Duae unciae, crassitudo 50.8mm, 0.1mm, 0.2mm, 0.43mm, lamella sapphirina, planum C, planum M, planum R, planum A.

Crystallus sapphirinus late adhibetur in semiconductoribus (substratum epitaxiae nitridi gallii MOCVD), horologiis, medicina, communicationibus, laseribus, infrarubris, electronicis, instrumentis mensurae, rebus militaribus et aëronauticis, multisque aliis campis technologiae recentissimae. Societas nostra laminas sapphirinas altae praecisionis crassitudine ≧0.1mm et dimensione externa ≧Φ1" per longum tempus producit. Praeter magnitudines consuetas Φ2", Φ3", Φ4", Φ6", Φ8", Φ12", aliae magnitudines adaptari possunt; quaeso, cum venditoribus nostris contactum fac.

Dimensiones: 2 unciae, 3 unciae, 4 unciae, 6 unciae, 8 unciae, 12 unciae

Crassitudo: 100um, 280um, 300um, 350um, 430um, 500um, 650um, 1mm vel alia

Orientatio: Axis C, Axis M, Axis R, Axis C, A male secta vel alia.

Superficies: SSP, DSP, Trituratio

Descriptio: Sapphirus est crystallus singularis aluminae, quae est secunda materia difficillima in natura, secunda tantum post adamantem. Sapphirus bonam transmissionem lucis, magnam firmitatem, resistentiam collisionum, resistentiam attritionis, resistentiam corrosionis et resistentiam contra temperaturas et pressiones altas, biocompatibilitatem, et in varias formas rerum transformari potest. Materia substrati idealis est ad fabricanda instrumenta optoelectronica semiconducta.

Usus: Crystallum sapphirinum simplex est materia multifunctionalis excellens. Late adhiberi potest in multis campis, ut in industria, defensione, et investigatione scientifica (velut in fenestra infrarubra resistenti altae temperaturae). Simul, etiam est materia substrati crystallini singularis late adhibita. Substratum praefertur hodie pro industria diodorum emittentium lucis caeruleae, purpureae, et albae (LED) et laserum caeruleorum (LD) (necesse est epitaxiam strati gallii nitridi in substrato sapphirino), et etiam est substratum tenue superconducens magni momenti. Praeter productionem seriei Y, seriei La, et aliarum pellicularum superconduccentium altae temperaturae, etiam adhiberi potest ad novas pelliculas superconducentes practicas MgB2 (magnesii diboridi) producendas.