Lamella InSb 2 pollices 3 pollices sine dopatione typi N typi P orientatione 111 100 ad Detectoria Infrarubra
Proprietates
Optiones Doping:
1. Non dopatum:Hae laminae carent ullis agentibus dopantibus et imprimis ad usus speciales, ut accretionem epitaxialem, ubi lamina ut substratum purum agit, adhibentur.
2. Typus N (Te Dopatus):Dopatio tellurii (Te) ad creandas laminas typi N adhibetur, mobilitatem electronicam magnam offerens et eas aptas reddit detectoribus infrarubris, electronicis celerrimis, aliisque applicationibus quae fluxum electronicum efficientem requirunt.
3. Typus P (Ge Dopatus):Germanium (Ge) adhibitum est ad laminas typi P creandas, mobilitatem foraminum magnam praebens et praeclaram efficaciam sensoribus et photodetectoribus infrarubris offerens.
Optiones Magnitudinis:
1. Lamellae in diametris duarum et trium unciarum praesto sunt. Hoc compatibilitatem cum variis processibus et machinis fabricationis semiconductorum praestat.
2. Lamella 2 unciarum diametrum 50.8±0.3mm habet, lamella 3 unciarum autem 76.2±0.3mm.
Orientatio:
1. Lamellae cum orientationibus 100 et 111 praesto sunt. Orientatio 100 aptissima est electronicis celeribus et detectoribus infrarubris, dum orientatio 111 saepe adhibetur pro instrumentis quae proprietates electricas vel opticas specificas requirunt.
Qualitas Superficiei:
1. Hae crustulae superficiebus politis/incisis praebentur ad qualitatem excellentem, ita ut optimam efficaciam in applicationibus quae praecisas proprietates opticas vel electricas requirunt permittant.
2. Praeparatio superficiei densitatem vitiorum humilem praestat, ita ut hae crustulae ad usum detectionis infrarubrae, ubi constantia perfunctionis maximi momenti est, aptissimae sint.
Epi-Paratus:
1. Hae crustae epi-paratae sunt, quae eas aptas reddunt ad applicationes quae accretionem epitaxialem implicant, ubi strata materiae addita in crusta deponentur ad fabricationem semiconductorum provectarum vel instrumentorum optoelectronicorum.
Applicationes
1. Detectores Infrarubri:Lamellae InSb late in fabricatione detectorum infrarubrorum adhibentur, praesertim in mediis longitudinibus undae infrarubri (MWIR). Necessariae sunt systematibus visionis nocturnae, imaginibus thermalibus, et applicationibus militaribus.
2. Systema Imaginum Infrarubrarum:Alta sensibilitas laminarum InSb permittit imagines infrarubras accuratas in variis sectoribus, inter quos sunt securitas, vigilantia, et investigatio scientifica.
3. Electronica Celeris:Propter magnam mobilitatem electronicam, hae laminae in apparatibus electronicis provectis, ut transistores celerrimi et apparatibus optoelectronicis, adhibentur.
4. Instrumenta Puteorum Quanticorum:Lamellae InSb ideales sunt ad applicationes puteorum quanticorum in laseribus, detectoribus, et aliis systematibus optoelectronicis.
Parametri Producti
Parametrum | Duo pollices | Trium unciarum |
Diameter | 50.8±0.3mm | 76.2±0.3mm |
Crassitudo | 500±5μm | 650±5μm |
Superficies | Politus/Incisus | Politus/Incisus |
Typus Doping | Non dopatum, Te-dopatum (N), Ge-dopatum (P) | Non dopatum, Te-dopatum (N), Ge-dopatum (P) |
Orientatio | 100, 111 | 100, 111 |
Sarcina | Sola | Sola |
Epi-Paratus | Ita | Ita |
Parametri Electrici pro Te Dopato (Typo N):
- Mobilitas2000-5000 cm²/V·s
- Resistivitas(1-1000) Ω·cm
- EPD (Densitas Vitiorum): ≤2000 vitia/cm²
Parametri Electrici pro Ge Dopato (Typo-P):
- Mobilitas4000-8000 cm²/V·s
- Resistivitas: (0.5-5) Ω·cm
EPD (Densitas Vitiorum): ≤2000 vitia/cm²
Quaestiones et Responsiones (Quaestiones Frequentes)
Q1: Quod est genus dopandi ideale ad usus detectionis infrarubrae?
A1:Te-dopatum (typus N)Lamellae typice sunt electio optima ad applicationes detectionis infrarubrae, cum mobilitatem electronicam magnam et praeclaram efficaciam in detectoribus infrarubris mediae longitudinis undae (MWIR) et systematibus imaginandi offerunt.
Q2: Num has laminas ad applicationes electronicas celerrimas uti possum?
A2: Ita, crustulae InSb, praesertim eae cumDopatio typi NetCentum orientatio, propter mobilitatem electronicam magnam, bene aptae sunt ad electronica celerrima, ut transistoribus, machinis puteorum quanticorum, et componentibus optoelectronicis.
Q3: Quae sunt differentiae inter orientationes 100 et 111 pro laminis InSb?
A3: Thecentumorientatio vulgo adhibetur pro instrumentis quae celeritatem electronicam requirunt, dum111Orientatio saepe adhibetur ad usus specificos quae diversas proprietates electricas vel opticas requirunt, inter quas quaedam machinae et sensores optoelectronici.
Q4: Quid est momentum functionis Epi-Ready pro laminis InSb?
A4: TheEpi-ParatusProprietas haec significat crustulam prae-tractatam esse ad processus depositionis epitaxialis. Hoc essentiale est ad applicationes quae incrementum stratorum materiae additionalium supra crustulam requirunt, ut in productione semiconductorum provectorum vel instrumentorum optoelectronicorum.
Q5: Quae sunt usus typici laminarum InSb in agro technologiae infrarubrae?
A5: Lamellae InSb imprimis in detectione infrarubra, imagine thermali, systematibus visionis nocturnae, aliisque technologiis sensuum infrarubrorum adhibentur. Alta earum sensibilitas et sonitus humilis eas ideales reddunt ad...infrarubra mediae longitudinis undae (MWIR)detectores.
Q6: Quomodo crassitudo lamellae eius efficaciam afficit?
A6: Crassitudo lamellae partes gravissimas agit in stabilitate mechanica et proprietatibus electricis. Lamellae tenuiores saepe in applicationibus sensibilioribus adhibentur ubi accurata proprietatum materiae moderatio requiritur, dum lamellae crassiores firmitatem auctam pro quibusdam applicationibus industrialibus praebent.
Q7: Quomodo magnitudinem lamellae aptam pro applicatione mea eligo?
A7: Magnitudo apta lamellae a specifico instrumento vel systemate designato pendet. Lamellae minores (duarum unciarum) saepe ad investigationem et applicationes minoris scalae adhibentur, dum lamellae maiores (trium unciarum) typice ad productionem magnam et instrumenta maiora plus materiae requirentia adhibentur.
Conclusio
InSb crustulae inDuo pollicesetTrium unciarummagnitudines, cumindoctus, Typus N, etTypus Pvariationes, magni pretii sunt in applicationibus semiconductorum et optoelectronicorum, praesertim in systematibus detectionis infrarubrae.centumet111Orientationes flexibilitatem praebent variis necessitatibus technologicis, ab electronicis celerrimis ad systemata imaginum infrarubrarum. Propter mobilitatem electronicam exceptionalem, strepitum humilem, et qualitatem superficiei accuratam, hae crustae ideales sunt ad...detectores infrarubri mediae longitudinis undaeet aliae applicationes magnae efficacitatis.
Diagramma Detaliatum



