4 inch Sapphirus Wafer C-Plane SSP/DSP 0.43mm 0.65mm
Applications
Substratum augmentum pro III-V et II-VI compositis.
Electronics et optoelectronics.
IR applicationes.
● Silicon Sapphire Integrated Circuit(SOS).
● Radio Frequency Integrated Circuit(RFIC).
In productione LED, lagana sapphiri subiecta sunt pro incremento crystallorum gallii nitridei (GaN) quae lucem emittunt cum vena electrica applicatur.Sapphirus est materia idealis subiecta incrementi GaN, quia similem structuram cristalli et scelerisque expansionem coefficiens GaN habet, quae defectus extenuat et qualitatem cristalli meliorem.
In opticis, lagana sapphiri pro fenestris et lentis adhibentur in ambitus altae pressurae et temperaturae, tum in systematis imaginis ultrarubri, propter altitudinem perspicui et duritiem.
Specification
Item | 4-inch C-planum (0001) 650μm Sapphirus lagana | |
Crystal Materials | 99,999%, Alta Munditia, Monocrystallina Al2O3 | |
Gradus | Primus, Epi-Paratus | |
Superficiem propensionis | C-planum(0001) | |
C-planum-off angulum versus M-axem 0.2 +/- 0.1° | ||
Diameter | 100,0 mm +/- 0.1 mm | |
Crassitudo | 650 μm +/- 25 μm | |
Prima plana propensionis | A-planum (11-20) +/- 0.2° | |
Prima Flat Longitudo | 30.0 mm +/- 1.0 mm | |
Una Parte politum | Ante Superficiem | Epi-politus, Ra < 0.2 um (per AFM) |
(SSP) | Retro Superficiem | Pulchra terra, Ra = 0.8 µm ad 1.2 µm |
Duplex latus politum | Ante Superficiem | Epi-politus, Ra < 0.2 um (per AFM) |
(DSP) | Retro Superficiem | Epi-politus, Ra < 0.2 um (per AFM) |
TTV | < 20 μm | |
ARCUS | < 20 μm | |
STAMEN | < 20 μm | |
Purgatio / Packaging | Classis 100 purgatio purgatio et fasciculus vacuum; | |
XXV frusta in uno cassette packaging vel una pecia packaging. |
Stipare & Shipping
Generaliter sarcinam per 25pcs cistae cassetae praebemus;nos etiam per unum laganum continens sub 100 gradu cubiculi purgati secundum exigentiam huius possumus.