50.8mm/100mm AlN Formula on NPSS/FSS AlN template on sapphiri

Description:

AlN-On-Sapphirus refertur ad complexionem materiae in quibus aluminium nitridum membranae sapphirae subiectae creverunt.In hac structura, quale aluminium nitride cinematographicum altum augeri potest a depositione chemicis vaporis (CVD) vel depositione vaporum chemicorum organometricorum (MOCVD), quod aluminium nitridum cinematographicum et sapphirum bonum compositum facit.Commoda huius structurae sunt quod aluminium nitrida altam habet conductionem scelerisque, altam stabilitatem chemicam et proprietates opticas optimas, cum sapphirus subiecta egregias proprietates mechanicas et thermas et diaphanum habet.

Mitte ad nos inscriptio

Product Detail

Product Tags

AlN-On-Sapphirus

AlN-On-Sapphirus varias machinas photoelectricas facere potest, ut:
1. DUXERIT chips: astulas LED solent fieri ex aluminis nitridis pelliculis et aliis materiis.Ducum efficientia et stabilitas emendari potest utendo lagana AlN-On-Sapphiri sicut subiecta astularum DUXERIT.
2. Lasers: lagana AlN-On-Sapphirae adhiberi possunt etiam pro substrata lasers, quae communiter in medicis, communicationibus et in processibus materiae adhibentur.
3. Cellae solares: OPIFICIUM cellularum solaris materiae usum requirit sicut nitri aluminii.AlN-On-Sapphirus ut subiectae efficientiam et vitam cellularum solarium emendare potest.
4. Aliae machinae optoelectronicae: AlN-On-Sapphirus lagana adhiberi possunt etiam ad machinas photodetectoras, machinas optoelectronicas, aliaque adinventiones optoelectronicas fabricare.

In conclusione, lagana AlN-On-Sapphirae late in campo opto-electricali usi sunt propter altas conductivitates scelerisque, altae stabilitatis chemicae, humilis iactura et proprietates opticae optimae.

50.8mm/100mm AlN Formulae in NPSS/FSS

Item	Dicta
Descriptio	AlN-on-NPSS template	AlN-on-FSS template
Diameter laganum	50.8mm, 100mm
Substratum	c-planum NPSS	c-planum Sapphiri Planar (FSS)
Substratum Crassitudo	50.8mm, 100mmc-planum Sapphiri Planar (FSS) 100mm : 650 um
Crassitudo AIN epi-layer	3~4 -um (scopum: 3.3um)
Conductivity	Insulating
Superficies	sicut crevit
	RMS<1nm	RMS<2nm
Tergum	contusum
FWHM(002)XRC	< 150 arcsec	< 150 arcsec
FWHM(102)XRC	< 300 arcsec	< 300 arcsec
Ore exclusio	< 2mm	< 3mm
Prima plana propensionis	a-planum+0.1°
Prima plana longitudo	50.8mm: 16+/-1 mm 100mm: 30+/-1 mm
sarcina	Packaged in naviculas buxum vel unum laganum continens