4 inch Sapphirus Wafer C-Plane SSP/DSP 0.43mm 0.65mm
Applications
Substratum augmentum pro III-V et II-VI compositis.
Electronics et optoelectronics.
IR applicationes.
● Silicon Sapphire Integrated Circuit(SOS).
● Radio Frequency Integrated Circuit(RFIC).
In productione LED, lagana sapphiri subiecta sunt pro incremento crystallorum gallii nitridei (GaN) crystallorum, quae lucem emittunt cum vena electrica applicata est. Sapphirus est materia idealis subiecta incrementi GaN, quia similem structuram cristalli et scelerisque expansionem coefficiens GaN habet, quae defectus extenuat et qualitatem cristalli meliorem.
In opticis, lagana sapphiri adhibentur ut fenestrae et lenticulae in ambitibus altae pressuris et caliditatis, tum in systematis imaginis ultrarubri, propter altitudinem perspicui et duritiem.
Specification
Item | 4-inch C-planum (0001) 650μm Sapphirus lagana | |
Crystal Materials | 99,999%, Alta Munditia, Monocrystalline Al2O3 | |
Gradus | Primus, Epi-Paratus | |
Superficiem propensionis | C-planum(0001) | |
C-planum-off angulum versus M-axem 0.2 +/- 0.1° | ||
Diameter | 100,0 mm +/- 0.1 mm | |
Crassitudo | 650 μm +/- 25 μm | |
Prima Flat propensionis | A-planum (11-20) +/- 0.2° | |
Prima Flat Longitudo | 30.0 mm +/- 1.0 mm | |
Una Pars politum | Ante Superficiem | Epi-politus, Ra < 0.2 um (per AFM) |
(SSP) | Retro Superficiem | Humus subtilis, Ra = 0.8 µm ad 1.2 µm |
Duplex latus politum | Ante Superficiem | Epi-politus, Ra < 0.2 um (per AFM) |
(DSP) | Retro Superficiem | Epi-politus, Ra < 0.2 um (per AFM) |
TTV | < 20 μm | |
ARCUS | < 20 μm | |
STAMEN | < 20 μm | |
Purgatio / Packaging | Classis 100 purgatio purgatio et fasciculus vacuum; | |
XXV frusta in uno cassette packaging vel una pecia packaging. |
Stipare & Shipping
Generaliter sarcinam per 25pcs cistae cassetae praebemus; nos etiam ex lagano uno vase sub 100 gradu per 100 gradus purgari cella secundum exigentiam huius postulationem possumus.
Detailed Diagram

