Crassitudo Substrati Compositi LN-in-Si 6-8 pollicum, Si/SiC/Sapphirum, 0.3-50 μm.

Crassitudo Substrati Compositi LN-in-Si, 6-8 pollicum, 0.3-50 μm, Si/SiC/Sapphirum, Imago Praecipua.

Descriptio Brevis:

Substratum compositum LN-on-Si, 6-unciarum ad 8-unciarum, materia est magnae efficacitatis quae pelliculas tenues lithii niobati (LN) monocrystallinas cum substratis silicii (Si) integrat, crassitudinibus a 0.3 μm ad 50 μm variantibus. Ad fabricationem semiconductorum et instrumentorum optoelectronicorum provectam destinatum est. Utiendo technicis provectis nexus vel accretionis epitaxialis, hoc substratum qualitatem crystallinam altam pelliculae tenuis LN praestat, dum magnitudinem magnam crustae (6-unciarum ad 8-unciarum) substrati silicii adhibet ad efficientiam productionis et sumptus-efficientiam augendam.
Comparatum materiis LN consuetis in massa, substratum compositum LN-on-Si, sex ad octo unciarum latum, praebet congruentiam thermalem et stabilitatem mechanicam superiorem, ita ut aptum sit ad processum magnae scalae in laminis metallicis. Praeterea, materiae basis alternativae, ut SiC vel sapphirus, eligi possunt ad requisita applicationum specificarum implenda, inter quas sunt instrumenta RF altae frequentiae, photonica integrata, et sensoria MEMS.

Mitte nobis inscriptionem electronicam

Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Parametri technici

0.3-50μm LN/LT in Insulatoribus
Stratum superius
Diameter	6-8 pollices
Orientatio	X, Z, Y-42 cetera.
Materiae	LT, LN
Crassitudo	0.3-50μm
Substratum (Ad Personam Adaptatum)
Materia	Si, SiC, Sapphirus, Spinellus, Quartzus

Proprietates Claves

Substratum compositum LN-on-Si, sex ad octo uncias latum, proprietatibus suis singularibus et parametris adaptabilibus distinguitur, ita ut latam applicationem in industriis semiconductorum et optoelectronicis praebeat:

1. Compatibilitas cum Laminis Magnis: Magnitudo laminarum, quae ab sex unciis ad octo uncias includuntur, integrationem perfectam cum lineis fabricationis semiconductorum iam exstantibus (e.g., processibus CMOS) praestat, sumptus productionis minuendo et productionem magnam efficiendo.

2. Alta Qualitas Crystallina: Technicae epitaxiales vel nexus optimizatae densitatem vitiorum humilem in pellicula tenui LN praestant, eam idealem reddentes modulatoribus opticis altae efficaciae, filtris undarum acusticarum superficialium (SAW), et aliis instrumentis praecisionis.

3. Crassitudo Adaptabilis (0.3–50 μm): Strata LN tenuissima (<1 μm) apta sunt ad microplagulas photonicas integratas, dum strata crassiora (10–50 μm) instrumenta RF magnae potentiae vel sensoria piezoelectrica sustinent.

4. Optiones Substratorum Plures: Praeter Si, SiC (alta conductivitate thermali) vel sapphirus (alta insulatione) ut materiae basis eligi possunt ad postulata applicationum altae frequentiae, altae temperaturae, vel magnae potentiae implenda.

5. Stabilitas Thermica et Mechanica: Substratum siliconis praebet firmamentum mechanicum robustum, deformationem vel fissuras durante processu minuens et proventum instrumenti augens.

Hae proprietates substratum compositum LN-on-Si, sex ad octo unciarum latum, ut materiam praeferendam pro technologiarum recentissimarum, ut communicationes 5G, LiDAR, et optica quantica, collocant.

Applicationes Principales

Substratum compositum LN-on-Si, sex ad octo uncias latum, in industriis technologiae provectae late adhibetur propter proprietates electro-opticas, piezoelectricas et acusticas excellentes:

1. Communicationes Opticae et Photonica Integrata: Modulatores electro-opticos celeres, ductores undarum, et circuitus integratos photonicos (PICs) efficit, postulationibus latitudinis frequentiae centrorum datorum et retium fibrarum opticarum occurrens.

Instrumenta RF 2.5G/6G: Altus coefficiens piezoelectricus LN id aptum reddit filtris undarum acusticarum superficialium (SAW) et undarum acusticarum aggregatarum (BAW), amplificans processum signorum in stationibus basicis 5G et instrumentis mobilibus.

3. MEMS et Sensoria: Effectus piezoelectricus LN-in-Si accelerometria, biosensoria, et transductores ultrasonicos altae sensibilitatis ad usus medicos et industriales facilitat.

4. Technologiae Quanticae: Ut materia optica non linearis, membranae tenues LN in fontibus lucis quanticae (e.g., paribus photonum implicatis) et laminis quanticis integratis adhibentur.

5. Laseres et Optica Non Linearis: Strata LN tenuissima efficiunt ut generatio harmonicae secundae (SHG) et oscillatio parametrica optica (OPO) efficaces sint ad processum lasericum et analysin spectroscopicam.

Substratum compositum LN-on-Si, sex ad octo uncias latum et normatum, permittit ut haec instrumenta in officinis laminarum magnae scalae fabricentur, sumptus productionis insigniter minuendo.

Customization et Officia

Amplum auxilium technicum et officia customizationis pro substrato composito LN-on-Si a sex unciis ad octo uncias praebemus, ut variis necessitatibus investigationis et progressionis (R&D) et productionis satisfaciamus:

1. Fabricatio Secundum Consuetudinem: Crassitudo pelliculae LN (0.3–50 μm), orientatio crystalli (X-sectio/Y-sectio), et materia substrati (Si/SiC/sapphirus) aptari possunt ad functionem instrumenti optimizandam.

2. Processus ad Gradum Laminarum: Copia magna laminarum 6 et 8 unciarum, inclusis officiis posterioribus ut sectione in cubos, politura, et obductione, ut substrata ad integrationem machinarum parata sint.

3. Consultatio et Probatio Technica: Characteristica Materiarum (e.g., XRD, AFM), probatio functionis electro-opticae, et auxilium simulationis instrumentorum ad validationem designii accelerandam.

Nostra missio est substratum compositum LN-on-Si, sex ad octo uncias latum, ut solutionem materialem centralem pro applicationibus optoelectronicis et semiconductorum constituere, auxilium integrum ab investigatione et evolutione usque ad productionem magnam offerentes.

Conclusio

Substratum compositum LN-on-Si, sex ad octo unciarum latum, propter magnitudinem magnam lamellae, qualitatem materiae praestantiorem, et versatilitatem, progressus in communicationibus opticis, RF 5G, et technologiarum quanticarum impellit. Sive ad fabricationem magni voluminis sive ad solutiones personalizatas, substrata fidilia et officia complementaria praebemus ad innovationem technologicam promovendam.