Producta
-
Lamella Sapphirina 2 pollices 50.8mm Planum C Planum M Planum R Planum A
-
Fenestrae sapphirinae Dia50.8x1mmt altae praecisionis, resistentia altae temperaturae et alta duritia.
-
Fenestrae sapphirinae Dia50.8x1mmt altae praecisionis, resistentia altae temperaturae et alta duritia.
-
Tubi sapphirini EFG CZ KY, virgae Al2O3, crystalli singularis sapphirini 99.999%.
-
Tubus sapphiri praecisionis, virgae crystallinae singularis Al2O3 99.999%, ad crucibulum receptaculi altae temperaturae.
-
GaN-in-Sapphiro sex pollices
-
Duae unciae, crassitudo 50.8mm, 0.1mm, 0.2mm, 0.43mm, lamella sapphirina, planum C, planum M, planum R, planum A.
-
Lamella epitaxialis Gallii nitridi, 150mm 200mm 6 pollices 8 pollices GaN in silicii epi-strato.
-
Substratum lamellae sapphirinae, octo unciarum, 200 mm, SSP, DSP, crassitudine 0.5 mm, 0.75 mm.
-
Crustulae carburi silicii duarum unciarum, substrata SiC typi N 6H vel 4H, vel semi-insulantia.
-
Pellicula LNOI monocrystallina 4 pollicum 6 pollicum lithium niobatum
-
Substratum SiC 4H-N 4 unciarum, lamellae e carburo silicii, ad productionem simulatam, gradus investigationis.