Superioribus annis, cum applicationum amni penetratione continua ut nova vehiculi energiae, generationis potentiae photovoltaicae, energiae repositae, SiC, ut nova materia semiconductor, in his campis partes magni momenti agit.Secundum Yole Intelligentiae Potentiae SiC Market Relatione dimissa anno 2023, praedicitur ab MMXXVIII, mercatus globalis magnitudinis machinarum potentiarum SiC fere $9 miliardis perventuros esse, incrementum repraesentans circiter 31% ad 2022. Suprema magnitudo mercatus SiC semiconductors ostendit stabilis expansion trend.
Inter numerosas applicationes fori, novae vehiculis energiae cum 70% fori participes dominantur.In statu Sinae factus est maxima mundi effectrix, consumptor et exportator novarum vehicularum industriarum.Secundum "Nikkei Asiae Review" anno 2023, novis vehiculis energiae acti, Sinarum exportationes autocineti Iaponiam primum superaverunt, Sinas maximas mundi exportatores autocineti faciendos.
Adversus mercatum sonantium postulatio, SiC industria Sinarum in evolutione critica occasionem infert.
Cum emissio "XII-X VY ANNORUM Plan" pro Scientia Nationali et Technologia Innovatio a Concilio Publico mense Iulio 2016, progressio semiconductor tertiae generationis astularum altam attentionem a regimine accepit et responsiones positivas et ampla subsidia accepit. varias regiones.Ab Augusto 2021, Ministerium Industry et Technologiae Informationis (MIIT) amplius tertia-generatio semiconductores comprehendit in "Quartodecimo Quinque-Anno Plan" pro scientia et technica innovatione industriae progressu, ulterius momentum injiciendo in augmentum mercatus domesticus SiC.
Tum mercatus exigendi et agendi acti, incepta industria domestica SiC celeriter sicut fungorum post pluviam emergunt, condicionem divulgationis evolutionis exhibens.Secundum statisticam incompletam, sicut nunc, constructiones SiC-related operas in 17 saltem urbibus explicatae sunt.Inter eos, Jiangsu, Shanghai, Shandong, Zhejiang, Guangdong, Hunan, Fujian, et aliae regiones cantae magni momenti factae sunt ad industriam SiC progressionem.Praesertim, cum novum propositum ReTopTech in productionem redactum sit, totam semiconductoris industriae tertiam generationem domesticam confirmabit, praesertim in Guangdong.
Proxima layout pro ReTopTech substratum est 8-inch SiC.Etsi 6 inch SiC subiectae nunc mercatum dominantur, industriae evolutionis inclinatio sensim ad 8-inch subiectas ob considerationes minuendas sumptus tendit.Iuxta praedictiones GTAT, sumptus 8-uncorum subiectorum expectatur minui per 20% ad 35% ad 6-unc subiectorum comparati.In statu, noti SiC artifices ut Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun, et Xilinx Integration, tam domesticae quam internationales, sensim transire in 8-unc subiectae inceperunt.
Hoc in contextu, ReTopTech consilia ad magnam-amplitudinem Crystal Incrementum et Epitaxy Technologiae Investigationis et Progressionis Centrum in futurum constituere.Societas collaborabit cum localibus clavibus laboratorios ad cooperationem instrumenti et instrumenti communicationis et materialis inquisitionis exercebit.Accedit ReTopTech consilia ad innovationem cooperationem crystalli processus technologiae confirmandam cum artifices maioris instrumenti et in novatione communi cum amni conatibus in investigatione et progressu machinarum et modulorum automotivarum exercent.Haec consilia augere conantur investigationem Sinarum et evolutionem et industrialem technologiam fabricandi in campo suggestorum 8 pollicum subiectorum.
Semiconductor tertia-generatio, cum SiC ut primario suo repraesentativo, universaliter agnoscitur ut unus ex subfields in tota semiconductoris industria.China integram catenam industrialem habet in semiconductoribus generationis tertiae, instrumento, materia, fabricatione et applicatione, cum potentia ad aemulationem globalem constituendam.
Post tempus: Apr-08-2024