Substratum
-
Gallii Nitridum (GaN) Epitaxiale Crescens in Lamellas Sapphirinas 4" 6" pro MEMS
-
Lentes Silicii Monocrystallini (Si) Praecisionis – Magnitudines et Tegumenta Consuetudinaria ad Optoelectronicam et Imaginem Infrarubram
-
Lentes Silicii (Si) Crystallini Unius Puritatis Altae Ad Personam Adaptatae – Magnitudines et Tegumenta Ad Usus Infrarubri et THz (1.2-7µm, 8-12µm)
-
Fenestra Optica Sapphirina Gradualis, Crystallo Singulari Al2O3, Altae Puritatis, Diametro 45mm, Crassitudo 10mm, Laser Secta et Polita
-
Fenestra Sapphirina Gradualis Altae Efficaciae, Crystallo Singulari Al2O3, Obducta Pellucida, Formis et Magnitudinibus Adaptatis ad Usus Opticos Praecisos
-
Clavus Elevatorius Sapphiri Altae Efficaciae, Crystallus Singularis Al2O3 Purus ad Systema Transferendi Crustulas – Magnitudines Consuetudinariae, Alta Firmitas ad Applicationes Praecisionis
-
Virga et clavus elevationis sapphirinae industrialis, clavus sapphirina Al2O3 altae duritiae ad tractationem crustulorum, systema radaricum et processum semiconductorum – Diametro 1.6mm ad 2mm
-
Clavus Elevationis Sapphiri Adaptatus, Partes Opticae Crystallini Singularis Al2O3 Altae Duritudinis ad Transferendum Crustulum – Diametro 1.6mm, 1.8mm, Adaptabilis ad Usus Industriales
-
Lentis globosa sapphirina, materia Al2O3, gradus optici, ambitus transmissionis 0.15-5.5um, diametro 1mm 1.5mm.
-
Globus sapphiri Dia 1.0 1.1 1.5 ad lentis globi optici altae duritiae crystalli singularis
-
Diameter sapphiri coloratus, diameter sapphiri pro horologio, diameter configurabilis 40 38mm, crassitudo 350um 550um, alta perspicuitas.
-
Lamella InSb 2 pollices 3 pollices sine dopatione typi N typi P orientatione 111 100 ad Detectoria Infrarubra