insignia xinkehui
  • Domus
  • Societas
    • De Xinkehui
    • Deprime
  • Producta
    • Substratum
      • Sapphirus
      • SiC
      • Silicium
      • LiTaO3_LiNbO3
      • AlN
      • InP
      • GaAs
      • Alia Vitra
      • InSb
    • Producta Optica
      • Quartzum, BF33, et K9
      • Crystallum sapphirinum
      • Tubus et virga sapphirina
      • Fenestrae sapphirinae
    • Stratum Epitaxiale
    • Ceramica producta
    • Ferculum Oblatae
    • Apparatus semiconductorius
    • Gemma sapphirina synthetica
    • Materia crystallina singularis metallica
  • Nuntii
  • Contactus
English
  • Domus
  • Producta
  • Ceramica producta

Categoriae

  • Substratum
    • Sapphirus
    • SiC
    • Silicium
    • LiTaO3_LiNbO3
    • AlN
    • GaAs
    • InP
    • InSb
    • Alia Vitra
  • Producta Optica
    • Quartzum, BF33, et K9
    • Crystallum sapphirinum
    • Tubus et virga sapphirina
    • Fenestrae sapphirinae
  • Stratum Epitaxiale
  • Ceramica producta
  • Ferculum Oblatae
  • Gemma sapphirina synthetica
  • Apparatus semiconductorius
  • Materia crystallina singularis metallica

Producta insignes

  • Lamellae ficticiae conductivae 4H-N SiC, 8 pollicum, 200 mm, gradus investigationis.
    Tubus lamellaris SiC 4H-N 8 pollicum 200 mm...
  • Substratum lamellae sapphirinae, 150mm, 6 pollices, 0.7mm, 0.5mm, planum C, SSP/DSP.
    150mm 6 pollices 0.7mm 0.5mm Sapphirus...
  • Lamella Sapphirina 4 pollicum, Planum C, SSP/DSP, 0.43mm, 0.65mm
    Lamella Sapphira 4 pollicum C-Plane SS...
  • Fenestra sapphirina, lens vitrea sapphirina, materia crystallina singularis Al2O3.
    Fenestra sapphirina Vitrum sapphirinum...
  • Dia 50.8mm Lamella Sapphirina Fenestra Sapphirina Alta Transmittantia Optica DSP/SSP
    Diametrus 50.8mm Sapphiri Lamellae Sapphiri...
  • Formula AlN 50.8mm/100mm in NPSS/FSS. Formula AlN in sapphiro.
    Formula AlN 50.8mm/100mm in NPS...

Ceramica producta

  • Effector Extremus Aluminae Ceramicae / Bracchium Furcae ad Tractationem Crustularum et Substratorum

    Effector Extremus Aluminae Ceramicae / Bracchium Furcae ad Tractationem Crustularum et Substratorum

  • Ferculum Ceramicum SiC pro Portatore Crustulorum cum Resistentia Altae Temperaturae

    Ferculum Ceramicum SiC pro Portatore Crustulorum cum Resistentia Altae Temperaturae

  • Bracchium Furcae Ceramicae SiC / Effector Extremus – Tractatio Praecisa Provecta ad Fabricationem Semiconductorum

    Bracchium Furcae Ceramicae SiC / Effector Extremus – Tractatio Praecisa Provecta ad Fabricationem Semiconductorum

  • Ferculum Ceramicum Carbidi Silicii – Fercula Durabilia et Altae Efficaciae ad Usus Thermicos et Chemicos

    Ferculum Ceramicum Carbidi Silicii – Fercula Durabilia et Altae Efficaciae ad Usus Thermicos et Chemicos

  • Effector Extremus Ceramicus Aluminae Altae Efficaciae (Bracchium Furcae) ad Automationem Semiconductorum et Conclavium Purorum

    Effector Extremus Ceramicus Aluminae Altae Efficaciae (Bracchium Furcae) ad Automationem Semiconductorum et Conclavium Purorum

  • Bracchium/Manus Furcae Ceramicae SiC e Carbido Silicii ad Systema Tractationis Criticae

    Bracchium/Manus Furcae Ceramicae SiC e Carbido Silicii ad Systema Tractationis Criticae

  • Bracchium/Manus Furcae Ceramicae Carbidi Silicii

    Bracchium/Manus Furcae Ceramicae Carbidi Silicii

  • Lamina/ferculum ceramicum SiC pro sustentaculo crustulae 4

    Lamina/ferculum ceramicum SiC pro sustentaculo crustulae 4" 6" pro ICP

  • Bracchium effectoris terminalis ceramici SiC ad portandum crustula

    Bracchium effectoris terminalis ceramici SiC ad portandum crustula

  • Suctor ferculi ceramici carburi silicii Tubi ceramici carburi silicii Copia sinterizationis altae temperaturae processus consuetus Tubi ceramici carburi silicii Copia sinterizationis altae temperaturae Processus ad normam destinatus Tubi ceramici carburi silicii Copia ad altam temperaturam ad sinterizationem

    Suctor ferculi ceramici carburi silicii Tubi ceramici carburi silicii Copia sinterizationis altae temperaturae processus consuetus Tubi ceramici carburi silicii Copia sinterizationis altae temperaturae Processus ad normam destinatus Tubi ceramici carburi silicii Copia ad altam temperaturam ad sinterizationem

  • Tubus ceramicis carburi silicii altae fortitudinis, SIC, variis generibus, resistentia ignis ad usum aptata

    Tubus ceramicis carburi silicii altae fortitudinis, SIC, variis generibus, resistentia ignis ad usum aptata

  • Ferculum mandrinum ceramicum SiC, poculae suctionis ceramicae, machinatio accurata ad mensuram factae.

    Ferculum mandrinum ceramicum SiC, poculae suctionis ceramicae, machinatio accurata ad mensuram factae.

<< < Praecedens123Deinde >>> Pagina 2 / 3

NUNTIIS

  • Quid substratum sapphirinum altae qualitatis ad usus semiconductorum efficit?
    XXIX/XII/MMXXV

    Quid substratum sapphirinum altae qualitatis ad usus semiconductorum efficit?

  • Epitaxia Carburis Silicii: Principia Processus, Imperium Crassitudinis, et Difficultates Vitiorum
    XXIII/XII/MMXXV

    Epitaxia Carburis Silicii: Principia Processus, Imperium Crassitudinis, et Difficultates Vitiorum

  • A Substrato ad Convertorem Potentiae: Munus Maximi Momenti Carburis Silicii in Systematibus Potentiae Provectis
    XVIII/XII/MMXXV

    A Substrato ad Convertorem Potentiae: Munus Maximi Momenti Carburis Silicii in Systematibus Potentiae Provectis

  • Potentia Incrementi Carburis Silicii in Technologiis Emergentibus
    XVI/XII/MMXXV

    Potentia Incrementi Carburis Silicii in Technologiis Emergentibus

  • Obstacula Technica et Innovationes in Industria Carburis Silicii (SiC)
    XII Kalendas Octobres MMXXXV

    Obstacula Technica et Innovationes in Industria Carburis Silicii (SiC)

CONTACTUS

  • Rm1-1805, No.851, Dianshanhu Road; Qingpu Area; Shanghai City, China//201799
  • +86 158 0194 2596
  • +86 187 0175 6522
  • eric@xkh-semitech.com
  • doris@xkh-semitech.com

INQUISITIO

Si de nostris productis vel indice pretiorum quaeris, inscriptionem electronicam tuam nobis relinque et intra horas XXIV tecum communicabimus.

  • Facebook
  • Twitter
  • LinkedIn
  • YouTube
Submit
© Iura omnia reservantur - MMX-MMXXXV. Index situs - AMP Mobile
Sic Wafer, Substratum Sicicum, Tubus Sapphirus, Adaptus, Sex pollices, Lamellae Carbidi Silicii,
Iniuria Online
  • Mitte Epistulam Electronicam
  • x
    • WhatsApp

      +86 15801942596 +86 18701756522

    • qq

      eric@xkh-semitech.com doris@xkh-semitech.com

    • WhatsApp

      +86 15801942596 +86 18701756522

    Preme "Enter" ad quaerendum vel "ESC" ad claudendum
    • English
    • French
    • German
    • Portuguese
    • Spanish
    • Russian
    • Japanese
    • Korean
    • Arabic
    • Irish
    • Greek
    • Turkish
    • Italian
    • Danish
    • Romanian
    • Indonesian
    • Czech
    • Afrikaans
    • Swedish
    • Polish
    • Basque
    • Catalan
    • Esperanto
    • Hindi
    • Lao
    • Albanian
    • Amharic
    • Armenian
    • Azerbaijani
    • Belarusian
    • Bengali
    • Bosnian
    • Bulgarian
    • Cebuano
    • Chichewa
    • Corsican
    • Croatian
    • Dutch
    • Estonian
    • Filipino
    • Finnish
    • Frisian
    • Galician
    • Georgian
    • Gujarati
    • Haitian
    • Hausa
    • Hawaiian
    • Hebrew
    • Hmong
    • Hungarian
    • Icelandic
    • Igbo
    • Javanese
    • Kannada
    • Kazakh
    • Khmer
    • Kurdish
    • Kyrgyz
    • Latin
    • Latvian
    • Lithuanian
    • Luxembou..
    • Macedonian
    • Malagasy
    • Malay
    • Malayalam
    • Maltese
    • Maori
    • Marathi
    • Mongolian
    • Burmese
    • Nepali
    • Norwegian
    • Pashto
    • Persian
    • Punjabi
    • Serbian
    • Sesotho
    • Sinhala
    • Slovak
    • Slovenian
    • Somali
    • Samoan
    • Scots Gaelic
    • Shona
    • Sindhi
    • Sundanese
    • Swahili
    • Tajik
    • Tamil
    • Telugu
    • Thai
    • Ukrainian
    • Urdu
    • Uzbek
    • Vietnamese
    • Welsh
    • Xhosa
    • Yiddish
    • Yoruba
    • Zulu
    • Kinyarwanda
    • Tatar
    • Oriya
    • Turkmen
    • Uyghur