Lamella epitaxiae GaN
-
GaN in Vitro 4-unciae: Optiones Vitri Adaptabiles, Inter quas JGS1, JGS2, BF33, et Quartzum Ordinarium.
-
Gallii Nitridum in lamella silicii 4 pollicum 6 pollicum. Orientatio substrati silicii accommodata, resistivitas, et optiones N-typi/P-typi.
-
Lamellae Epitaxiales GaN-in-SiC Adaptatae (100mm, 150mm) – Optiones Substratorum SiC Plures (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
Lamellae GaN super Adamantum 4 pollices 6 pollices Crassitudo epidermidis totalis (micron) 0.6 ~ 2.5 vel ad usus altae frequentiae aptatae.