Nativus Sapphirus Leva Pin, High Hardness Al2O3 Single Crystal Partes Optical pro Wafer Transfer – Diameter 1.6mm, 1.8mm, Mos pro Industrial Applications
Abstract
Nostra Customised Sapphira Leva paxillos, facta ex praecipuo qualitate unius crystalli Al2O3 (Sapphire), ad curandum applicationes in laganum systemata translationis machinata sunt. Cum magna duritia (Mohs 9) et praestantia durabilitas, hae fibulae tollunt singularem resistentiam quae scalpit, gerunt, ac damnum scelerisque praebent. Available in diametris 1.6mm et 1.8mm, et cum magnitudinum consuetudinum praesto sunt, hae fibulae aptae sunt usui in applicationibus industrialibus, processus semiconductoris, et alia culturae altae praecisione. Sapphirus qualitas summus efficit ut perspicuitatem opticam et robustam, eamque perficit ad processum tractandum laganum postulandum.
Features
High duritia:Sapphirus cum Mohs duritiem IX, sapphirus extremam vetustatem praebet, fibulae repugnantes exasperat et degradatio superficiei.
Custom Sizes:Available in 1.6mm, 1.8mm, et diametris customizable ut applicationes industriales specificas agant.
Superior Scelerisque resistentia:Princeps punctum liquescens 2040°C efficit ut fibulae etiam in ambitibus calidis bene praestent.
Low gere et dilacerant;Superficies lenis sapphiri friction minuit, minimam lapsum in apparatu procurans, ad vitae systematis spatium perficiendum extendit.
-Perspicuus:Naturalis diaphaneitas sapphirus efficit ut in systematibus opticis et exquisitis ratiociniis adhiberi possit
Applications
Wafer Transfer Systems:Usus est in industria semiconductoris ad lagana delicata tractanda in processu et translatione.
Radar Systems:Summus praecisio fibulae in systematis radaralibus adhibitae ad nexus robustos et durabiles.
Processing semiconductor:Specimen usui in processibus fabricandis semiconductoribus ubi praecisio et durabilitas sunt essentiales.
Industrial Applications:Apta etiam est usus in aliis applicationibus industriae summus faciendis, quae altam duritiem et resistentiam requirunt.
Morbi condimentum
| Feature | Specification |
| Materia | Al2O3 (Sapphire) Single Crystal |
| duritia | Mohs 9 |
| Diameter Options | 1.6mm, 1.8mm, Mos |
| Liquefactio Point | 2040°C |
| Scelerisque Conductivity | 27 W·m^-1·K^-1 |
| Density | 3.97g/cc |
| Applications | Wafer Transfer, Semiconductor Processing, Radar Systems |
| Customization | Available in Custom Sizes |
Q & (Frequenter Interrogata)
Q1: Quid facit sapphirus acus laganum specimen transferendi rationum laganum?
A1: Sapphirus'snimia duritia (Mohs IX)etRepugnantia digitisut paxillos levare lagana delicata sine laesione tractare possint. Accedit eiusprinceps exustio punctumetscelerisque resistentiamsummus temperatus ambitus eam facere apta.
Q2: Sapphirus potestne magnitudinum clavorum levare nativus?
A2: Immo offerimusconsuetudo diametriut1.6mm, 1.8mmet aliae magnitudinum quae ad propriae applicationis necessitates occurrere debebant.
Q3: An sapphirus fibulas levare repugnantes?
A3: Ita sapphirus estmaxime repugnant ad induendum et lacrimameamque aptam ad usum faciens in ambitibus ubi aliae materiae cito degradant.
Detailed Diagram
