English

Lamella Epitaxialis SiC pro Instrumentis Electricis – 4H-SiC, Typus N, Densitate Vitiorum Humili

Lamella Epitaxialis SiC pro Instrumentis Electricis – 4H-SiC, Typus N, Densitate Vitiorum Humilis. Imago Praecipua.
  • Lamella Epitaxialis SiC pro Instrumentis Electricis – 4H-SiC, Typus N, Densitate Vitiorum Humili
  • Lamella Epitaxialis SiC pro Instrumentis Electricis – 4H-SiC, Typus N, Densitate Vitiorum Humili
  • Lamella Epitaxialis SiC pro Instrumentis Electricis – 4H-SiC, Typus N, Densitate Vitiorum Humili

Descriptio Brevis:

Lamella Epitaxialis SiC (SiC Epitaxial Wafer) in centro est modernarum machinarum semiconductorum summae efficaciae, praesertim earum quae ad operationes magnae potentiae, altae frequentiae, et altae temperaturae destinantur. Abbreviatio pro "Silicium Carbide Epitaxial Wafer" (SiC Epitaxial Wafer), lamella epitaxialis SiC constat ex tenui strato epitaxiali SiC altae qualitatis, super substratum SiC magnum creto. Usus technologiae Lamellae Epitaxialis SiC celeriter crescit in vehiculis electricis, retibus electricis intelligentibus, systematibus energiae renovabilis, et in industria aëronautica propter proprietates physicas et electronicas superiores comparatae cum lamellis silicii traditis.


Proprietates

Diagramma Detaliatum

Lamella Epitaxialis SiC-4
SiC Epitaxial Wafer-6 -

Introductio

Lamella Epitaxialis SiC (SiC Epitaxial Wafer) in centro est modernarum machinarum semiconductorum summae efficaciae, praesertim earum quae ad operationes magnae potentiae, altae frequentiae, et altae temperaturae destinantur. Abbreviatio pro "Silicium Carbide Epitaxial Wafer" (SiC Epitaxial Wafer), lamella epitaxialis SiC constat ex tenui strato epitaxiali SiC altae qualitatis, super substratum SiC magnum creto. Usus technologiae Lamellae Epitaxialis SiC celeriter crescit in vehiculis electricis, retibus electricis intelligentibus, systematibus energiae renovabilis, et in industria aëronautica propter proprietates physicas et electronicas superiores comparatae cum lamellis silicii traditis.

Principia Fabricationis Lamellae Epitaxialis SiC

Creatio lamellae epitaxialis SiC processum depositionis vaporis chemici (CVD) valde moderatum requirit. Stratum epitaxiale typice in substrato SiC monocrystallino crescit, gasibus ut silano (SiH₄), propano (C₃H₈), et hydrogenio (H₂) temperaturis excedentibus 1500°C utens. Haec accretio epitaxialis altae temperaturae optimam ordinationem crystallinam et minima vitia inter stratum epitaxiale et substratum praestat.

Processus complures gradus clavis comprehendit:

  1. Praeparatio SubstratiLamella SiC fundamentalis purgatur et ad laevitatem atomicam polita est.

  2. Incrementum CVDIn reactore altae puritatis, gases reagunt ut stratum SiC monocrystallinum in substrato deponant.

  3. Controlium DopingDopatio N-typi vel P-typi per epitaxiam inducitur ad proprietates electricas desideratas consequendas.

  4. Inspectio et MetrologiaMicroscopia optica, AFM, et diffractio radiorum X adhibentur ad crassitudinem stratum, concentrationem dopanti, et densitatem vitiorum verificandam.

Quaeque lamella epitaxialis SiC diligenter observatur ut tolerantiae strictae in uniformitate crassitudinis, planitate superficiei, et resistivitate serventur. Facultas subtiliter adaptandi hos parametros essentialis est pro MOSFETs altae tensionis, diodis Schottky, et aliis machinis potentiae.

Specificatio

Parametrum Specificatio
Categoriae Scientia Materiarum, Substrata Crystallina Singularia
Polytypus 4H
Doping Typus N
Diameter 101 mm
Tolerantia Diametri ± 5%
Crassitudo 0.35 mm
Tolerantia Crassitudinis ± 5%
Longitudo Plana Primaria 22 mm (± 10%)
TTV (Variatio Crassitudinis Totalis) ≤10 µm
Stamina ≤25 µm
FWHM ≤30 Arc-secunda
Superficies Finis Rq ≤0.35 nm

Applicationes Lamellae Epitaxialis SiC

Producta SiC Epitaxial Wafer in multis sectoribus necessaria sunt:

  • Vehicula Electrica (VE)Instrumenta SiC epitaxialia lamellata fundata efficientiam transmissionis augent et pondus minuunt.

  • Energia RenovabilisIn inversoribus pro systematibus energiae solaris et eolicae adhibitus.

  • Fontes Energiae IndustrialesCommutationem altae frequentiae et altae temperaturae cum minoribus iacturis efficiunt.

  • Aerospatium et DefensioIdoneum pro ambitus asperos ubi semiconductores robusti requiruntur.

  • Stationes Base 5GPartes lamellae epitaxialis SiC densitates potentiae maiores pro applicationibus RF sustinent.

Lamella epitaxialis SiC designationes compactas, commutationem celeriorem, et efficientiam conversionis energiae maiorem comparata cum lamellis silicii permittit.

Commoda Lamellae Epitaxialis SiC

Technologia lamellae epitaxialis SiC utilitates significantes offert:

  1. Alta Tensio DisruptionisTensiones usque ad decies altiores quam laminae Si resistit.

  2. Conductivitas ThermalisLamella epitaxialis SiC calorem celerius dissipat, permittens instrumenta frigidius et certius operari.

  3. Celeritates Commutationis AltaeDamna commutationis minora maiorem efficientiam et miniaturizationem efficiunt.

  4. Lata BandgapStabilitatem ad altiores tensiones et temperaturas praestat.

  5. Robustitudo MaterialisSiC est chemica iners et mechanice robustum, aptum ad usus difficiles.

Hae commoda laminam epitaxialem SiC materiam electionis proximae generationis semiconductorum faciunt.

Quaestiones Frequentes: Lamella Epitaxialis SiC

Q1: Quid interest inter lamellam SiC et lamellam epitaxialem SiC?
Lamina SiC ad substratum principalem refertur, dum Lamina Epitaxialis SiC stratum dopatum specialiter cultum et in fabricatione instrumentorum adhibitum continet.

Q2: Quae crassitudines praesto sunt pro stratis SiC Epitaxialis Wafer?
Strata epitaxialia typice a paucis micrometris ad plus quam 100 μm variant, pro requisitis applicationis.

Q3: Estne lamella epitaxialis SiC apta ad ambitus altae temperaturae?
Ita, lamella epitaxialis SiC in condicionibus supra 600°C operari potest, silicium significanter superans.

Q4: Cur densitas vitiorum in lamella epitaxiali SiC magni momenti est?
Densitas vitiorum inferior efficaciam et proventum instrumenti auget, praesertim in applicationibus altae tensionis.

Q5: Utrum laminae epitaxiales SiC generis N et generis P ambae praesto sint?
Ita, ambo genera producuntur utens accurata moderatione gasi dopanti per processum epitaxialem.

Q6: Quae magnitudines lamellarum sunt normae pro Lamella Epitaxiali SiC?
Diametri normales includunt duas, quattuor, sex uncias, et magis et magis octo uncias ad fabricationem magnae voluminis.

Q7: Quomodo lamella epitaxialis SiC sumptum et efficientiam afficit?
Quamquam initio carior quam silicium, lamella epitaxialis SiC magnitudinem systematis et iacturam potentiae minuit, ita efficientiam sumptus totalis in longo termino augens.

  • Praecedens:
  • Deinde:

    • Producta Similia

    Nuntium tuum hic scribe et nobis mitte.
    Preme "Enter" ad quaerendum vel "ESC" ad claudendum