Substratum recuperationis fictitium lamellae siliconis octo unciarum, typi P/N (100), 1-100Ω
Introductio capsulae crustulorum
Lamella silicii octo unciarum est materia substrati silicii vulgo adhibita et late in processu fabricationis circuitum integratorum adhibetur. Tales lamellae silicii vulgo adhibentur ad varia genera circuitum integratorum fabricanda, inter quae microprocessores, fragmenta memoriae, sensoria et alia instrumenta electronica. Lamellae silicii octo unciarum vulgo adhibentur ad fragmenta relative magnarum magnitudinum fabricanda, cum commodis inter quae area superficialis maior et facultas plures fragmenta in una lamella silicii faciendi, quod ad augendam efficientiam productionis ducit. Lamella silicii octo unciarum etiam bonas proprietates mechanicas et chemicas habet, quae apta est ad productionem circuitum integratorum magnae scalae.
Proprietates producti
Lamella silicii polita, typus P/N 8" (25)
Orientatio: 200
Resistivitas: 0.1 - 40 ohm•cm (Variari potest a grege ad gregem)
Crassitudo: 725 +/- 20 µm
Primus/Monitor/Gradus Probationis
PROPRIETATES MATERIAE
Parametrum | Characteristica |
Typus/Dopans | P, Borum N, Phosphorus N, Antimonium N, Arsenicum |
Orientationes | <100>, <111> directiones sectionis secundum specificationes emptoris |
Contentum Oxygenii | 10XIXTolerantiae ppmA secundum specificationem emptoris |
Contentum Carbonis | < 0.6 ppmA |
PROPRIETATES MECHANICAE
Parametrum | Primus | Monitor/Experimentum A | Experimentum |
Diameter | 200±0.2mm | 200 ± 0.2mm | 200 ± 0.5 mm |
Crassitudo | 725±20µm (norma) | 725±25µm (norma) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm | 725±50µm (norma) |
TTV | < 5 µm | < 10 µm | < 15 µm |
Arcus | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
Involucrum | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
Rotundatio Marginis | SEMI-STD | ||
Notatio | Primaria SEMI-Plana tantum, SEMI-Plana Standard Plana Jeida Plana, Incisa |
Parametrum | Primus | Monitor/Experimentum A | Experimentum |
Criteria Lateris Anterioris | |||
Status superficiei | Chemica Mechanica Polita | Chemica Mechanica Polita | Chemica Mechanica Polita |
Asperitas Superficiei | < 2° A | < 2° A | < 2° A |
Contaminatio Particulae @ >0.3 µm | = 20 | = 20 | = 30 |
Nebula, Foveae Cortex aurantii | Nullus | Nullus | Nullus |
Serra, Notae Striationes | Nullus | Nullus | Nullus |
Criteria Lateris Posterioris | |||
Rimae, pedes corvi, vestigia serrarum, maculae | Nullus | Nullus | Nullus |
Status superficiei | Caustica incisa |
Diagramma Detaliatum


