N-Type SiC on Si Composita Substrates Dia6inch

等级Gradus

U

P级

D级

Humilis BPD Grade

Productio Grade

Dummy Grade

直径Diameter

150.0 mm±0.25mm

厚度Crassitudo

500 μm±25μm

晶片方向Azymum propensionis

Off axis : 4.0° versus <11-20> ±0.5° pro 4H-N ad axem : <0001>±0.5°ad 4H-SI

主定位边方向Prima Flat

{10-10}±5.0°

主定位边长度Prima Flat Longitudo

47.5 mm±2.5 mm

边缘Ore exclusio

3 mm

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Arcu/Warp

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度和基面位错MPD&BPD

MPD≤1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

BPD≤1000cm-2

电阻率Resistentia

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度asperitas

Ra≤1 nm

CMP Ra≤0.5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Nullus

Cumulativus longitudinis ≤10mm, singularis longitudinis ≤2mm

Rimas per altum intensionem lux

.*

Cumulativo area ≤1%

Cumulativo area ≤5%

Hex Plates per altum intensio lumen

多型(强光灯观测)*

Nullus

Cumulativo area≤5%

Polytype Areas ab intensione lucis

划痕(强光灯观测)*&

III exasperat ad I laganum diametro

V scalpit ad I laganum diametri

Exasperat excelsum intensionem lux

cumulativo longitudinem

cumulativo longitudinem

崩边# Ore chip

Nullus

5 datum, ≤1 mm

.

Nullus

Contaminationem per altum intensio lumen