Nuntii Industriae
-
Sectio laserica technologia vulgaris ad secandum carburum silicii octo unciarum in futuro fiet. Collectio Quaestionum et Responsionum.
Q: Quae sunt praecipuae technologiae in sectione et tractatione crustularum SiC adhibitae? R: Carburum silicii (SiC) duritiam secundam tantum adamantibus habet et materia valde dura et fragilis habetur. Processus sectionis, qui crystallos cretos in crustulas tenues secare implicat, tempus multum consumit et pronus est...Plura lege -
Status et inclinationes hodiernae technologiae processus crustularum SiC
Ut materia substrati semiconductoris tertiae generationis, crystallus singularis carburi silicii (SiC) latas applicationis perspectivas in fabricatione instrumentorum electronicorum altae frequentiae et altae potentiae habet. Technologia processus SiC partes decisivas agit in productione substrati altae qualitatis...Plura lege -
Stella oriens semiconductoris tertiae generationis: Gallii nitridum plura nova incrementa in futuro ostendit.
Comparatae cum machinis carburi silicii, machinae potentiae gallii nitridi plura commoda habebunt in condicionibus ubi efficientia, frequentia, volumen et aliae rationes comprehensivae simul requiruntur, ut puta machinae gallii nitridi fundatae feliciter adhibitae sunt...Plura lege -
Incrementum industriae domesticae GaN acceleratum est.
Usus instrumentorum potentiae Gallii nitridi (GaN) vehementer crescit, ductu venditorum Sinensium electronicorum, et mercatus instrumentorum potentiae GaN ad duo miliarda dollariorum anno 2027 pervenire expectatur, auctus a 126 milionibus dollariorum anno 2021. Nunc, sector electronicorum est impulsor principalis Gallii nitridi...Plura lege