Massae Lithium Tantalatis LiTaO3 cum Additione Fe/Mg, 4 pollices, 6 pollices, 8 pollices, ad Sensum Industrialem aptatae.

LiTaO3 Lithium Tantalate Massae cum Fe/Mg Additamento 4 pollicum, 6 pollicum, 8 pollicum ad Sensum Industrialem accommodatae. Imago Praecipua.

Descriptio Brevis:

Massae LiTaO3 (massae Lithii Tantalati), ut materiae principales pro semiconductoribus latis intervallis frequentiae tertiae generationis et optoelectronicis, temperaturam suam Curie altam (607) adhibent.°C), latum ambitum perspicuitatis (400–5200 nm), excellentem coefficientem copulationis electromechanicae (Kt² >15%), et humilem iacturam dielectricam (tanδ <2%) ad communicationes 5G, computationem quanticam, et integrationem photonicam revolutionandas. Per technologias fabricationis provectas, ut translationem vaporis physici (PVT) et depositionem vaporis chemici (CVD), praebemus massas X/Y/Z-sectas, 42°Y-sectas, et periodicē polarizatas (PPLT) in specificationibus 3–8 unciarum, cum densitate microtubuli <0.1 cm⁻² et densitate dislocationis <500 cm⁻². Nostra officia includunt dopationem Fe/Mg, duces undarum permutationis protonum, et integrationem heterogeneam (POI) silicii fundatam, tractantes filtra optica altae efficaciae, fontes lucis quanticae, et detectores infrarubros. Haec materia innovationes in miniaturizatione, operatione altae frequentiae, et stabilitate thermali impellit, substitutionem domesticam et progressum technologicum accelerans.

Mitte nobis inscriptionem electronicam

Proprietates

Parametri technici

Specificatio	Consuetudinarium	Alta Praecisio
Materiae	Lamellae LiTaO3(LT)/ LiNbO3	Lamellae LiTaO3(LT)/LiNbO3
Orientatio	X-112°Y, 36°Y, 42°Y ± 0.5°	X-112°Y, 36°Y, 42°Y ± 0.5°
Parallela	Triginta unciae	Decem''
Perpendicularis	Decem minuta	5'
Qualitas superficiei	40/20	XX/X
Distortio Frontis Undae	λ/4 @ 632nm	λ/8 @ 632nm
Planities Superficialis	λ/4 @ 632nm	λ/8 @ 632nm
Apertura Clara	>90%	>90%
Chamfer	<0.2 × 45°	<0.2 × 45°
Tolerantia Crassitudinis/Diametri	±0.1 mm	±0.1 mm
Dimensiones maximae	diametro 150 × 50mm	diametro 150 × 50mm

XKH Officia

1. Fabricatio Lingotorum Magnae Scalae

Magnitudo et Sectio: Massae 3–8 unciarum cum sectionibus X/Y/Z, sectionibus 42°Y, et sectionibus angularibus ad normam factis (tolerantia ±0.01°).

Imperium Doping: Co-doping Fe/Mg per methodum Czochralski (ambitu concentrationis 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) ad resistentiam photorefractivam et stabilitatem thermalem optimizandam.

2. Technologiae Processuum Provectae

Integratio Heterogenea: Lamellae compositae LiTaO3 (POI) e silicio fundatae, cum regulatione crassitudinis (300–600 nm) et conductivitate thermali usque ad 8.78 W/m·K, pro filtris SAW altae frequentiae.

Fabricatio Ductorum Undarum: Technicae commutationis protonum (PE) et commutationis protonum inversarum (RPE), duces undarum submicronicos (Δn > 0.7) pro modulatoribus electro-opticis celeritatis altae (latitudo frequentiae > 40 GHz) assequentes.

3. Systema Administrationis Qualitatis

Examinatio Ab Integro: Spectroscopia Raman (verificatio polytypi), XRD (crystallinitas), AFM (morphologia superficiei), et examinatio uniformitatis opticae (Δn <5×10⁻⁵).

4. Auxilium Catenae Provisorum Globalis

Capacitas Productionis: Productio menstrua >5,000 massae (8-unciae: 70%), sustentans traditionem in casu necessitatis 48 horarum.

Rete Logisticum: Operatio in Europa, America Septentrionali, et Asia Pacifica per vecturam aeream/maritimam cum involucris temperaturae regulatae.

5. Co-Elaboratio Technica

Laboratoria Communia Investigationis et Evolutionis: Collabora in suggestis integrationis photonicae (e.g., nexus stratorum SiO2 cum iactura humili).

Summarium

LiTaO3 massae (vel massae) ut materiae strategicae funguntur, optoelectronicas et technologias quanticas reformantes. Per innovationes in incremento crystallorum (e.g., PVT), mitigatione vitiorum, et integratione heterogenea (e.g., POI), solutiones altae firmitatis et sumptibus efficacibus pro communicationibus 5G/6G, computatione quantica, et Internet Rerum (IoT) industriali praebemus. Studium XKH ad promovendam reductionem vitiorum massarum et amplificandam productionem octo unciarum clientibus praestat ut sint duces in catenis subministrationis globalibus, impulsantes novam aetatem oecosystematum semiconductorum cum latitudine frequentiae (vel "bandgap").