Sapphirus
-
Dia300x1.0mmt Crassitudo Lamellae Sapphirinae Planum C SSP/DSP
-
Substratum sapphirinum octo unciarum, 200mm, lamella sapphirina tenuis, crassitudine 1SP 2SP, 0.5mm 0.75mm.
-
Lamellae sapphirinae crystallinae singularis Al₂O₃ 99.999%, diametro 200mm, crassitudine 1.0mm 0.75mm.
-
Lamella Sapphirina 156mm 159mm 6 pollices pro vectore C-Plane DSP TTV
-
Lamellae sapphirinae axis C/A/M 4 pollices, crystalli singularis Al2O3, substrati sapphirini altae duritiae SSP DSP
-
Sapphiri dia crystallus singularis, alta duritia Morhs 9 resistens abrasioni, configurabilis
-
Substratum Sapphiri Pictatum PSS 2unciae 4unciae 6unciae ICP siccum incisum ad fragmenta LED adhiberi potest.
-
Substratum Sapphiri Figuratum (PSS) 2 unciarum, 4 unciarum, 6 unciarum, in quo materia GaN crescit, ad illuminationem LED adhiberi potest.
-
Fenestra Optica Sapphirina Gradualis, Crystallo Singulari Al2O3, Altae Puritatis, Diametro 45mm, Crassitudo 10mm, Laser Secta et Polita
-
Fenestra Sapphirina Gradualis Altae Efficaciae, Crystallo Singulari Al2O3, Obducta Pellucida, Formis et Magnitudinibus Adaptatis ad Usus Opticos Praecisos
-
Clavus Elevatorius Sapphiri Altae Efficaciae, Crystallus Singularis Al2O3 Purus ad Systema Transferendi Crustulas – Magnitudines Consuetudinariae, Alta Firmitas ad Applicationes Praecisionis
-
Virga et clavus elevationis sapphirinae industrialis, clavus sapphirina Al2O3 altae duritiae ad tractationem crustulorum, systema radaricum et processum semiconductorum – Diametro 1.6mm ad 2mm