Substratum
-
Substratum SiC SiC Epi-wafer conductivum/semitypum 4 6 8 unciarum
-
Lamella Epitaxialis SiC pro Instrumentis Electricis – 4H-SiC, Typus N, Densitate Vitiorum Humili
-
Lamella Epitaxialis SiC Typi 4H-N Altae Tensionis Altae Frequentiae
-
Lamella LNOI 8 pollicum (LiNbO3 in Insulatore) pro Modulatoribus Opticis, Ductibus Undarum, et Circuitibus Integratis
-
Lamella LNOI (Lithium Niobatum in Isolatore) Telecommunicationis Sensus Electro-Opticus Altus
-
Substrata Silicii Carbidi (HPSl) semi-insulantia, lamellae trium unciarum, altae puritatis (sine dopatione)
-
Lamella substrati SiC 4H-N 8 unciarum, e carburo silicii simulato, crassitudine 500um, gradus investigationis.
-
Sapphiri dia crystallus singularis, alta duritia Morhs 9 resistens abrasioni, configurabilis
-
Substratum Sapphiri Pictatum PSS 2unciae 4unciae 6unciae ICP siccum incisum ad fragmenta LED adhiberi potest.
-
Substratum Sapphiri Figuratum (PSS) 2 unciarum, 4 unciarum, 6 unciarum, in quo materia GaN crescit, ad illuminationem LED adhiberi potest.
-
Substratum carburi silicii, diametro 150mm, fictitium gradus, SiC Wafer Reasearch productum, 4H-N/6H-N
-
Lamina au obducta, lamina sapphirina, lamina silicii, lamina SiC, 2 unciae 4 unciae 6 unciae, crassitudo aurata 10 nm 50 nm 100 nm