156mm 159mm 6 inch Sapphirus Wafer pro carrierC-Plane DSP TTV
Specification
Item | 6-inch C-planum (0001) Sapphirus lagana | |
Crystal Materials | 99,999%, Alta Munditia, Monocrystalline Al2O3 | |
Gradus | Primus, Epi-Paratus | |
Superficiem propensionis | C-planum(0001) | |
C-planum-off angulum versus M-axem 0.2 +/- 0.1° | ||
Diameter | 100,0 mm +/- 0.1 mm | |
Crassitudo | 650 μm +/- 25 μm | |
Prima Flat propensionis | C-planum(00-01) +/- 0.2° | |
Una Pars politum | Ante Superficiem | Epi-politus, Ra < 0.2 um (per AFM) |
(SSP) | Retro Superficiem | Humus subtilis, Ra = 0.8 µm ad 1.2 µm |
Duplex latus politum | Ante Superficiem | Epi-politus, Ra < 0.2 um (per AFM) |
(DSP) | Retro Superficiem | Epi-politus, Ra < 0.2 um (per AFM) |
TTV | < 20 μm | |
ARCUS | < 20 μm | |
STAMEN | < 20 μm | |
Purgatio / Packaging | Classis 100 purgatio purgatio et fasciculus vacuum; | |
XXV frusta in uno cassette packaging vel una pecia packaging. |
Methodus Kylopoulos (KY methodus) nunc a multis societatibus in Sinis adhibita est ut crystallis sapphiri usus in electronicis et perspectivis industriis usus sit.
In hoc processu, summus puritatis aluminium oxydatum liquescit in uasculo temperaturis supra 2100 gradus Celsius. Fere uas ex tungsteno vel molybdeno conficitur. Semen crystallum praecise ordinatum in liquefacto alumine immergitur. Crystallus semen lente sursum trahitur et simul rotatur. Per continentem clivum temperatum, rate trahens et refrigerantem ratem, magnum, unicum crystallum, fere cylindricum, ex liquefactione produci potest.
Postquam singulae crystalli sapphiri accessiones creverunt, terebratae sunt in cylindricae virgas, quae deinde ad fenestram desideratam crassitiem secantur et tandem poliuntur ad superficiem desideratam perficiendam.