2 mm |
| Laminae Hexagonales Luce Altae Intensitatis | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤0.1% |
| Areae Polytypae Luce Altae Intensitatis | Nullus | Area cumulativa ≤3% | |
| Inclusiones Carbonis Visuales | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤3% | |
| Scalpturae Superficiei Silicii a Luce Altae Intensitatis | Nullus | Longitudo cumulativa ≤1 diametrum lamellae | |
| Fragmenta Marginis Luce Altae Intensitatis | Nulla permissa latitudo et profunditas ≥0.2 mm | Quinque permissi, ≤1 mm singuli | |
| Contaminatio Superficiei Silicii per Lucem Altae Intensitatis | Nullus | ||
| Luxatio cochleae filetatae | ≤500 cm⁻² | N/A | |
| Involucrum | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium |
Scheda datorum lamellae SiC typi HPSI 4 pollicum
| Scheda datorum lamellae SiC typi HPSI 4 pollicum | |||
| Parametrum | Gradus Productionis MPD Zero (Gradus Z) | Gradus Productionis Standardis (Gradus P) | Gradus Simulacrum (Gradus D) |
| Diameter | 99.5–100.0 mm | ||
| Crassitudo (4H-Si) | 500 µm ±20 µm | 500 µm ±25 µm | |
| Orientatio Lamellae | Extra axem: 4.0° versus <11-20> ±0.5° pro 4H-N; In axem: <0001> ±0.5° pro 4H-Si | ||
| Densitas Microtubuli (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Resistivitas (4H-Si) | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Orientatio Plana Primaria | (10-10) ±5.0° | ||
| Longitudo Plana Primaria | 32.5 mm ± 2.0 mm | ||
| Longitudo Plana Secundaria | 18.0 mm ±2.0 mm | ||
| Orientatio Plana Secundaria | Facies siliconis sursum: 90° in directionem horariam a plano primo ±5.0° | ||
| Exclusio Marginis | Tres millimetra | ||
| LTV/TTV/Arcus Curvatura | ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Asperitas (facies C) | Polonica | Ra ≤1 nm | |
| Asperitas (facies Si) | CMP | Ra ≤0.2 nm | Ra ≤0.5 nm |
| Fissurae Marginum a Luce Altae Intensitatis | Nullus | Longitudo cumulativa ≤10 mm; longitudo singularis ≤2 mm | |
| Laminae Hexagonales Luce Altae Intensitatis | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤0.1% |
| Areae Polytypae Luce Altae Intensitatis | Nullus | Area cumulativa ≤3% | |
| Inclusiones Carbonis Visuales | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤3% | |
| Scalpturae Superficiei Silicii a Luce Altae Intensitatis | Nullus | Longitudo cumulativa ≤1 diametrum lamellae | |
| Fragmenta Marginis Luce Altae Intensitatis | Nulla permissa latitudo et profunditas ≥0.2 mm | Quinque permissi, ≤1 mm singuli | |
| Contaminatio Superficiei Silicii per Lucem Altae Intensitatis | Nullus | Nullus | |
| Luxatio Cochleae Filatae | ≤500 cm⁻² | N/A | |
| Involucrum | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium | ||
Tempus publicationis: XXX Iunii, MMXXXV