12 inch Dia300x1.0mmt Sapphirum Wafer Substratum C-Planum SSP/DSP

Brevis descriptio:

Cum progressionem scientiarum et technologiarum, nova requisita pro magnitudine et qualitate materiae vitreae sapphiri propositae sunt. Nunc, cum celeri progressione semiconductoris illustrandi et aliis applicationibus emergentibus, mercatum pro parvo pretio, alta qualitate, magna magnitudine crystalli sapphiri dramaticam dilatatur.


Product Detail

Product Tags

12inch Sapphirus Substratum Market Situ

Nunc sapphirus duos principales usus habet, unus est materia subiecta, quae maxime materiam subiectam ducitur, altera est horologium speculatorium, aviation, aerospace, specialis fabricandi materia fenestra.

Etsi carbida pii, silicon et gallium nitrida praesto sunt etiam ut subiectae inductionibus praeter sapphirum, effectio massarum tamen non potest ob impensas et nonnullas technicas lagunculas technicas. Sapphirus subiecta est per progressionem technicam hisce annis, eius cancellos adaptiones, conductivity electricae, proprietates mechanicas, conductivity scelerisque aliasque proprietates valde auctae et promotae sunt, utilitas sumptus efficax significantia est, sic sapphirus factus est materia subiecta perfectissima et stabilissima. in industria ducatur, late in foro adhibitus est, in foro communico usque ad 90%.

Proprium XII Inch Sapphiri laganum Substratum

1. Sapphirus superficies subiectae summam summam humilem habent, cum pauciores quam 50 particulae 0,3 microns vel majores per 2 pollices in 2 ad 8 digiti magnitudine, et metalla majora (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni , Cu, Zn) infra 2E10/cm2. Materia basis 12 pollicis etiam expectatur ad hunc gradum assequendum.
2. Potest adhiberi ut laganum laganum pro semiconductore semiconductoris 12 inch (cursares in fabrica onerariis) et sicut substratum ad compagem.
3. Potestas moderari figuram superficiei concavae et convexae.
Materia: Al2O3 cristallum puritatis Celsi unius, sapphiri laganum.
DUXERIT qualitatem, nullae bullae, rimas, geminos, genus, nullus color..etc.

12 inch Sapphirus Wafers

propensio C-planum <0001> +/- 1 grad.
Diameter 300.0 +/-0.25 mm
Crassitudo 1.0 +/-25um
SCARIFICATIO SCARIFICATIO vel Flat
TTV <50um
ARCUS <50um
Marginibus Protative chamfer
Anterius - expolitum 80/50 
Laser mark Nullus
Packaging Uno laganum carrier arca
Anterius Epi paratus politus (Ra <0,3nm) 
Epi latus posticum politum paratum (Ra <0,3nm) 

Detailed Diagram

12 inch Sapphirus Wafer C-Plane SSP
12 inch Sapphirus Wafer C-Plane SSP1

  • Previous:
  • Next:

  • Epistulam tuam hic scribe et mitte nobis