Comparatus cum machinis carbide pii, gallium nitridum potentiae machinis plus commoditatis habebit in missionibus ubi efficientia, frequentia, volubilis et aliae rationes comprehensivae simul requiruntur, sicut gallium nitride subnixum machinis in campo celeriter incurrentis feliciter applicatum est. magnis muneribus. Cum ingruente novorum amni applicationum et continuae technologiae praeparationis technologiae gallium nitride substratae, machinis GAN exspectatur ut in volumine crescat et fient una e technologiae clavis ad reductionem et efficientiam sumptus, viridis evolutionis sustinendae.
Nunc tertia generatio materiae semiconductoris magna pars opportuna emersionum industriarum facta est, et etiam punctum opportunum est ad comprehendendum posteros technologiae notitiarum, energiae conservationis et emissionis reductionis et securitatis nationalis technologiae defensionis. Inter eas gallium nitridum (GaN) est una ex materiis semiconductoribus maxime repraesentativis tertiae generationis sicut bandgap latae materiae semiconductoris cum bandgap of 3.4eV.
Die III mensis Iulii Sinae exportationem gallium et germanium relatas coartarunt, quae magni momenti est temperatio moderatio secundum attributum gallium, metallum rarum, sicut "novum granum industriae semiconductoris" et eius ampla applicatio utilitates in materiae semiconductoris, novae energiae et aliorum agrorum. Ob hanc rationem mutationis consilium, haec charta gallium nitrideum ex aspectibus praeparationis technologiae et provocationum, novorum incrementorum punctorum in futuro, et exemplar competitionis discutiet et resolvet.
Brevis introductio:
Gallium nitride est quaedam materia semiconductor synthetica, quae est repraesentativa typica materiae semiconductoris tertiae generationis. Cum materiis siliconibus traditum comparatum, gallium nitride (GaN) commoda magnae cohortis gap, fortis naufragii electrici campi, humilis resistentiae, mobilitatis altae electronicae, altae conversionis efficientiae, princeps scelerisque conductivity et humilis iactura habet.
Gallium nitridum unicum crystallum est nova generatio materiae semiconductoris cum praestantissimis effectibus, quae late possunt in communicatione, electronicis radar, consumptis, electronicis automotivis, vis virtutis, processus laseris industrialis, instrumentis et aliis agris, cuius progressionis et massae productiones sunt. focus attentionis terrarum et industriarum circa mundum.
Applicationem Gan
1--5G communicationis statione basi
Infrastructura communicatio Wireless est principale applicatio areae galli nitridis RF technis, ac pro 50%.
II - Excelsa copia
"duplex altitudo" notam GaN magnam habet penetrationem potentialem in electronicis machinationibus consumptis peractionis, quae cum exigentiis festinanter occurrere potest et missiones tutelae praeficere.
III - nova industria vehiculum
Ex applicationis applicationis parte, semiconductoris machinae tertiae generationis hodiernae in autocineto sunt maxime machinis carbidi siliconis, sed sunt aptae materiae gallium nitride quae certificationem virtutis modulorum technicorum vel aliorum modulorum sarcinarum aptarum certificationem currus transire potest, erit. tota planta et OEM artifices adhuc accipienda sunt.
4 - Data centrum
GaN semiconductores potentiae maxime adhibitae sunt in USU copiae unitatis in centris notitiis.
In summa, cum novas amni applicationes et continuas eruptiones in gallium nitride praeparationis technologiae substratae, machinae GaN exspectantur ut in volumine crescant et fient una e technologiae clavium pro reductione et efficacia et sustentabili viridi evolutione gratuita.
Post tempus: Iul-27-2023