Die 26, Power Cubus Semi prosperum progressionem Coreae Meridianae primum 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET (Silicon) semiconductorem nuntiavit.
Comparari cum existentibus Si (Silicon) semiconductoribus fundatis, SiC (Silicon Carbide) altiores intentiones sustinere possunt, hinc appellati ut machinae proximae generationis futurae potentiae semiconductores ducentes.Magna pars requiritur ad technologias incisuras inducendas, sicut multiplicatio vehiculorum electricorum et dilatatio centri notitiarum ab intellegentia artificiali agitata.
Potestas Cubi Semi fabulosa est societas quae potentiam semiconductoris machinas in tribus generibus principalibus evolvit: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon), et Ga2O3 (Gallium Oxide).Nuper societas altae capacitatis Schottky Obex Diodes (SBDs) ad societatem vehiculi electrici globalis in Sinis applicata et vendita est, agnitionem sui consilii et technologiae semiconductoris nanciscendam.
Emissio 2300V SiC MOSFET notabilis est quam primus casus talis evolutionis in Corea Meridiana.Infineon, societas semiconductor globalis potentiae in Germania fundata, etiam deductionem operis sui 2000V mense Martio annuntiavit, sed sine 2300V lineola producti.
Infineon 2000V CoolSiC MOSFET, adhibitis involucris TO-247PLUS-4-HCC, postulatio auctae potentiae densitatis inter designatores occurrit, ratio certandi firmitatis etiam sub gravi intentione et commutatione frequentiae condiciones.
CoolSiC MOSFET altiorem directam intentionem nexum praebet, potestatem auget sine currenti augendo.Prima est fabrica carbidi Pii discreta in foro cum naufragii intentione 2000V, adhibitis involucris TO-247PLUS-4-HCC cum reptili distantiae 14mm et alvi 5.4mm.Hae machinis mutandi damna humiliores plumae aptae sunt applicationibus ut inverters chordarum solaris, systemata energia reposita, et electricum vehiculum increpans.
CoolSiC MOSFET 2000V series productorum apta ad altae intentionis DC bus systematis usque ad 1500V DC est.Comparata cum 1700V SiC MOSFET, haec fabrica sufficientem marginem ad 1500V DC systemata praebet.CoolSiC MOSFET 4.5V limen intentione praebet et venit corpore robusto diodes instructus propter duram commutationem.Cum .XT connexione technologiae, haec componentia optimam perficiendi thermas et validam humiditatem resistentiae praebent.
Praeter 2000V CoolSiC MOSFET, Infineon mox coolSiC diodes complementarias in TO-247PLUS 4-clavum et in TO-247-2 fasciculos in tertia parte 2024 et in ultima 2024 quarta parte collocabit.Hae diodes aptissima sunt ad applicationes solares.Compositus porta ultrices accumsan productum etiam in promptu sunt.
CoolSiC MOSFET 2000V producti series nunc in foro praesto est.Praeterea Infineon praebet tabulas aestimationes idoneas: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Tincidunt hac tabula uti testium generale testium ut omnia CoolSiC MOSFETs et diodes 2000V aestimare possint, necnon EiceDRIVER compactum unius canali solitarii portae agitatoris 1ED31xx producti seriem per pulsum duplicem vel continuam PWM operationem.
Gung Shin-soo, Praefectus Technologiae Praefectus Potentiae Cubi Semi, dixit "Posuimus extendere experientiam nostram in evolutione et molis productionis 1700V SiC MOSFETs ad 2300V.
Post tempus: Apr-08-2024