Virga et clavus elevationis sapphirinae industrialis, clavus sapphirina Al2O3 altae duritiae ad tractationem crustulorum, systema radaricum et processum semiconductorum – Diametro 1.6mm ad 2mm
Abstractum
Virga et clavus elevationis Sapphiri industrialis cum praecisione et diuturnitate designati sunt ad usus magnopere desideratos, ut tractationem crustularum, systemata radarica, et processum semiconductorum. Ex crystallo singulari Al₂O₃ (sapphirus) facti, hi clavi duritiem et resistentiam thermalem excellentem offerunt. In diametris ab 1.6mm ad 2mm praesto, hi clavi et virgae elevationis ad requisita industrialia specialia aptari possunt. Resistentiam abrasioni excellentem et detritionem parvam praebent, ita ut partes essentiales systematibus summae efficacitatis sint.
Proprietates
●Alta Duritia et Firmitas:Cum duritia Mohs 9, hae clavi et virgae scalpturis resistunt, diuturnam efficaciam in applicationibus magnae detritionis praestantes.
●Magnitudines Adaptabiles:Praesto sunt in diametris ab 1.6mm ad 2mm, cum optione dimensionium consuetudinariarum ad necessitates applicationis specificas implendas.
●Resistentia Thermalis:Altum punctum liquefactionis sapphiri (2040°C) efficit ut hae aciculae temperaturas altas sine degradatione sustinere possint.
● Proprietates Opticae Excellentes:Claritas optica innata sapphiri hos acus elevatorias idoneos reddit ad usum in systematibus opticis et instrumentis praecisionis.
● Frictio et Detritio Humilis:Superficies sapphiri laevis detritionem et paxilli elevatoris et apparati minuit, sumptus sustentationis diminuens.
Applicationes
● Tractatio crustulorum:In processu semiconductorum ad delicatam manipulationem lamellarum adhibitus.
●Systema radarica:Clavi altae efficacitatis in systematibus radaricis propter firmitatem et praecisionem adhibiti.
●Processus Semiconductorum:Perfectum ad tractandas laminas aliasque partes in processibus fabricationis semiconductorum altae technologiae.
●Systema Industrialia:Idoneus ad varia usus industriales quae magnam firmitatem et praecisionem requirunt.
Parametri Producti
| Characteristica | Specificatio |
| Materia | Crystallum Singulare Al₂O₃ (Sapphirus) |
| Duritia | Mohs 9 |
| Diametri Intervallum | 1.6mm ad 2mm |
| Conductivitas Thermalis | 27 W·m^-1·K^-1 |
| Punctum Liquefactionis | 2040°C |
| Densitas | 3.97g/cc |
| Applicationes | Tractatio Crustularum, Systemata Radarica, Processus Semiconductorum |
| Customizatio | Magnitudinibus Consuetis Praesto |
Quaestiones et Responsiones (Quaestiones Frequentes)
Q1: Cur sapphirus bona materia est pro paxillis elevatoriis in tractatione crustulorum adhibitis?
A1: Sapphirus valde estscalpturis resistenset habetpunctum liquefactionis altum, eam materiam optimam ad operationes delicatas faciens, uttractatio crustulorum, ubi praecisio et firmitas maximi momenti sunt.
Q2: Quod commodum est magnitudinem clavorum elevantium sapphirinorum adaptare?
A2: Magnitudines consuetudinariae permittunt hos paxillos elevatorios ad usus specificos aptari, optimam efficaciam in variis systematibus praebentes, inter quas...processus semiconductorumetsystemata radarica.
Q3: Num paxilli elevatorii sapphirini in applicationibus altae temperaturae adhiberi possunt?
A3: Ita,sapphirushabetpunctum liquefactionis altumde2040°C, idque ad usum in ambitus altae temperaturae aptum reddens.
Diagramma Detaliatum
