Summarium crustulae SiC
Lamellae carburi silicii (SiC)Substrata electa facta sunt pro electronicis magnae potentiae, altae frequentiae, et altae temperaturae per sectores autocineticos, energiae renovabilis, et aëronauticos. Portfolio nostrum polytypos et schemata dopationis comprehendit—nitrogeno dopatum 4H (4H-N), semi-insulantem altae puritatis (HPSI), nitrogenio dopatum 3C (3C-N), et typum-p 4H/6H (4H/6H-P)—in tribus gradibus qualitatis oblata: PRIME (substrata plene polita, gradus machinarum), DUMMY (lapta vel non polita ad probationes processus), et RESEARCH (strata epi et perfiles dopationis ad usum inquisitionis et progressionis). Diametri lamellarum 2″, 4″, 6″, 8″, et 12″ comprehendunt, ut et instrumentis antiquis et fabricarum provectis aptentur. Etiam globulos monocrystallinos et crystallos seminales accurate orientatos praebemus ad incrementum crystallorum domesticum sustinendum.
Lamellae nostrae 4H-N densitates vectorum ab 1×10¹⁶ ad 1×10¹⁹ cm⁻³ et resistivitates 0.01–10 Ω·cm habent, mobilitatem electronicam excellentem et campos dissolutionis supra 2 MV/cm praebentes — ideales pro diodis Schottky, MOSFETs, et JFETs. Substrata HPSI resistivitatem 1×10¹² Ω·cm excedunt cum densitatibus microtubulis infra 0.1 cm⁻², minimam effusionem pro instrumentis RF et microundarum curantes. Cubic 3C-N, praesto in formis 2″ et 4″, heteroepitaxem in silicio permittit et novas applicationes photonicas et MEMS sustinet. Lamellae 4H/6H-P typi P, aluminio ad 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³ dopatae, architecturas instrumentorum complementarias faciliorem reddunt.
Laminae SiC, laminae PRIME, ad asperitatem superficiei RMS <0.2 nm, variationem crassitudinis totalis sub 3 µm, et curvaturam <10 µm, poliuntur chemico-mechanice. Substrata DUMMY probationes compositionis et involucri accelerant, dum laminae RESEARCH crassitudines epi-stratorum 2-30 µm et dopationem singularem habent. Omnia producta diffractione radiorum X (curva oscillationis <30 arcsec) et spectroscopia Raman certificantur, cum probationibus electricis — mensuris Hall, profilatione C-V, et scrutatione micropipi — obsequium JEDEC et SEMI curantibus.
Globuli usque ad diametrum 150 mm per PVT et CVD cum densitatibus dislocationum infra 1×10³ cm⁻² et numero microtubulorum parvo coluntur. Crystalli seminales intra 0.1° ab axe c secantur ut incrementum reproducibile et proventus sectionis altiores garantiantur.
Combinando multiplices polytypos, variationes dopandi, gradus qualitatis, magnitudines laminarum SiC, et productionem internam globulorum et crystallorum seminum, nostra suggestus substrati SiC catenas commeatus simplificat et progressionem machinarum pro vehiculis electricis, retibus electricis intelligentibus, et applicationibus in ambitu difficili accelerat.
Summarium crustulae SiC
Lamellae carburi silicii (SiC)Substrata SiC electa facta sunt pro electronicis magnae potentiae, altae frequentiae, et altae temperaturae per sectores autocineticos, energiae renovabilis, et aerospatiales. Portfolio nostrum polytypos et schemata dopationis praecipua amplectitur—4H nitrogenio dopatum (4H-N), semi-insulantem altae puritatis (HPSI), 3C nitrogenio dopatum (3C-N), et 4H/6H typi p (4H/6H-P)—in tribus gradibus qualitatis oblata: lamella SiC.PRIMA (substrata plene polita, ad usum machinarum aptata), FICTILIA (laminata vel non polita ad experimenta processuum), et INVESTIGATIO (strata epidermoidea et perfiles dopandi ad usum investigationis et progressionis). Diametri laminarum SiC 2″, 4″, 6″, 8″, et 12″ comprehendunt, ut et instrumentis antiquioribus et fabricae provectis aptentur. Praeterea globulos monocrystallinos et crystalla seminalia accurate orientata praebemus, ut incrementum crystallinum internum sustineatur.
Lamellae nostrae 4H-N SiC densitates vectorum ab 1×10¹⁶ ad 1×10¹⁹ cm⁻³ et resistivitates 0.01–10 Ω·cm habent, mobilitatem electronicam excellentem et campos dissolutionis supra 2 MV/cm praebentes — ideales pro diodis Schottky, MOSFETs, et JFETs. Substrata HPSI resistivitatem 1×10¹² Ω·cm excedunt cum densitatibus microtubulis infra 0.1 cm⁻², minimam effusionem pro instrumentis RF et microundarum curantes. Cubic 3C-N, praesto in formis 2″ et 4″, heteroepitaxem in silicio permittit et novas applicationes photonicas et MEMS sustinet. Lamellae SiC 4H/6H-P typi P, aluminio ad 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³ dopatae, architecturas instrumentorum complementarias faciliorem reddunt.
Laminae PRIME ex laminis SiC ad asperitatem superficiei <0.2 nm RMS, variationem crassitudinis totalis sub 3 µm, et curvaturam <10 µm, poliuntur chemico-mechanice. Substrata DUMMY probationes compositionis et involucri accelerant, dum laminae RESEARCH crassitudines epi-stratorum 2-30 µm et dopationem singularem habent. Omnia producta diffractione radiorum X (curva oscillationis <30 arcsec) et spectroscopia Raman certificantur, cum probationibus electricis — mensuris Hall, profilatione C-V, et scrutatione micropipi — obsequium JEDEC et SEMI curantibus.
Globuli usque ad diametrum 150 mm per PVT et CVD cum densitatibus dislocationum infra 1×10³ cm⁻² et numero microtubulorum parvo coluntur. Crystalli seminales intra 0.1° ab axe c secantur ut incrementum reproducibile et proventus sectionis altiores garantiantur.
Combinando multiplices polytypos, variationes dopandi, gradus qualitatis, magnitudines laminarum SiC, et productionem internam globulorum et crystallorum seminum, nostra suggestus substrati SiC catenas commeatus simplificat et progressionem machinarum pro vehiculis electricis, retibus electricis intelligentibus, et applicationibus in ambitu difficili accelerat.
Imago crustulae SiC
Scheda datorum lamellae SiC typi 4H-N sex pollicum
| Scheda datorum lamellarum SiC sex pollicum | ||||
| Parametrum | Subparametrus | Gradus Z | Gradus P | Gradus D |
| Diameter | 149.5–150.0 mm | 149.5–150.0 mm | 149.5–150.0 mm | |
| Crassitudo | 4H-N | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Crassitudo | 4H-SI | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Orientatio Lamellae | Extra axem: 4.0° versus <11-20> ±0.5° (4H-N); In axem: <0001> ±0.5° (4H-SI) | Extra axem: 4.0° versus <11-20> ±0.5° (4H-N); In axem: <0001> ±0.5° (4H-SI) | Extra axem: 4.0° versus <11-20> ±0.5° (4H-N); In axem: <0001> ±0.5° (4H-SI) | |
| Densitas Microtubuli | 4H-N | ≤ 0.2 cm⁻² | ≤ 2 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Densitas Microtubuli | 4H-SI | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Resistivitas | 4H-N | 0.015–0.024 Ω·cm | 0.015–0.028 Ω·cm | 0.015–0.028 Ω·cm |
| Resistivitas | 4H-SI | ≥ 1×10¹⁰ Ω·cm | ≥ 1×10⁵ Ω·cm | |
| Orientatio Plana Primaria | [10-10] ± 5.0° | [10-10] ± 5.0° | [10-10] ± 5.0° | |
| Longitudo Plana Primaria | 4H-N | 47.5 mm ± 2.0 mm | ||
| Longitudo Plana Primaria | 4H-SI | Incisura | ||
| Exclusio Marginis | 3 mm | |||
| Stamina/LTV/TTV/Arcus | ≤2.5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm | ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm | ||
| Asperitas | Polonica | Ra ≤ 1 nm | ||
| Asperitas | CMP | Ra ≤ 0.2 nm | Ra ≤ 0.5 nm | |
| Fissurae Marginis | Nullus | Longitudo cumulativa ≤ 20 mm, singularis ≤ 2 mm | ||
| Laminae Hexagonales | Area cumulativa ≤ 0.05% | Area cumulativa ≤ 0.1% | Area cumulativa ≤ 1% | |
| Areae Polytypae | Nullus | Area cumulativa ≤ 3% | Area cumulativa ≤ 3% | |
| Inclusiones Carbonis | Area cumulativa ≤ 0.05% | Area cumulativa ≤ 3% | ||
| Scalpturae Superficiales | Nullus | Longitudo cumulativa ≤ 1 × diametrum lamellae | ||
| Fragmenta Marginis | Nullum permissus latitudo et profunditas ≥ 0.2 mm | Usque ad septem fragmenta, singula ≤ 1 mm | ||
| TSD (Dislocatio Cochleae Filetae) | ≤ 500 cm⁻² | N/A | ||
| BPD (Dislocatio Plani Basis) | ≤ 1000 cm⁻² | N/A | ||
| Contaminatio Superficialis | Nullus | |||
| Involucrum | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium | |
Scheda datorum lamellae SiC typi 4H-N 4 pollicum
| Scheda datorum crustulae SiC quattuor unciarum | |||
| Parametrum | Productio MPD Nulla | Gradus Productionis Standardis (Gradus P) | Gradus Simulacrum (Gradus D) |
| Diameter | 99.5 mm–100.0 mm | ||
| Crassitudo (4H-N) | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | |
| Crassitudo (4H-Si) | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | |
| Orientatio Lamellae | Extra axem: 4.0° versus <1120> ±0.5° pro 4H-N; In axem: <0001> ±0.5° pro 4H-Si | ||
| Densitas Microtubuli (4H-N) | ≤0.2 cm⁻² | ≤2 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Densitas Microtubuli (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Resistivitas (4H-N) | 0.015–0.024 Ω·cm | 0.015–0.028 Ω·cm | |
| Resistivitas (4H-Si) | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Orientatio Plana Primaria | [10-10] ±5.0° | ||
| Longitudo Plana Primaria | 32.5 mm ± 2.0 mm | ||
| Longitudo Plana Secundaria | 18.0 mm ±2.0 mm | ||
| Orientatio Plana Secundaria | Facies siliconis sursum: 90° in directionem horariam a plano primo ±5.0° | ||
| Exclusio Marginis | 3 mm | ||
| LTV/TTV/Arcus Curvatura | ≤2.5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Asperitas | Ra politurae ≤1 nm; Ra CMP ≤0.2 nm | Ra ≤0.5 nm | |
| Fissurae Marginum a Luce Altae Intensitatis | Nullus | Nullus | Longitudo cumulativa ≤10 mm; longitudo singularis ≤2 mm |
| Laminae Hexagonales Luce Altae Intensitatis | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤0.1% |
| Areae Polytypae Luce Altae Intensitatis | Nullus | Area cumulativa ≤3% | |
| Inclusiones Carbonis Visuales | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤3% | |
| Scalpturae Superficiei Silicii a Luce Altae Intensitatis | Nullus | Longitudo cumulativa ≤1 diametrum lamellae | |
| Fragmenta Marginis Luce Altae Intensitatis | Nulla permissa latitudo et profunditas ≥0.2 mm | Quinque permissi, ≤1 mm singuli | |
| Contaminatio Superficiei Silicii per Lucem Altae Intensitatis | Nullus | ||
| Luxatio cochleae filetatae | ≤500 cm⁻² | N/A | |
| Involucrum | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium |
Scheda datorum lamellae SiC typi HPSI 4 pollicum
| Scheda datorum lamellae SiC typi HPSI 4 pollicum | |||
| Parametrum | Gradus Productionis MPD Zero (Gradus Z) | Gradus Productionis Standardis (Gradus P) | Gradus Simulacrum (Gradus D) |
| Diameter | 99.5–100.0 mm | ||
| Crassitudo (4H-Si) | 500 µm ±20 µm | 500 µm ±25 µm | |
| Orientatio Lamellae | Extra axem: 4.0° versus <11-20> ±0.5° pro 4H-N; In axem: <0001> ±0.5° pro 4H-Si | ||
| Densitas Microtubuli (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Resistivitas (4H-Si) | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Orientatio Plana Primaria | (10-10) ±5.0° | ||
| Longitudo Plana Primaria | 32.5 mm ± 2.0 mm | ||
| Longitudo Plana Secundaria | 18.0 mm ±2.0 mm | ||
| Orientatio Plana Secundaria | Facies siliconis sursum: 90° in directionem horariam a plano primo ±5.0° | ||
| Exclusio Marginis | 3 mm | ||
| LTV/TTV/Arcus Curvatura | ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Asperitas (facies C) | Polonica | Ra ≤1 nm | |
| Asperitas (facies Si) | CMP | Ra ≤0.2 nm | Ra ≤0.5 nm |
| Fissurae Marginum a Luce Altae Intensitatis | Nullus | Longitudo cumulativa ≤10 mm; longitudo singularis ≤2 mm | |
| Laminae Hexagonales Luce Altae Intensitatis | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤0.1% |
| Areae Polytypae Luce Altae Intensitatis | Nullus | Area cumulativa ≤3% | |
| Inclusiones Carbonis Visuales | Area cumulativa ≤0.05% | Area cumulativa ≤3% | |
| Scalpturae Superficiei Silicii a Luce Altae Intensitatis | Nullus | Longitudo cumulativa ≤1 diametrum lamellae | |
| Fragmenta Marginis Luce Altae Intensitatis | Nulla permissa latitudo et profunditas ≥0.2 mm | Quinque permissi, ≤1 mm singuli | |
| Contaminatio Superficiei Silicii per Lucem Altae Intensitatis | Nullus | Nullus | |
| Luxatio Cochleae Filatae | ≤500 cm⁻² | N/A | |
| Involucrum | Cassetta multi-laganorum vel receptaculum laganorum singularium | ||
Applicatio crustulae SiC
-
Moduli Potentiae Lamellarum SiC pro Inverteribus Vehiculorum Electricorum
Transformatores MOS (MOSFET) et diodi, in substratis SiC altae qualitatis constructi, iacturas commutationis infimas praebent. Technologia SiC adhibita, hi moduli potentiae altioribus tensionibus et temperaturis operantur, ita ut inverteres tractionis efficaciores sint. Integratio matricum SiC in gradus potentiae requisita refrigerationis et vestigium minuit, totum potentiale innovationis SiC ostenditur. -
Instrumenta Altae Frequentiae RF et 5G in Lamella SiC
Amplificatores et commutatores RF in laminis semi-insulantibus SiC fabricati conductivitatem thermalem et tensionem disruptionis superiorem exhibent. Substratum laminae SiC iacturas dielectricas ad frequentias GHz minuit, dum robur materiae laminae SiC operationem stabilem sub condicionibus magnae potentiae et altae temperaturae permittit, ita ut lamina SiC substratum electum sit pro stationibus basicis 5G et systematibus radar novae generationis. -
Substrata Optoelectronica et LED ex Lamella SiC
LED caeruleae et ultraviolaceae in substratis laminarum SiC cultivatae optimam congruentiam clathri et dissipationem caloris praebent. Usus laminae SiC faciei C politae strata epitaxialia uniformes efficit, dum durities innata laminae SiC subtiliter attenuationem laminae et firmam structuram machinarum permittit. Hoc laminam SiC suggestum praeferendum facit pro applicationibus LED magnae potentiae et longae vitae.
Quaestiones et Responsiones de crustulis SiC
1. Q: Quomodo crustulae SiC fabricantur?
A:
Lamellae SiC fabricataeGradus Detaliati
-
Lamellae SiCPraeparatio Materiae Crudae
- Pulverem SiC gradus ≥5N (impuritates ≤1 ppm) adhibe.
- Cribra et praecoque ut residua carbonis vel composita nitrogenii removeantur.
-
SiCPraeparatio Crystalli Seminis
-
Frustum crystalli singularis 4H-SiC sume et secundum directionem 〈0001〉 ad magnitudinem ~10 × 10 mm² seca.
-
Politura accurata ad Ra ≤0.1 nm et nota orientationis crystalli.
-
-
SiCIncrementum PVT (Transportatio Vaporis Physici)
-
Crustulum graphitum imple: fundum pulvere SiC, summum crystallo seminali.
-
Evacuare ad 10⁻³–10⁻⁵ Torr vel replere helio altae puritatis ad 1 atm.
-
Calefac zonam fontis ad 2100–2300°C, zonam seminum 100–150°C frigidiorem serva.
-
Crescentiae celeritatem ad 1–5 mm/h moderanda est ut qualitas et productio aequilibrentur.
-
-
SiCRecoctio Lingotorum
-
Massam SiC, secundum formam adultam, ad 1600–1800°C per 4–8 horas coque.
-
Propositum: tensiones thermicas levare et densitatem dislocationum reducere.
-
-
SiCSectio crustulorum
-
Serra filo adamantino utere ad massam in laminas 0.5-1 mm crassas secanda.
-
Vibrationem et vim lateralem ad minimam fissurarum formam reduce.
-
-
SiCOblataTrituratio et Politura
-
Tritura grossaad damnum serrationis removendum (asperitas ~10–30 µm).
-
Tritura subtilisad planitiem ≤5 µm assequendam.
-
Politura Chemico-Mechanica (PCM)ad superficiem speculi similem (Ra ≤0.2 nm) perveniendum.
-
-
SiCOblataPurgatio et Inspectio
-
Purgatio ultrasonicasolutio in Piranha (H₂SO₄:H₂O₂), DI aqua, deinde IPA.
-
Spectroscopia XRD/Ramanad polytypum confirmandum (4H, 6H, 3C).
-
Interferometriaad planitatem (<5 µm) et deformationem (<20 µm) metiendam.
-
Proba quattuor punctorumad resistivitatem probandam (e.g. HPSI ≥10⁹ Ω·cm).
-
Inspectio vitiorumsub microscopio lucis polarisatae et probatore scalpturae.
-
-
SiCOblataClassificatio et Ordo
-
Distingue crustas secundum polytypum et genus electricum:
-
4H-SiC N-typus (4H-N): concentratio vectoris 10¹⁶–10¹⁸ cm⁻³
-
4H-SiC Semi-Insulans Altae Puritatis (4H-HPSI): resistivitas ≥10⁹ Ω·cm
-
6H-SiC N-typus (6H-N)
-
Alia: 3C-SiC, typus P, etc.
-
-
-
SiCOblataInvolucrum et Transportatio
-
In pyxides oblatarum mundas et pulvere carentes pone.
-
Singulas capsas diametro, crassitudine, polytypo, gradu resistivitatis, et numero partis designa.
-
2. Q: Quae sunt praecipua commoda laminarum SiC prae laminis silicii?
A: Comparatae cum laminis silicii, laminae SiC efficiunt:
-
Operatio tensionis altioris(>1200 V) cum minore resistentia in statu acti.
-
Stabilitas temperaturae altior(>300°C) et meliorem administrationem thermalem.
-
Celeriores celeritates commutationiscum minoribus iacturis commutationis, refrigerationem in gradu systematis et magnitudinem in convertoribus potentiae reducendo.
4. Q: Quae vitia communia productionem et functionem lamellae SiC afficiunt?
A: Inter vitia primaria in laminis SiC sunt microtubuli, dislocationes plani basalis (BPDs), et scalpturae superficiales. Microtubuli defectum machinae calamitosum causare possunt; BPDs resistentiam in statu activationis augent per tempus; et scalpturae superficiales ad fractionem laminis vel incrementum epitaxiale imbecillum ducunt. Inspectio rigorosa et mitigatio vitiorum ergo necessariae sunt ad amplificandum proventum laminis SiC.
Tempus publicationis: XXX Iunii, MMXXXV