Semi-Insulating SiC in Si composita Substrates
| Items | Specification | Items | Specification |
| Diameter | 150±0.2mm | propensio | <111>/<100>/<110> et sic porro |
| Polytypus | 4H | Type | P/N |
| Resistentia | ≥1E8ohm·cm | idipsum | Plana / SCARIFICATIO |
| Transfer tabulatum Crassitudo | ≥0.1μm | Ora Chip, Scratch, Crack (visum inspectionis) | Nullus |
| Vacuus | ≤5ea/laganum (2mm>D>0.5mm) | TTV | ≤5μm |
| Ante asperitatem | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | Crassitudo | 500/625/675±25μm |
Haec coniunctio nonnullas utilitates in fabricandis electronicis praebet:
Compatibilitas: Usus substratis siliconis compatibile facit cum technicis silicon-substructis vexillum processui et integrationem concedit cum processibus fabricandis semiconductor existentibus.
Temperatus perficientur: SiC optimam conductivity scelerisque et in calidis temperaturis operari potest, eam idoneam ad altam potentiam et frequentiam electronicarum applicationum faciens.
Alta DEFECTIO Voltage: SiC materias altam intentionem naufragii habent et altas agros electricas sine naufragii electricis sustinere potest.
Potentia amissio reducta: SiC subiecta patitur ad conversionem potentiae efficacioris et inferioris potentiae detrimentum in electronicis machinis comparatis materiis siliconibus traditis.
Lata bandwidth: SiC latitudinem habet latitudinem, sino evolutionem electronicarum machinarum quae in altioribus temperaturis et altioribus densitatibus potentiae operari possunt.
Ita semi-insulans SiC in Si subiecta composita componit silici compatibilitas cum proprietatibus superiorum electricas et thermarum SiC, idoneos faciens ad applicationes electronicas summus faciendas.
Stipare et Delivery
1. Tutela plastica utemur, et nativus cohibenti ad stipant. (Amicae materia)
2. Possemus facere sarcina secundum quantitatem nativus.
3. DHL/Fedex/UPS Express plerumque dies 3-7working ad locum desiderat.
Detailed Diagram
