Producta
-
Suctor ferculi ceramici carburi silicii Tubi ceramici carburi silicii Copia sinterizationis altae temperaturae processus consuetus Tubi ceramici carburi silicii Copia sinterizationis altae temperaturae Processus ad normam destinatus Tubi ceramici carburi silicii Copia ad altam temperaturam ad sinterizationem
-
Tubus ceramicis carburi silicii altae fortitudinis, SIC, variis generibus, resistentia ignis ad usum aptata
-
Ferculum mandrinum ceramicum SiC, poculae suctionis ceramicae, machinatio accurata ad mensuram factae.
-
Methodus LHPG fibrae sapphirinae diametro 75-500μm ad sensorem altae temperaturae fibrae sapphirinae adhiberi potest.
-
Crystallum singulare fibrae sapphirinae Al₂O₃, punctum liquefactionis transmissionis opticae altae 2072℃, ad materiam fenestrarum lasericarum adhiberi potest.
-
Substratum Sapphiri Pictatum PSS 2unciae 4unciae 6unciae ICP siccum incisum ad fragmenta LED adhiberi potest.
-
Machina perforatoria laserica mensae parvae 1000W-6000W, apertura minima 0.1MM, ad materias metallicas vitroceramicas adhiberi potest.
-
Tubi tutelares thermocouple sapphirini ad usum industrialem, crystalli singularis Al2O3
-
Machina terebrans laserica altae praecisionis ad perforandum fistulam gemmarum ceramicarum sapphirinarum
-
Methodus KY pro furno accretionis Al₂O₃ crystalli singularis sapphirini. Productio crystalli sapphirini altae qualitatis apud Kyropoulos.
-
Substratum Sapphiri Figuratum (PSS) 2 unciarum, 4 unciarum, 6 unciarum, in quo materia GaN crescit, ad illuminationem LED adhiberi potest.
-
Fornax accretionis silicii monocrystallini, systema accretionis lingotum silicii monocrystallini, temperatura usque ad 2100℃.