Substratum Lamellae Sapphirinae 12 pollicum Dia 300x1.0mmt Planum C SSP/DSP
Status Mercatus Substrati Sapphiri 12unciarum
In praesenti, sapphirus duos usus praecipuos habet: unus est materia substrati, quae praecipue materia substrati LED est; alter est materia in quadrante horologii, industria aeronautica, industria aëronautica, et materia fenestrarum specialium fabricationis.
Quamquam praeter sapphirum, carburum silicii, silicium, et gallii nitridum etiam ut substrata pro lampis LED praesto sunt, productio tamen magna adhuc fieri non potest propter sumptum et quasdam difficultates technicas nondum solutas. Substratum sapphiri, per progressionem technicam annis proximis, eius adaptatio clathri, conductivitas electrica, proprietates mechanicae, conductivitas thermalis, et aliae proprietates magnopere emendatae et promotae sunt, cum commodum sumptuum efficaciae significans sit. Itaque sapphirus factus est materia substrati maturissima et stabilissima in industria LED, late in foro adhibita, cum portio mercatus ad 90% pervenerit.
Characteristica Substrati Lamellae Sapphirinae Duodecim Pollicum
1. Superficies substrati sapphirini numerum particularum perpaucum habent, cum minus quam 50 particulis 0.3 micron vel maioribus per 2 uncias in magnitudine 2 ad 8 unciarum, et metallis maioribus (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) infra 2E10/cm2. Materia fundamentalis 12 unciarum etiam hunc gradum consequi exspectatur.
2. Adhiberi potest ut crustulum vectorium pro processu fabricationis semiconductorum duodecim unciarum (pallettae translationis intra machinam) et ut substratum ad nexum.
3. Formam superficiei concavae et convexae moderari potest.
Materia: Crystallum singulare altae puritatis Al2O3, lamella sapphirina.
Qualitas LED, nullae bullae, rimae, gemini, stirps, nullus color... et cetera.
Crustulae Sapphirinae XII pollicum
Orientatio | Planum C <0001> +/- 1 gradus. |
Diameter | 300.0 +/-0.25 mm |
Crassitudo | 1.0 +/-25um |
Incisura | Incisura vel Plana |
TTV | <50um |
ARCUUS | <50um |
Margines | Chamfer proactivus |
Pars anterior – polita 80/50 | |
Signum lasericum | Nullus |
Involucrum | Arca portatoria singularis crustulorum |
Pars anterior Epi-parata polita (Ra <0,3nm) | |
Pars posterior Epi-parata polita (Ra <0,3nm) |
Diagramma Detaliatum

