insignia xinkehui
  • Domus
  • Societas
    • De Xinkehui
    • Deprime
  • Producta
    • Substratum
      • Sapphirus
      • SiC
      • Silicium
      • LiTaO3_LiNbO3
      • AlN
      • InP
      • GaAs
      • Alia Vitra
      • InSb
    • Producta Optica
      • Quartzum, BF33, et K9
      • Crystallum sapphirinum
      • Tubus et virga sapphirina
      • Fenestrae sapphirinae
    • Stratum Epitaxiale
      • Lamella epitaxiae GaN
    • Ceramica producta
    • Ferculum Oblatae
    • Apparatus semiconductorius
    • Gemma sapphirina synthetica
    • Materia crystallina singularis metallica
  • Nuntii
  • Contactus
English
  • Domus
  • Producta

Categoriae

  • Substratum
    • Sapphirus
    • SiC
    • Silicium
    • LiTaO3_LiNbO3
    • AlN
    • GaAs
    • InP
    • InSb
    • Alia Vitra
  • Producta Optica
    • Quartzum, BF33, et K9
    • Crystallum sapphirinum
    • Tubus et virga sapphirina
    • Fenestrae sapphirinae
  • Stratum Epitaxiale
    • Lamella epitaxiae GaN
  • Ceramica producta
  • Ferculum Oblatae
  • Gemma sapphirina synthetica
  • Apparatus semiconductorius
  • Materia crystallina singularis metallica

Producta insignes

  • Lamellae ficticiae conductivae 4H-N SiC, 8 pollicum, 200 mm, gradus investigationis.
    Tubus lamellaris SiC 4H-N 8 pollicum 200 mm...
  • 150mm 6 pollices 0.7mm 0.5mm Substratum Lamellae Sapphirinae Planum C SSP/DSP
    150mm 6 pollices 0.7mm 0.5mm Sapphirus...
  • Lamella Sapphirina 4 pollicum, Planum C, SSP/DSP, 0.43mm, 0.65mm
    Lamella Sapphira 4 pollicum C-Plane SS...
  • Fenestra sapphirina, lens vitrea sapphirina, materia crystallina singularis Al2O3.
    Fenestra sapphirina Vitrum sapphirinum...
  • Dia 50.8mm Lamella Sapphirina Fenestra Sapphirina Alta Transmittantia Optica DSP/SSP
    Diametrus 50.8mm Sapphiri Lamellae Sapphiri...
  • Formula AlN 50.8mm/100mm in NPSS/FSS. Formula AlN in sapphiro.
    Formula AlN 50.8mm/100mm in NPS...

Producta

  • Instrumentum Automaticum ad Secandum Anulos Crustularum, Magnitudo Operativa, Secans Anulos Crustularum 8/12 pollices

    Instrumentum Automaticum ad Secandum Anulos Crustularum, Magnitudo Operativa, Secans Anulos Crustularum 8/12 pollices

  • Lingotae LiNbO₃ Mg-Dopatae, Sectiones 45° Z, Sectiones 64° Y, pro Systematibus Communicationis 5G/6G.

    Lingotae LiNbO₃ Mg-Dopatae, Sectiones 45° Z, Sectiones 64° Y, pro Systematibus Communicationis 5G/6G.

  • Substratum compositum SiC conductivum sex unciarum, 4H, diametro 150mm, Ra≤0.2nm, deformatione≤35μm.

    Substratum compositum SiC conductivum sex unciarum, 4H, diametro 150mm, Ra≤0.2nm, deformatione≤35μm.

  • Fenestrae opticae sapphirinae, crystallo singulari Al₂O₃, resistentibus attritui, ad mensuram factae.

    Fenestrae opticae sapphirinae, crystallo singulari Al₂O₃, resistentibus attritui, ad mensuram factae.

  • Instrumenta Signationis Lasericae Contra Falsificationem; Signatio Laminarum Sapphirinarum

    Instrumenta Signationis Lasericae Contra Falsificationem; Signatio Laminarum Sapphirinarum

  • LiTaO₃ Lingotae 50mm – 150mm Diametro Orientatione Sectionis X/Y/Z ±0.5° Tolerantia

    LiTaO₃ Lingotae 50mm – 150mm Diametro Orientatione Sectionis X/Y/Z ±0.5° Tolerantia

  • Crassitudo Substrati Compositi LN-in-Si 6-8 pollicum, Si/SiC/Sapphirum, 0.3-50 μm.

    Crassitudo Substrati Compositi LN-in-Si 6-8 pollicum, Si/SiC/Sapphirum, 0.3-50 μm.

  • Vitrum opticum sapphirinum fenestrarum, magnitudinis Mohs duritiae 9, ad mensuram aptatum.

    Vitrum opticum sapphirinum fenestrarum, magnitudinis Mohs duritiae 9, ad mensuram aptatum.

  • Systema Signationis Laseris Contra Falsificationem pro Substratis Sapphiris, Ornamentis Horologiorum, et Ornamentis Luxuriosis

    Systema Signationis Laseris Contra Falsificationem pro Substratis Sapphiris, Ornamentis Horologiorum, et Ornamentis Luxuriosis

  • Methodus Kyropoulos ad productionem lamellarum sapphirinarum et fenestrarum opticarum pro fornace accretionis crystalli sapphirini

    Methodus Kyropoulos ad productionem lamellarum sapphirinarum et fenestrarum opticarum pro fornace accretionis crystalli sapphirini

  • Crystallinum monocrystallinum conductivum SiC sex unciarum in substrato composito polycrystallino SiC, diametro 150 mm, typus P, typus N.

    Crystallinum monocrystallinum conductivum SiC sex unciarum in substrato composito polycrystallino SiC, diametro 150 mm, typus P, typus N.

  • Lens Optica SiC Altae Puritatis Cubica 4H-semi 6SP Magnitudine Adaptata

    Lens Optica SiC Altae Puritatis Cubica 4H-semi 6SP Magnitudine Adaptata

<< < Praecedens567891011Deinde >>> Pagina VIII / XXX

NUNTIIS

  • Vitra AR e Carbido Silicio Ductore Undarum Gradus Optici: Praeparatio Substratorum Semi-Insulantium Altae Puritatis
    VIII Kal. Iul. MMXXXV

    Vitra AR ex Carbido Silicio Ductore Undarum Gradus Optici: Praeparatio Sulforum Semi-Insulantium Altae Puritatis...

  • Incrementum Heteroepitaxiale 3C-SiC in Substratis Silicii cum Orientationibus Diversis
    VIII Kal. Iul. MMXXXV

    Incrementum Heteroepitaxiale 3C-SiC in Substratis Silicii cum Orientationibus Diversis

  • Ceramicae Carbidi Silicii contra Semiconductorem Carbidum Silicii: Eadem Materia cum Duobus Destinis Distinctis
    XXX/VII/MMXXV

    Ceramicae Carbidi Silicii contra Semiconductorem Carbidum Silicii: Eadem Materia cum Duabus Distinctis...

  • Progressus in Technologiis Praeparationis Ceramicae Carbidi Silicii Altae Puritatis
    XXX/VII/MMXXV

    Progressus in Technologiis Praeparationis Ceramicae Carbidi Silicii Altae Puritatis

  • Principia Technica et Processus Laminarum Epitaxialium LED
    XXV/VII/MMXXV

    Principia Technica et Processus Laminarum Epitaxialium LED

CONTACTUS

  • Rm1-1805, No.851, Dianshanhu Road; Qingpu Area; Shanghai City, China//201799
  • +86 158 0194 2596
  • +86 187 0175 6522
  • eric@xkh-semitech.com
  • doris@xkh-semitech.com

INQUISITIO

Si de nostris productis vel indice pretiorum quaeris, inscriptionem electronicam tuam nobis relinque et intra horas XXIV tecum communicabimus.

  • Facebook
  • Twitter
  • LinkedIn
  • YouTube
Submit
© Iura omnia reservantur - MMX-MMXXIII. Index situs - AMP Mobilis
Lamellae Carbidi Silicii, Adaptus, Sic Wafer, Substratum Sicicum, Sex pollices, Tubus Sapphirus,
Iniuria Online
  • Mitte Epistulam Electronicam
  • x
    • WhatsApp

      +86 15801942596 +86 18701756522

    • qq

      eric@xkh-semitech.com doris@xkh-semitech.com

    • WhatsApp

      +86 15801942596 +86 18701756522

    Preme "Enter" ad quaerendum vel "ESC" ad claudendum
    • English
    • French
    • German
    • Portuguese
    • Spanish
    • Russian
    • Japanese
    • Korean
    • Arabic
    • Irish
    • Greek
    • Turkish
    • Italian
    • Danish
    • Romanian
    • Indonesian
    • Czech
    • Afrikaans
    • Swedish
    • Polish
    • Basque
    • Catalan
    • Esperanto
    • Hindi
    • Lao
    • Albanian
    • Amharic
    • Armenian
    • Azerbaijani
    • Belarusian
    • Bengali
    • Bosnian
    • Bulgarian
    • Cebuano
    • Chichewa
    • Corsican
    • Croatian
    • Dutch
    • Estonian
    • Filipino
    • Finnish
    • Frisian
    • Galician
    • Georgian
    • Gujarati
    • Haitian
    • Hausa
    • Hawaiian
    • Hebrew
    • Hmong
    • Hungarian
    • Icelandic
    • Igbo
    • Javanese
    • Kannada
    • Kazakh
    • Khmer
    • Kurdish
    • Kyrgyz
    • Latin
    • Latvian
    • Lithuanian
    • Luxembou..
    • Macedonian
    • Malagasy
    • Malay
    • Malayalam
    • Maltese
    • Maori
    • Marathi
    • Mongolian
    • Burmese
    • Nepali
    • Norwegian
    • Pashto
    • Persian
    • Punjabi
    • Serbian
    • Sesotho
    • Sinhala
    • Slovak
    • Slovenian
    • Somali
    • Samoan
    • Scots Gaelic
    • Shona
    • Sindhi
    • Sundanese
    • Swahili
    • Tajik
    • Tamil
    • Telugu
    • Thai
    • Ukrainian
    • Urdu
    • Uzbek
    • Vietnamese
    • Welsh
    • Xhosa
    • Yiddish
    • Yoruba
    • Zulu
    • Kinyarwanda
    • Tatar
    • Oriya
    • Turkmen
    • Uyghur