Lamina/ferculum ceramicum SiC pro sustentaculo crustulae 4" 6" pro ICP

Lamina/ferculum ceramicum SiC pro sustentaculo crustularum 4

Descriptio Brevis:

Lamina ceramica SiC est pars summae efficacitatis e carburo silicii summae puritatis fabricata, ad usum in ambitus thermalibus, chemicis et mechanicis extremis destinata. Ob duritiem, conductivitatem thermalem et resistentiam corrosionis exceptionalem celebrata, lamina SiC late adhibetur ut vector lamellarum, susceptor, vel pars structuralis in industriis semiconductorum, LED, photovoltaicorum et aerospatialium.

Mitte nobis inscriptionem electronicam

Proprietates

Lamina ceramica SiC Abstracta

Ob stabilitatem thermalem egregiam usque ad 1600°C et resistentiam excellentem contra gases reactivos et ambientes plasmatis, lamina SiC praestat constantem efficaciam per processus corrosionis, depositionis et diffusionis altae temperaturae. Microstructura eius densa et non porosa generationem particularum minuit, eam aptam reddens ad applicationes ultra-mundas in vacuo vel conclavibus puris.

Applicatio laminae ceramicae SiC

1. Fabricatio Semiconductorum

Laminae ceramicae SiC vulgo ut vectores laminarum, susceptores, et laminae basis in apparatu fabricationis semiconductorum, ut CVD (Depositio Vaporis Chemici), PVD (Depositio Vaporis Physica), et systematibus corrosionis, adhibentur. Earum conductivitas thermalis excellens et expansio thermalis humilis permittunt eas distributionem temperaturae uniformem servare, quae ad processum laminarum altae praecisionis necessaria est. Resistentia SiC ad gases corrosivos et plasmata firmitatem in ambitus asperis praestat, contaminationem particularum et sustentationem apparatuum reducens.

2. Industria LED – ICP Etching

In provincia fabricationis LED, laminae SiC partes clavis sunt in systematibus ICP (Plasma Inductive Copulatum) corrosionis. Quasi sustentacula laminarum funguntur, platform stabilem et thermaliter robustam praebent ad laminas sapphirinas vel GaN sustentandas durante processu plasmatis. Eorum excellentis resistentia plasmatis, planities superficiei, et stabilitas dimensionalis adiuvant ad magnam accuratiam corrosionis et uniformitatem curandam, quod ad auctum proventum et efficaciam machinarum in fragmentis LED ducit.

3. Photovoltaica (PV) et Energia Solaris

Laminae ceramicae SiC etiam in productione cellularum solarium adhibentur, praesertim in gradibus sinterationis et recoctionis altae temperaturae. Inertia earum ad temperaturas elevatas et facultas resistendi deformationi processum constantem laminarum silicii praestant. Praeterea, periculum contaminationis humile earum vitale est ad efficientiam cellularum photovoltaicarum conservandam.

Proprietates laminae ceramicae SiC

1. Robur et Duritia Mechanica Eximia

Laminae ceramicae SiC firmitatem mechanicam altissimam exhibent, firmitate flexurali typica 400 MPa excedente et duritia Vickers >2000 HV attingente. Hoc eas valde resistentes detritioni mechanicae, abrasioni, et deformationi reddit, longam vitam utilem etiam sub magno onere vel repetitis cyclis thermalibus praebens.

2. Alta Conductivitas Thermalis

SiC optimam conductivitatem thermalem habet (plerumque 120–200 W/m·K), quae ei permittit calorem per superficiem suam aequaliter distribuere. Haec proprietas magni momenti est in processibus ut corrosionem laminarum, depositionem, vel sinterizationem, ubi uniformitas temperaturae directe afficit quantitatem et qualitatem producti.

3. Stabilitas Thermalis Superior

Laminae ceramicae SiC, cum alto puncto liquefactionis (2700°C) et humili coefficiente expansionis thermalis (4.0 × 10⁻⁶/K), accuratam dimensionalem integritatemque structuralem sub rapidis cyclis calefactionis et refrigerationis servant. Hoc eas ideales reddit ad usus in furnis altae temperaturae, cameris vacui, et ambitus plasmatis.

Proprietates Technicae
Index	Unitas	Valor
Nomen Materialis		Carbidum Silicii Sinterizatum Reactione	Carbidum Silicii Sine Pressura Sinterizatum	Carbidum Silicii Recrystallizatum
Compositio		RBSiC	SSiC	R-SiC
Densitas Massae	g/cm³	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
Robur Flexurale	MPa (kpsi)	338 (49)	380 (55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Robur Compressivum	MPa (kpsi)	1120 (158)	3970 (560)	> 600
Duritia	Knoop	2700	2800	/
Frangens Tenacitatem	MPa m1/2	4.5	4	/
Conductivitas Thermalis	W/mk	95	CXX	23
Coefficiens Expansionis Thermalis	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Calor Specificus	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Temperatura maxima in aere	Celsius	1200	1500	1600
Modulus Elasticus	GPA	360	410	240

Quaestiones et Responsiones de lamina ceramica SiC

Q: Quae sunt proprietates laminae carburi silicii?

A: Laminae carburi silicii (SiC) propter magnam firmitatem, duritiam, et stabilitatem thermalem notae sunt. Excellentem conductivitatem thermalem et expansionem thermalem humilem offerunt, ita ut certam functionem sub temperaturis extremis praestent. SiC etiam chemice iners est, acidis, alcalibus, et ambitus plasmatis resistens, idque id aptum reddit ad semiconductores et LED tractandos. Superficies eius densa et levis generationem particularum minuit, compatibilitatem cum conclavi puro servans. Laminae SiC late ut vectores laminarum, susceptores, et componentes sustentantes in ambitus altae temperaturae et corrosivi per industrias semiconductorum, photovoltaicorum, et aerospatialem adhibentur.