2 inch 50.8mm Crassitudo 0.1mm 0.2mm 0.43mm Sapphirus Wafer C-planum M-planum R-planum A-planum

Crystallus sapphirus late in semiconductore (MOCVD gallium nitride epitaxy subiecta), vigiliae, medicinae, communicationes, laser, infrarubrum, electronicis, instrumentis metiendis, militaribus et aerospace, multisque aliis incisionibus agri summus tech. Societas nostra altam praecisionem facit laganum sapphirum cum crassitudine 0.1mm et dimensionis externae ≧Φ1" diu. Praeter conventionalem Φ2", Φ3", Φ4", Φ6", Φ8", Φ12", aliae magnitudinis esse possunt. nativus, quaeso, virgam nostram venditionum tange.

Dimensio: 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch, 12inch

Crassitudo: 100um, 280um, 300um, 350um, 430um, 500um, 650um, 1mm vel aliorum

Orientatio: C-Axis, M-Axis, R-Axis, A-Axis C miscut A vel alii

Superficies: SSP, DSP, Molendum

Descriptio: Sapphirus unicum est cristallum alumine, quod alterum durissimum est in natura, alterum solum adamas. Sapphirus bonam lucem habet transmissio, magna vis, resistentia collisio, resistentia gerunt, resistentia corrosio et resistentia ad caliditatem et pressionem, biocompatibilitas in varias rerum formas fieri potest. Praecipua materia subiecta est ad machinas optoelectronic semiconductores faciendas.

Applicatio: Sapphirus una crystallus est egregius multi-functionalis materia. In multis campis late adhiberi potest ut industria, defensione et investigationibus scientificis (qualia caliditas ultrarubrum fenestra resistens). Eodem tempore etiam una materia cristalli subiecta late adhibetur. Praelatum est subiectum pro currenti caeruleo, purpureo, candido lucem emittens diodam (LED) et laser (LD) industriam (opus epitaxy gallium nitridum stratum cinematographicum in sapphiro subiecto), et etiam magni momenti superconducto tenuis pelliculae subiecta est. Praeter productionem seriei Y-La- seriei et aliae cinematographicae summus temperaturae superducendae, adhiberi potest etiam ad novam MgB2 practicam (magnesium diboride) superducens membranas crescere.