Ferculum Ceramicum Carbidi Silicii – Fercula Durabilia et Altae Efficaciae ad Usus Thermicos et Chemicos

Descriptio Brevis:

 


Proprietates

Diagramma Detaliatum

quinque
quattuor

Introductio Producti

Fercula ceramica e carburo silicii (SiC) facta sunt partes summae efficacitatis, late in ambitus industrialibus temperaturae altae, onerum magnorum, et asperitatis chemicae adhibentur. Ex materiis ceramicis carburi silicii provectis fabricata, haec fercula ad praebendam firmitatem mechanicam eximiam, conductivitatem thermalem superiorem, et resistentiam excellentem contra ictum thermalem, oxidationem et corrosionem designata sunt. Natura earum robusta ea aptissima reddit ad varias applicationes industriales, inter quas fabricationem semiconductorum, processum photovoltaicum, sinterationem partium metallurgiae pulveris, et plura.

Fercula e carburo silicii facta ut vectores vel sustentacula necessaria funguntur per processus curationis thermalis ubi accuratio dimensionalis, integritas structuralis, et resistentia chemica maximi momenti sunt. Comparata cum materiis ceramicis traditis, ut alumina vel mullite, fercula e carburo silicii facta efficaciam multo maiorem offerunt, praesertim in condicionibus quae repetitas cyclationes thermales et atmosphaeras aggressivas requirunt.

Processus Fabricationis et Compositio Materiarum

Productio ferculorum ceramicorum SiC artem accuratam et technologias sinterizationis provectas requirit ut densitas magna, microstructura uniformis, et effectus constans praestetur. Gradus generales includunt:

  1. Selectio Materiae Crudae
    Pulvis carburi silicii altae puritatis (≥99%) deligitur, saepe cum certa magnitudine particularum moderatione et minimis impuritatibus ut proprietates mechanicae et thermales altae praestentur.

  2. Methodi Formandi
    Pro specificationibus ferculi, variae rationes formationis adhibentur:

    • Pressio Isostatica Frigida (CIP) pro compactis densitatis altae, uniformibus

    • Extrusio vel fusio labens pro formis complexis

    • Iniectio formans ad geometrias accuratas et distinctas

  3. Technicae Sinterizationis
    Corpus viride sub atmosphaera inerti vel vacuo ad temperaturas altissimas, typice circa 2000°C, sinterizatur. Methodi sinterizationis communes includunt:

    • SiC Reactione Ligatum (RB-SiC)

    • SiC Sinterizatum Sine Pressura (SSiC)

    • SiC recrystallizatum (RBSiC)
      Quaeque methodus proprietates materiae paulo diversas, ut porositatem, firmitatem, et conductivitatem thermalem, efficit.

  4. Machinatio Praecisa
    Post sinterizationem, alveoli machinantur ut tolerantiae dimensionales strictae, superficies lenis, et planities efficiantur. Curationes superficiales, ut laevigatio, abrasio, et politura, secundum necessitates emptoris adhiberi possunt.

Applicationes Typicae

Fercula ceramica e carburo silicii ob versatilitatem et firmitatem in variis industriis adhibentur. Usus communes includunt:

  • Industria Semiconductorum
    Fercula SiC ut vectores in processibus recoctionis, diffusionis, oxidationis, epitaxiae, et implantationis lamellarum adhibentur. Stabilitas earum distributionem temperaturae uniformem et contaminationem minimam praestat.

  • Industria Photovoltaica (PV)
    In productione cellularum solarium, alveoli SiC massas vel laminas silicii sustinent per gradus diffusionis et sinterizationis altae temperaturae.

  • Metallurgia Pulveris et Ceramica
    Adhibetur ad componentes sustentandos durante sinterizatione pulverum metallicorum, ceramicarum, et materiarum compositarum.

  • Vitrum et Tabulae Ostentationis
    Adhibentur ut fercula vel suggesta fornacis ad fabricanda vitra specialia, substrata LCD, vel alia elementa optica.

  • Processus Chemici et Fornaces Thermicae
    Inserviunt ut vectores corrosioni resistentes in reactoribus chemicis vel ut alveoli sustentationis thermalis in furnis vacui et atmosphaerae moderatae.

Ferculum Ceramicum SIC 20

Proprietates Claves Efficientiae

  • Stabilitas Thermalis Eximia
    Usum continuum in temperaturis usque ad 1600–2000°C sine deformatione aut degradatione sustinet.

  • Alta Robur Mechanica
    Magnam vim flexuralem (plerumque >350 MPa) praebet, quo diuturnam firmitatem etiam sub magnis oneris praestat.

  • Resistentia Ictus Thermalis
    Excellens effectus in ambitu cum rapidis fluctuationibus temperaturae, periculum fissurarum minuens.

  • Resistentia Corrosionis et Oxidationis
    Chemice stabilis in plurimis acidis, alcalibus, et gasibus oxidantibus/reducentibus, aptus ad processus chemicos asperos.

  • Accuratio Dimensionalis et Planities
    Ad summam praecisionem machinatum, aequabilem processus et compatibilitatem cum systematibus automatis praestans.

  • Longa Vita et Efficientia Impensarum
    Pretia substitutionis inferiores et sumptus sustentationis reducti eam solutionem sumptibus parcam per tempus efficiunt.

Specificationes Technicae

Parametrum Valor Typicus
Materia SiC Reactione Ligatum / SiC Sinterizatum
Temperatura Operativa Maxima 1600–2000°C
Robur Flexurale ≥350 MPa
Densitas ≥3.0 g/cm³
Conductivitas Thermalis ~120–180 W/m·K
Planities Superficialis ≤ 0.1 mm
Crassitudo 5–20 mm (configurabilis)
Dimensiones Norma: 200×200 mm, 300×300 mm, et cetera.
Superficies Finis Machinatum, politum (ad petitionem)

 

Quaestiones Frequenter Rogatae (QF)

Q1: Possuntne alveoli carburi silicii in furnis vacui adhiberi?
A:Ita, alveoli SiC propter parvam emissionem gasorum, stabilitatem chemicam, et resistentiam altae temperaturae aptissimi sunt ad ambitus vacui.

Q2: Suntne formae vel fissurae ad usum accommodatae praesto?
A:Certe. Officia customizationis offerimus, inter quae magnitudo ferculi, forma, lineamenta superficiei (e.g., sulci, foramina), et politura superficiei, ut requisitis singularibus clientium satisfaciamus.

Q3: Quomodo SiC cum alveolis aluminae vel quartzis comparatur?
A:SiC maiorem firmitatem, meliorem conductivitatem thermalem, et resistentiam superiorem contra impetum thermalem et corrosionem chemicam habet. Dum alumina magis sumptibus parcitur, SiC melius in ambitus difficilibus se gerit.

Q4: Estne crassitudo norma harum alveorum?
A:Crassitudo typice est in intervallo 5-20 mm, sed eam secundum applicationem tuam et requisita oneris ferendi aptare possumus.

Q5: Quod est tempus typicum productionis pro ferculis SiC ad mensuram fabricandis?
A:Tempora productionis variantur secundum complexitatem et quantitatem, sed plerumque a duabus ad quattuor hebdomades pro mandatis ad singulorum necessitates pertinentibus variantur.

De Nobis

XKH in evolutione, productione, et venditione vitri optici specialis et novarum materiarum crystallinarum excellit. Nostra producta electronicis opticis, electronicis domesticis, et militaribus serviunt. Offerimus partes opticas sapphirinas, tegumenta lentium telephonorum mobilium, ceramicas, LT, SIC carburi silicii, quarzum, et crustula crystallina semiconductoria. Cum peritia perita et apparatu modernissimo, excellimus in processu productorum non consuetorum, propensi ad esse societatem technologiae provectiorem in materiis optoelectronicis.

567

  • Praecedens:
  • Deinde:

  • Nuntium tuum hic scribe et nobis mitte.