Dia300x1.0mmt Crassitudo Sapphiri Wafer C-Plane SSP/DSP
Inducere laganum arca
Crystal Materials | 99,999% of Al2O3, Puritas, Monocrystalline, Al2O3 | |||
Crystal qualitas | Inclusiones, stigmata, gemini, Colore, bullae parvae et centra dispersa non existentia sunt | |||
Diameter | 2inch | 3inch | 4inch | 6inch 12inch |
50.8± 0.1mm | 76.2±0.2mm | 100±0.3mm | Iuxta praescripta productionis vexillum | |
Crassitudo | 430±15µm | 550±15µm | 650±20µm | Lorem potest a customized |
propensio | C- planum (0001) ad M-planum (1-100) vel A-planum (1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3±0.1°, R-planum (1-1 0 2), A-planum. ( 1 1-2 0 ), M-planum (1-1 0 0 ) , Quilibet propensio , quilibet angulus | |||
Prima plana longitudo | 16.0±1mm | 22.0±1.0mm | 32.5±1.5 mm | Iuxta praescripta productionis vexillum |
Prima plana propensionis | A-planum (1 1-2 0) ± 0.2° | |||
TTV | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm |
LTV | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm |
TIR | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm |
ARCUS | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm |
Warp | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm |
Ante Superficiem | Epi-politus (Ra< 0.2nm) |
*Arcus: Deviatio centri puncti superficiei medianae liberae, lagani un- fibulatae e plano referente, ubi planum relativum tribus angulis trianguli aequilateri definitur.
*Stamen: Differentia inter maximam et minimam distantiarum superficiei medianae liberae, lagani un- fibulatae ex plano supra definito referente.
Qualitas producta et servitia pro semiconductori generatione proximae et incrementi epitaxial:
Altitudo planitudinis (refrenat TTV, arcum, stamine etc.)
Summus qualitas purgatio (humilis particula contaminationis, humilis metalli contagione)
Substratum terebratio, striata, incisio, culo expolitio
Affectum notitia ut munditiam et figuram subiecti (libitum)
Si opus est ut sapphiro subiecta, liberum contactus.
maileric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522
Remittemus vobis discendo!