Comparatae cum machinis carburi silicii, machinae potentiae gallii nitridi plura commoda habebunt in condicionibus ubi efficientia, frequentia, volumen, aliique aspectus comprehensivi simul requiruntur, ut puta machinae gallii nitridi fundatae in campo celeris onerationis late adhibitae sunt. Cum eruptione novarum applicationum subsequentium, et continuo progressu technologiae praeparationis substrati gallii nitridi, machinae GaN exspectantur volumen crescere pergere, et unam ex technologiis clavis ad sumptus minuendos et efficientiam, necnon ad progressum viridem sustinendum, fient.
In praesenti, tertia generatio materiarum semiconductricum pars magna industriarum strategicarum emergentium facta est, et etiam punctum strategicum imperii fit ad capiendam novam generationem technologiae informationis, conservationis energiae et reductionis emissionum, necnon technologiae securitatis defensionis nationalis. Inter eas, gallium nitridum (GaN) est una ex materiis semiconductricibus tertiae generationis maxime repraesentativis, ut materia semiconductrix cum latitudine frequentiae (bandgap) et latitudine frequentiae 3.4 eV.
Die tertio mensis Iulii, Sinae exportationem rerum gallio et germanio adnexarum restricverunt, quod est magni momenti mutatio politicae propter proprietatem magni momenti gallii, metalli rari, ut "granum novum industriae semiconductorum," et eius latas applicationes in materiis semiconductoribus, nova energia, aliisque campis. Hac mutatione politica habita, haec dissertatio gallii nitridum ex aspectibus technologiae praeparationis et provocationum, novorum punctorum incrementi in futuro, et formae competitionis tractabit et analysabit.
Brevis introductio:
Gallii nitridum est genus materiae semiconductricis syntheticae, quae typicam repraesentationem tertiae generationis materiarum semiconductricium praebet. Comparata cum materiis siliconicis traditis, gallii nitridum (GaN) commoda habet latitudinis zonae electricae amplae, campi electrici disruptivi validi, resistentiae in statu conductionis humilis, mobilitatis electronicae magnae, efficientiae conversionis magnae, conductivitatis thermalis magnae, et iacturae humilis.
Nitridum gallii monocrystallum est nova generatio materiarum semiconductricum praeclarae efficaciae, quae late adhiberi potest in communicatione, radar, electronicis domesticis, electronicis autocineticis, energia potentiae, processu laser industriali, instrumentatione, aliisque campis, ita eius progressus et productio magna in centro attentionis terrarum et industriarum toto orbe terrarum sunt.
Applicatio GaN
Statio basis communicationis 1--5G
Infrastructura communicationis sine filo est praecipua area applicationis instrumentorum RF gallii nitridi, 50% repraesentans.
2 -- Alta copia potentiae
Proprietas "duplicis altitudinis" GaN magnum potentialem penetrationis in instrumentis electronicis usoris summae efficacitatis habet, quae requisitis celeris onerationis et condicionum tutelae onerationis satisfacere possunt.
3 -- Vehiculum novae energiae
Ex parte applicationis practicae, instrumenta semiconducentia tertiae generationis in autocinetis hodierna plerumque sunt instrumenta carburi silicii, sed sunt materiae gallii nitridi idoneae quae certificationem regulationis autocineti pro modulis instrumentorum potentiae superare possunt, vel aliae rationes involucri idoneae, quae tamen ab tota officina et fabricatoribus OEM accipientur.
4 -- Centrum datorum
Semiconductores potentiae GaN praecipue in unitatibus fontis potentiae PSU in centris datorum adhibentur.
Summa summarum, cum eruptione novarum applicationum subsequentium et continuis progressibus in technologia praeparationis substrati gallii nitridi, machinae GaN volumine crescere pergere exspectantur, et una ex technologiis clavis ad sumptus minuendos et efficientiam et progressionem viridem sustinendam fient.
Tempus publicationis: Iul-27-2023