SiC
-
Lamellae carburi silicii duarum unciarum, substrata SiC typi N 6H vel 4H, vel semi-insulantia.
-
Substratum SiC 4H-N 4 unciarum, lamellae e carburo silicii, ad productionem simulatam, gradus investigationis.
-
Lamellae SiC e carburo silicii, sex unciarum, 150 mm, typi 4H-N, ad investigationem productionis MOS vel SBD et ad gradum fictum.
-
Lamellae ficticiae conductivae 4H-N SiC, 8 pollicum, 200 mm, gradus investigationis.
-
Lamellae carburi silicii duarum unciarum, substrata SiC typi N 6H vel 4H, vel semi-insulantia.