Lens optica Sic 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Magnitudine ad mensuram aptata

Descriptio Brevis:

Lens optica SiC est elementum opticum summae qualitatis, in materia carburi silicii (SiC) fundatum, dimensiones et geometrias plene configurabiles habens. Proprietatibus opticis praestantibus SiC — inter quas latae fenestrae transmissionis, altus index refractionis, et validi coefficientes optici non lineares — utens, hae lentes applicationes amplas in photonicis, systematibus informationis quanticae, et photonicis integratis inveniunt.
ZMSH lentes opticas SiC (lentes opticae e carburo silicii) altae efficacitatis cum dimensionibus et geometriis adaptabilibus praebet, ut variis requisitis systematum opticorum satisfaciant. Ex materiis carburi silicii altae puritatis fabricatae, hae lentes stabilitatem thermalem, firmitatem mechanicam, et efficacitatem opticam eximiam exhibent, quae eas ideales reddunt ad applicationes provectas, inter quas laseres altae potentiae, systemata aerospatialia, et optica infrarubra.
Propter egregiam resistentiam altarum temperaturarum, duritiem radiationis, et singularem robustatem mechanicam, lentes opticae SiC late in systematibus aëronauticis, technologiis LiDAR, et systematibus opticis ultraviolaceae adhibentur. Singularis earum proprietatum materialium coniunctio operationem fidam in condicionibus extremis permittit, dum praestantia optica servatur.


Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Characteres Claves

Compositio chemica Al₂O₃
Duritia 9Mohs
Natura optica Uniaxialis
Index refractionis 1.762-1.770
Birefringentia 0.008-0.010
Dispersio Humilis, 0.018
Splendor Vitreum
Pleochroismus Moderata ad Fortem
Diameter 0.4mm-30mm
Tolerantia diametri 0.004mm-0.05mm
longitudo 2mm-150mm
tolerantia longitudinis 0.03mm-0.25mm
Qualitas superficiei 40/20
Rotunditas superficiei RZ0.05
Forma consuetudinaria utraque extremitas plana, altera extremitas redius, utraque extremitas redius,
fibulae ephippii et formae speciales

Proprietates Claves

1. Index Refractionis Altus et Fenestra Transmissionis Lata: Lentes opticae SiC praeclaram facultatem opticam demonstrant cum indice refractionis circiter 2.6-2.7 per spectrum operationale. Haec fenestra transmissionis lata (600-1850 nm) regiones et visibiles et prope infrarubras amplectitur, eas praecipue utiles reddit pro systematibus imaginandi multispectralibus et applicationibus opticis latis fasciae. Coefficiens absorptionis humilis materiae in his amplitudinibus minimam attenuationem signi praestat, etiam in applicationibus laseris magnae potentiae.

2. Proprietates Opticae Non Lineares Eximiae: Structura crystallina singularis carburi silicii ei coefficientibus opticis non linearibus insignibus (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m²/V²) praebet, qui efficaces processus conversionis frequentiae permittunt. Hae proprietates active in applicationibus novissimis, ut oscillatoribus parametricis opticis, systematibus laser ultravelocibus, et instrumentis omnino opticis ad signalia tractanda, explorantur. Limen damni altum materiae (>5 GW/cm²) aptitudinem eius ad applicationes altae intensitatis adhuc auget.

3. Stabilitas Mechanica et Thermica: Modulo elastico ad 400 GPa appropinquante et conductivitate thermali 300 W/m·K excedente, componentes optici SiC stabilitatem exceptionalem sub tensione mechanica et cyclis thermalibus servant. Coefficiens expansionis thermalis infimus (4.0×10⁻⁶/K) mutationem focalem minimam cum variationibus temperaturae praestat, commodum criticum systematibus opticis praecisionis in ambitus thermalibus fluctuantibus operantibus, ut applicationibus spatialibus vel apparatu industriali laserico.

4. Proprietates Quanticae: Centra colorum vacuitatis silicii (VSi) et divacuniae (VSiVC) in polytypis 4H-SiC et 6H-SiC status spinorum optice programmabiles cum longis temporibus cohaerentiae ad temperaturam ambientem exhibent. Hi emissores quantici in retia quantica scalabilia integrantur et praecipue promittunt ad sensoria quantica temperaturae ambientis et machinas memoriae quanticae in architecturis photonicis computationis quanticae evolvendas.

5. Compatibilitas CMOS: Compatibilitas SiC cum processibus fabricationis semiconductorum normalibus integrationem monolithicam directam cum suggestis photonicis silicii permittit. Hoc creationem systematum photonico-electronicorum hybridorum permittit, quae commoda optica SiC cum functione electronica silicii coniungunt, novas possibilitates pro designis systematis-in-lamella (system-on-chip) in applicationibus computationis et sensuum opticorum aperiens.

Applicationes Primariae

1. Circuiti Photonici Integrati (PICs): In PICs novae generationis, lentes opticae SiC densitatem integrationis et efficaciam inauditam efficiunt. Praecipue utiles sunt ad interconnexiones opticas scalae terabit in centris datorum, ubi combinatio indicis refractionis alti et iacturae humilis radios flexionis angustos sine degradatione signorum significanti permittit. Progressus recentes usum earum in circuitibus photonicis neuromorphicis ad applicationes intelligentiae artificialis demonstraverunt, ubi proprietates opticae non lineares implementationes retium neuralium omnino opticarum permittunt.

2. Informatio et Computatio Quantica: Ultra applicationes centrorum colorum, lentes SiC in systematibus communicationis quanticae adhibentur propter facultatem servandi status polarizationis et compatibilitatem cum fontibus photonum singularium. Alta nonlinearitas secundi ordinis materiae ad interfacies conversionis frequentiae quanticae adhibetur, quae essentiales sunt ad connectenda diversa systemata quantica in longitudinibus undarum disparatis operantia.

3. Aerospatium et Defensio: Durities radiationis SiC (resistens dosibus >1 MGy) id indispensabile reddit systematibus opticis spatialibus. Recentes usus includunt indagatores stellarum ad navigationem satellitum et terminales communicationis opticae ad nexus intersatellites. In applicationibus defensionis, lentes SiC novas generationes systematum laser compactorum, altae potentiae ad applicationes energiae directae et systematum LiDAR provectorum cum resolutione distantiae emendata efficiunt.

4. Systema Optica UV: Effectus SiC in spectro UV (praesertim infra 300 nm) una cum resistentia effectibus solaris facit ut materia electa sit pro systematibus lithographiae UV, instrumentis monitoriis ozoni, et apparatu observationis astrophysicae. Alta conductivitas thermalis materiae praecipue utilis est pro applicationibus UV magnae potentiae ubi effectus lentis thermalis optica conventionalia degradarent.

5. Instrumenta Photonica Integrata: Ultra applicationes traditionales ducum undarum, SiC novas classes instrumentorum photonicorum integratorum efficit, inter quos isolatores optici in effectibus magneto-opticis fundati, microresonatores ultra-alti-Q ad generationem pectinis frequentiae, et modulatores electro-optici cum latitudine transmissionis excedentibus 100 GHz. Hae progressiones innovationes in processu signorum opticorum et systematibus photonicis micro-undarum impellunt.

Servitium XKH

Producta XKH late in campis technologiae provectae, ut in analysi spectroscopiae, systematibus lasericis, microscopiis, et astronomia, adhibentur, efficaciam et firmitatem systematum opticorum efficaciter augentes. Praeterea, XKH praebet auxilium designandi completum, officia machinalia, et prototypationem rapidam ut clientes producta sua celeriter validare et in serie producere possint.

Prismata nostra optica SiC eligendo, his commodis frueris:

1. Efficacia Superior: Materiae SiC duritiem magnam et resistentiam thermalem offerunt, stabilem efficaciam etiam sub condicionibus extremis praestantes.
2. Officia Personalizata: Plenum processum a consilio ad productionem secundum requisita emptoris sustinemus.
3. Traditio Efficax: Processibus provectis et experientia dives, celeriter necessitatibus clientium respondere et tempore suo tradere possumus.

Prisma opticum SiC 3
Prisma opticum SiC 4
Prisma opticum SiC 6

  • Praecedens:
  • Deinde:

  • Nuntium tuum hic scribe et nobis mitte.