Ferculum Ceramicum SiC pro Portatore Crustulorum cum Resistentia Altae Temperaturae
Ferculum Ceramicum Carbidi Silicii (Ferculum SiC)
Pars ceramica altae efficacitatis, materia carburi silicii (SiC) condita, ad usus industriales provectos, ut fabricationem semiconductorum et productionem LED, fabricata. Inter functiones principales sunt vectura laminarum, suggestus processus corrosionis, vel subsidium processus altae temperaturae, conductivitate thermali exceptionali, resistentia altae temperaturae, et stabilitate chemica utens ad uniformitatem processus et proventum producti curandum.
Proprietates Claves
1. Efficacia Thermica
- Alta Conductivitas Thermalis: 140–300 W/m·K, graphitum traditionalem (85 W/m·K) significanter superans, dissipationem caloris celerem et tensionem thermalem imminutam permittens.
- Coefficiens Expansionis Thermalis Humilis: 4.0×10⁻⁶/℃ (25–1000℃), silicio arcte congruens (2.6×10⁻⁶/℃), pericula deformationis thermalis minuens.
2. Proprietates Mechanicae
- Alta Robur: Robur flexurale ≥320 MPa (20℃), resistens compressioni et ictui.
- Alta Duritia: Duritia Mohs 9.5, secunda tantum post adamantem, praestans resistentiam attritionis superiorem.
3. Stabilitas Chemica
- Resistentia Corrosionis: Resistens acidis fortibus (e.g., HF, H₂SO₄), apta ad ambitus processus corrosionis.
- Non-Magneticum: Susceptibilitas magnetica intrinseca <1×10⁻⁶ emu/g, impedimenta cum instrumentis praecisionis vitans.
4. Tolerantia Extremae Ambientis
- Durabilitas Altae Temperaturae: Temperatura operationis diuturnae usque ad 1600–1900℃; resistentia brevis temporis usque ad 2200℃ (ambitu sine oxygenio).
- Resistentia Ictui Thermali: Mutationes temperaturae abruptas (ΔT > 1000℃) sine fissura tolerat.
Applicationes
| Campus Applicationis | Scenaria Specifica | Valor Technicus |
| Fabricatio Semiconductorum | Corructio crustularum (ICP), depositio pelliculae tenuis (MOCVD), politura CMP | Alta conductivitas thermalis campos temperaturae uniformes efficit; expansio thermalis humilis deformationem lamellae minuit. |
| Productio LED | Incrementum epitaxiale (e.g., GaN), incisio lamellarum, involucrum | Vitia multigeneris reprimit, efficientiam luminosam et diuturnitatem LED augens. |
| Industria Photovoltaica | Fornaces ad sinterizandum crustulas silicii, fulcra apparatuum PECVD | Resistentia ad altas temperaturas et ictus thermicos vitam instrumentorum extendit. |
| Laser et Optica | Substrata refrigerationis laseris magnae potentiae, fulcra systematis optici | Alta conductivitas thermalis celerem dissipationem caloris permittit, partes opticas stabiliens. |
| Instrumenta Analytica | Tenacula speciminum TGA/DSC | Capacitas calorica humilis et celeris responsio thermalis accuratiam mensurae augent. |
Commoda Producti
- Efficacia Comprehensiva: Conductivitas thermalis, robur, et resistentia corrosionis ceramicas aluminae et silicii nitridi longe superant, extremas postulationes operationales implentes.
- Designatio Levis: Densitas 3.1–3.2 g/cm³ (40% ferri), onus inertialem minuens et praecisionem motus augens.
- Longaevitas et Fiducia: Vita utilis quinque annos ad 1600℃ excedit, tempus inoperabile minuens et sumptus operationis triginta centesimis deminuens.
- Adaptatio: Geometrias complexas (e.g., pocula porosa, alveolas multistratas) cum errore planitatis <15 μm ad applicationes praecisionis sustinet.
Specificationes Technicae
| Categoria Parametrorum | Indicator |
| Proprietates Physicae | |
| Densitas | ≥3.10 g/cm³ |
| Robur Flexuralis (20℃) | 320–410 MPa |
| Conductivitas Thermalis (20℃) | 140–300 W/(m·K) |
| Coefficiens Expansionis Thermalis (25–1000℃) | 4.0×10⁻⁶/℃ |
| Proprietates Chemicae | |
| Resistentia Acida (HF/H₂SO₄) | Nulla corrosio post immersionem 24 horarum |
| Praecisio Machinationis | |
| Planities | ≤15 μm (300 × 300 mm) |
| Asperitas Superficialis (Ra) | ≤0.4 μm |
Officia XKH
XKH solutiones industriales comprehensivas praebet, quae evolutionem ad usum clientium, machinationem accuratam, et rigorosam qualitatis inspectionem comprehendunt. Pro evolutione ad usum clientium, solutiones materiarum altae puritatis (>99.999%) et porosarum (porositas 30-50%) offert, cum modellatione et simulatione 3D coniunctas, ut geometrias complexas pro applicationibus sicut semiconductores et industria aerospatialis optimizent. Machinatio accurata processum expeditum sequitur: processus pulveris → pressio isostatica/sicca → sinterizatio 2200°C → trituratio CNC/adamanti → inspectio, polituram nanometricam et tolerantiam dimensionalem ±0.01 mm curans. Inspectio qualitatis probationem totius processus (compositionem XRD, microstructuram SEM, flexionem 3 punctorum) et auxilium technicum (optimizationem processus, consultationem 24/7, traditionem exemplaris 48 horarum) includit, componentes fidiles et altae efficaciae pro necessitatibus industrialibus provectis praebens.
Quaestiones Frequenter Rogatae (QF)
1. Q: Quae industriae fercula ceramica e carburo silicii utuntur?
A: Late adhibita in fabricatione semiconductorum (tractatione crustulorum), energia solari (processibus PECVD), apparatu medico (componentibus MRI), et aerospatiali (partibus altae temperaturae) propter extremam resistentiam caloris et stabilitatem chemicam.
2. Q: Quomodo carburum silicii alveolis quartzorum/vitreorum superat?
A: Maior resistentia contra ictum thermalem (usque ad 1800°C contra 1100°C quartzi), nulla interferentia magnetica, et diuturnior vita (5+ anni contra 6-12 menses quartzi).
3. Q: Possuntne fercula e carburo silicii ambientes acidos tolerare?
A: Ita. Resistentes HF, H2SO4, et NaOH cum corrosione <0.01mm/anno, quae eas ideales reddit ad corrosionem chemicam et purgationem crustulorum.
4. Q: Suntne fercula carburi silicii cum automatione congruentia?
A: Ita. Ad collectionem vacui et tractationem roboticam designatum, cum planities superficialis <0.01mm ad contaminationem particularum in fabricis automatis prohibendam.
5. Q: Quaenam est comparatio pretii cum materiis traditis?
A: Sumptus initialis maius (3-5x quartzum) sed TCO 30-50% minus propter vitam extensam, tempus inoperabile imminutum, et energiae conservationem ex conductivitate thermali superiore.
