Substratum
-
Crustae SiC e carburo silicii, 8 pollicum, 200 mm, typi 4H-N, crassitudine 500 µm, crassitudine 100 µm.
-
Substratum carburi silicii 6H-N duarum unciarum, lamella silicio-carburi, dupliciter polita, conductiva, gradus primi, gradus mos-carburi.
-
Substrata Silicii Carbidi (HPSl) semi-insulantia, lamellae trium unciarum, altae puritatis (sine dopatione)
-
Sapphiri dia crystallus singularis, alta duritia Morhs 9 resistens abrasioni, configurabilis
-
Substratum Sapphiri Pictatum PSS 2unciae 4unciae 6unciae ICP siccum incisum ad fragmenta LED adhiberi potest.
-
Substratum Sapphiri Figuratum (PSS) 2 unciarum 4 unciarum 6 unciarum, in quo materia GaN crescit, ad illuminationem LED adhiberi potest.
-
Lamina au obducta, lamina sapphirina, lamina silicii, lamina SiC, 2 unciae 4 unciae 6 unciae, crassitudo aurata 10 nm 50 nm 100 nm
-
Lamina aurea silicii (Lamina Si) 10nm 50nm 100nm 500nm Au Excellens Conductivitas pro LED
-
Crustae silicii auratae, 2, 4, 6 pollices, crassitudo strati aurei: 50nm (± 5nm) vel pellicula obducta Au, puritas 99.999%.
-
AlN-in-NPSS Wafer: Stratum Aluminii Nitridi Altae Efficientiae in Substrato Sapphirino Non Polito ad Applicationes Altae Temperaturae, Altae Potentiae, et RF.
-
AlN in FSS 2unciarum 4unciarum NPSS/FSS exemplar AlN pro area semiconductorum
-
Gallii Nitridum (GaN) Epitaxiale Crescens in Lamellas Sapphirinas 4" 6" pro MEMS