Substratum compositum SiC typi SEMI 4H, sex unciarum, crassitudine 500μm, TTV ≤ 5μm, gradus MOS.

Substratum compositum SiC typi SEMI 4H 6 pollicum, crassitudine 500μm, TTV ≤ 5μm, gradus MOS. Imago principalis.

Descriptio Brevis:

Cum celeriter communicationum 5G et technologiae radaricae progressu, substratum compositum SiC semi-insulans 6 unciarum materia principalis in fabricatione instrumentorum altae frequentiae factum est. Comparatum substratis GaAs traditis, hoc substratum resistivitatem magnam (>10⁸ Ω·cm) servat dum conductivitatem thermalem plus quam quintuplo auget, provocationes dissipationis caloris in instrumentis undarum millimetricarum efficaciter tractans. Amplificatores potentiae intra instrumenta quotidiana, ut telephona gestabilia 5G et terminales communicationis satellitum, probabiliter in hoc substrato constructi sunt. Usi technologia nostra propria "compensationis doping strati tamponis", densitatem microtubulorum ad infra 0.5/cm² redegimus et iacturam microfluctuum infimam 0.05 dB/mm consecuti sumus.

Mitte nobis inscriptionem electronicam

Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Parametri technici

Res	Specificatio	Res	Specificatio
Diameter	150±0.2 mm	Asperitas anterior (Si-face)	Ra≤0.2 nm (5μm × 5μm)
Polytypus	4H	Fragmen marginis, Scalptura, Fissura (inspectio visualis)	Nullus
Resistivitas	≥1E8 Ω·cm	TTV	≤5 μm
Crassitudo strati transferendi	≥0.4 μm	Stamina	≤35 μm
Vacuum (2mm > D > 0.5mm)	≤5 singula/Oblea	Crassitudo	500±25 μm

Proprietates Claves

1. Eximium Sonitus Frequentiae Altae
Substratum compositum SiC semi-insulans, sex unciarum latum, designum stratorum dielectricorum graduatorum adhibet, variationem constantem dielectricam <2% in fascia Ka (26.5-40 GHz) praestans et constantiam phasis 40% augens. Efficacia 15% aucta et consumptio energiae 20% minor in modulis T/R hoc substrato utentibus.

2. Gubernatio Thermalis Perruptiva
Structura composita singularis "pontis thermalis" conductivitatem thermalem lateralem 400 W/m·K efficit. In modulis stationum basicarum 5G 28 GHz PA, temperatura iuncturae post 24 horas operationis continuae tantum 28°C augetur — 50°C inferius quam solutiones consuetae.

3. Qualitas Superior Oblatae
Per methodum Transportationis Physicae Vaporis (PVT) optimizatam, densitatem dislocationum <500/cm² et Variationem Crassitudinis Totalis (TTV) <3 μm consequimur.
4. Processus Fabricationi Amicabilis
Processus noster recoctionis lasericae, specialiter pro substrato composito SiC semi-isolante sex unciarum elaboratus, densitatem status superficialis duobus magnitudinum ordinibus ante epitaxiam minuit.

Applicationes Principales

1. Partes Centrales Stationis Base 5G
In ordinibus antennarum MIMO massivi, instrumenta GaN HEMT in substratis compositis SiC semi-insulantibus sex unciarum potentiam 200W et efficientiam >65% assequuntur. Experimenta in agro ad 3.5 GHz augmentum 30% in radiis opertionis demonstraverunt.

2. Systema Communicationis Satellitum
Satellitum transceptorum orbitae terrestris humilis (LEO) hoc substrato utens EIRP 8 dB altiorem in banda Q (40 GHz) exhibent, pondus 40% minuentes. Terminalia SpaceX Starlink id ad productionem magnam receperunt.

3. Systema Radar Militaria
Moduli radar phased-array T/R in hoc substrato latitudinem transmissionis 6-18 GHz et figuram strepitus tam humilem quam 1.2 dB assequuntur, spatium detectionis 50 km in systematibus radar praemonitionis amplificantes.

4. Radar Automotivum Undarum Millimetricarum
Microprocessores radar autocinetici 79 GHz hoc substrato utentes resolutionem angularem ad 0.5° augent, requisitis incessus autonomici L4 satisfacientes.

Solutionem amplam et personalizatam pro substratis compositis SiC semi-insulantibus sex unciarum offerimus. Quod ad parametros materiales aptandos attinet, accuratam resistentiae regulationem intra limites 10⁶-10¹⁰ Ω·cm sustinemus. Praesertim ad usus militares, optionem resistentiae ultra-altissimae >10⁹ Ω·cm offerre possumus. Tres crassitudinis specificationes, 200μm, 350μm et 500μm simul, offert, tolerantia intra ±10μm stricte regulata, variis requisitis ab instrumentis altae frequentiae ad usus altae potentiae satisfaciens.

Quod ad processus curationis superficierum attinet, duas solutiones professionales offerimus: Politura Chemica Mechanica (PCM) planitatem superficiei ad gradum atomicum cum Ra<0.15nm consequi potest, requisitis accretionis epitaxialis maximis occurrens; technologia curationis superficiei epitaxialis paratae ad postulata productionis rapidae superficies ultra-laevas cum Sq<0.3nm et crassitudine oxidi residui <1nm praebere potest, processum praecurationis apud clientem insigniter simplificans.

XKH solutiones comprehensivas et ad singulorum necessitates aptatas pro substratis compositis SiC semi-insulantibus sex unciarum praebet.

1. Adaptatio Parametrorum Materialium
Rectam resistentiae adaptationem intra ambitum 10⁶-10¹⁰ Ω·cm offerimus, cum optionibus specialibus resistentiae altissimae >10⁹ Ω·cm ad usus militares/aerospatiales praesto.

2. Crassitudinis Specificationes
Tres optiones crassitudinis normatae:

· 200μm (ad instrumenta altae frequentiae optimizatum)

· 350μm (specificatio ordinaria)

· 500μm (ad usus magnae potentiae destinatum)
· Omnes variationes tolerantias crassitudinis strictas ±10μm servant.

3. Technologiae Tractationis Superficialis

Politura Chemica Mechanica (PCM): Planitiem superficiei ad gradum atomicum cum Ra<0.15nm assequitur, requisitis strictis accretionis epitaxialis pro instrumentis RF et potentiae satisfaciens.

4. Processus Superficialis Epi-Ready

Superficies ultra-laevigatas cum asperitate Sq<0.3nm praebet

Crassitudinem oxidi nativi ad <1nm moderatur

· Usque ad tres gradus praeparationis in aedificiis clientium eliminat.