English

Dia300x1.0mmt Crassitudo Lamellae Sapphirinae Planum C SSP/DSP

Dia300x1.0mmt Crassitudo Lamellae Sapphirinae Planum C SSP/DSP Imago Praecipua
  • Dia300x1.0mmt Crassitudo Lamellae Sapphirinae Planum C SSP/DSP
  • Dia300x1.0mmt Crassitudo Lamellae Sapphirinae Planum C SSP/DSP

Descriptio Brevis:

Societas Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. crustula sapphirina variis superficierum orientibus (c, r, a, et m) producere potest, et angulum sectionis ad 0.1 gradus moderari. Technologia nostra propria utentes, qualitatem altam, quae ad usus tales ut incrementum epitaxiale et coniunctionem crustulorum necessaria est, consequi possumus.


Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Introductio capsulae crustulorum

Materiae Crystallinae 99,999% Al₂O₃, Altae Puritatis, Monocrystallinum, Al₂O₃
Qualitas crystalli Inclusiones, notae quadratae, gemini, color, microbullae et centra dispersionis non exstant.
Diameter Duo pollices Tres pollices quattuor unciae 6 pollices ~ 12 pollices
50.8± 0.1mm 76.2±0.2mm 100±0.3mm Secundum provisiones productionis normae
Crassitudo 430±15µm 550±15µm 650±20µm A cliente aptari potest
Orientatio Planum C (0001) ad planum M (1-100) vel planum A (11-20) 0.2±0.1° /0.3±0.1°, planum R (1-102), planum A (11-20), planum M (1-100), quaelibet orientatio, quilibet angulus.
Longitudo plana primaria 16.0±1mm 22.0±1.0mm 32.5±1.5 mm Secundum provisiones productionis normae
Orientatio plana primaria Planum A (11-20) ± 0.2°      
TTV ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm
LTV ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm
TIR ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm
ARCUUS ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm
Stamina ≤10µm ≤15µm ≤20µm ≤30µm
Superficies anterior Epi-Politus (Ra< 0.2nm)

*Arcus: Deviatio puncti medii superficiei medianae lamellae liberae et non fixae a plano referentiali, ubi planum referentiale tribus angulis trianguli aequilateri definitur.

*Distortio: Differentia inter distantias maximam et minimam superficiei medianae lamellae liberae, non fixae, a plano referentiali supra definito.

Producta et officia altae qualitatis pro instrumentis semiconductoribus novae generationis et incremento epitaxiali:

Gradus planities altus (TTV moderatus, arcus, stamen etc.)

Purgatio altae qualitatis (parva contaminatio particularum, parva contaminatio metallorum)

Terebratio substrati, sulcus excavatio, sectio, et politura posterioris partis

Adiunctio datorum, ut munditiae et formae substrati (facultativa)

Si substrata sapphirina tibi necessaria sunt, libenter nobiscum communicare potes:

litterae:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522

Quam primum ad te redibimus!

Diagramma Detaliatum

vcs (2)
vcs (1)
  • Praecedens:
  • Deinde:
    • Nuntium tuum hic scribe et nobis mitte.

    Categoriae productorum

    Preme "Enter" ad quaerendum vel "ESC" ad claudendum