GaAs
-
Substratum lamellae epitaxialis magnae potentiae GaAs, lamellae gallium arsenidi, longitudine undae laseris 905nm ad curationem medicam laseris.
-
Lamina epitaxialis laseris GaAs 4 pollices 6 pollices VCSEL cavitatis verticalis superficiei emissionis laseris longitudinis undae 940nm iunctura singularis