Semen SiC 4H-N Dia205mm e Sinis, monocrystallinum gradus P et D.
Methodus PVT (Physical Vapor Transport) est methodus communis adhibita ad crystalla singularia carburi silicii crescenda. In hoc processu crescentiae PVT, materia crystallina singularis carburi silicii deponitur per evaporationem physicam et translationem in crystallis seminalibus carburi silicii centratis, ita ut nova crystalla singularia carburi silicii secundum structuram crystallorum seminalium crescant.
In methodo PVT, crystallum seminale carburi silicii partes primas agit ut punctum initii et exemplar accretionis, qualitatem et structuram crystalli singularis finalis afficiens. Per processum accretionis PVT, per moderationem parametrorum ut temperaturae, pressionis et compositionis phasis gaseosae, accretio crystallorum singularium carburi silicii effici potest ut materiae crystallinae singulares magnae magnitudinis et altae qualitatis formentur.
Processus accretionis, qui circa crystallos seminales carburi silicii per methodum PVT innititur, magnae momenti est in productione crystallorum singularum carburi silicii, et partes primas agit in obtinendis materiis singularibus crystallinis carburi silicii altae qualitatis et magnae magnitudinis.
Crystallum SiCseminale octo unciarum quod offerimus in foro hodie rarissimum est. Ob difficultatem technicam satis magnam, maxima pars officinarum crystalla seminalia magnae magnitudinis praebere non potest. Attamen, gratia longae et artae necessitudinis cum officina Sinensi carburi silicii, clientibus nostris hanc crustulam seminalem carburi silicii octo unciarum praebere possumus. Si quas necessitates habes, nobiscum libenter communica. Specificationes tibi primum communicare possumus.
Diagramma Detaliatum



