Sapphirus Tube sapphirus virgae speaciales figurae altae pressurae KY et EFG
Descriptio
Virgae sapphiri in applicationibus amplis adhibentur. Virga sapphira fieri potest cum omnibus superficiebus politis pro opticis et applicationibus induendis vel cum omnibus superficiebus subtilibus (un-politis) ut insulator inserviat.
Technology
In processu trahendi tubos sapphiri e liquefactione ope seminis, longitudinalis temperatus gradiente in zona inter frontem solidificatam et regionem trahendi ubi temperatura est inter 1850 et 1900 grad. C habetur non excedentem 30 grad. C/cm. Tubus, qui ita crevit, annectitur ad temperiem inter 1950 et 2000 grad. C, augendo temperaturam ad 30 ad 40 grad. C/min et fistulam ad dictam temperiem servans per spatium inter 3 et 4 horas. Post hoc refrigeratum est fistulam ad cella temperies ad centenos 30-40 grad. C/min.
Semiconductor applicationes processus:
(HPD CVD, PECVD, Arida Etch, Wet Etch)
Plasma applicator tube
Processus gas nozzles injector
Endpoint detector
Excimer Corona Tubes
Plasma continentiae tube
Tubus plasma obsignatio machina est machina usus ad componentes electronicas encapsulare. Principium eius est caliditas calidissima et alta pressio plasmatis ad conflationem materiae liquefaciendam et in componentibus encapsulare. Praecipua partium plasmatis tubi machinae signandi includunt plasma generantis, tubus cameram signandi, systema vacuum, systema imperium, etc.
Thermocouple vaginae tutelae (Thermowell): Thermocouple est communiter temperatus mensurans elementum in instrumento temperato mensurans, quod directe temperatura metitur, et signum temperaturae in signum electromo- ricis thermoelectricae convertit, per instrumentum electricum (secundum instrumentum) in temperatura. metiri medium
Aquae curatio / dictum
Sapphirus Tube Properties (Theoretical)
Formulae compositae | Al2O3 |
M. Pondus | 101.96 |
Aspectus | Translucens fistulae |
Liquefactio Point | 2050 °F . |
fervens | 2,977° C (5,391° F) |
Density | 4.0 g/cm3 |
Morphologia | Trigonal (hex), R3c |
Solubilitas in H2O | 98 x 10-6 g/100g |
Index refractivus | 1.8 |
Resistivity electrica | 17 10x Ω-m |
Poisson's Ratio | 0.28 |
Imprimis Caloris | 760 J Kg-1 K-1 (293K) |
Distrahens fortitudo | 1390 MPa (ultimum) |
Scelerisque Conductivity | 30 W/mK |
Scelerisque Expansion | 5.3 µm/mK |
Modulus | 450 GPa |
Exige Missam | 101.948 g/mol |
Monoisotopic Missam | 101.94782 Da |
Detailed Diagram



