Lamella Sapphirina 156mm 159mm 6 pollices pro vectore C-Plane DSP TTV
Specificatio
Res | Lamellae Sapphirinae sex unciarum C-plani (0001) | |
Materiae Crystallinae | 99,999%, Altae Puritatis, Monocrystallinum Al₂O₃ | |
Gradus | Primus, Epi-Paratus | |
Orientatio Superficiei | Planum C(0001) | |
Planum C aberrans ab axe M 0.2 +/- 0.1° | ||
Diameter | 100.0 mm +/- 0.1 mm | |
Crassitudo | 650 μm +/- 25 μm | |
Orientatio Plana Primaria | Planum C (00-01) +/- 0.2° | |
Latus Unius Politum | Superficies anterior | Epi-politum, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
(SSP) | Superficies posterior | Subtiliter tritum, Ra = 0.8 μm ad 1.2 μm |
Utrinque Politum | Superficies anterior | Epi-politum, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
(DSP) | Superficies posterior | Epi-politum, Ra < 0.2 nm (per AFM) |
TTV | < 20 μm | |
ARCUUS | < 20 μm | |
STAPTUM | < 20 μm | |
Purgatio / Involucrum | Purgatio cubiculi puri classis 100 et involucrum vacuum, | |
Viginti quinque partes in uno involucro cassettae vel involucro partis singularis. |
Methodus Kylopoulos (methodus KY) nunc a multis societatibus in Sinis adhibetur ad crystallos sapphirinos producendos, qui in industriis electronicis et opticis adhibentur.
In hoc processu, oxidum aluminii magnae puritatis in crucibulo liquefacitur temperaturis supra 2100 gradus Celsii. Solet crucibulum ex tungsteno vel molybdeno fabricari. Crystallum seminale, accurate orientatum, in alumina liquefacta immergitur. Crystallum seminale lente sursum trahitur et simul rotari potest. Accurate moderando inclinationem temperaturae, celeritatem tractionis et celeritatem refrigerationis, magnum lingotum monocrystallinum, fere cylindricum, ex liquefacto produci potest.
Postquam massae sapphirinae monocrystallinae creverunt, in virgas cylindricas perforantur, quae deinde ad crassitudinem fenestrae desideratam secantur et denique ad aspectum superficiale optatum poliuntur.
Diagramma Detaliatum


