Substratum
-
Clavus Elevatorius Sapphiri Altae Efficaciae, Crystallus Singularis Al2O3 Purus ad Systema Transferendi Crustulas – Magnitudines Consuetudinariae, Alta Firmitas ad Applicationes Praecisionis
-
Virga et clavus elevationis sapphirinae industrialis, clavus sapphirina Al2O3 altae duritiae ad tractationem crustulorum, systema radaricum et processum semiconductorum – Diametro 1.6mm ad 2mm
-
Clavus Elevationis Sapphiri Adaptatus, Partes Opticae Crystallini Singularis Al2O3 Altae Duritudinis ad Transferendum Crustulum – Diametro 1.6mm, 1.8mm, Adaptabilis ad Usus Industriales
-
Lentis globosa sapphirina, materia Al2O3, gradus optici, ambitus transmissionis 0.15-5.5um, diametro 1mm 1.5mm.
-
Globus sapphiri Dia 1.0 1.1 1.5 ad lentis globi optici altae duritiae crystalli singularis
-
Diameter sapphiri coloratus, diameter sapphiri pro horologio, diameter configurabilis 40 38mm, crassitudo 350um 550um, alta perspicuitas.
-
Lamella InSb 2 pollices 3 pollices sine dopatione typi N typi P orientatione 111 100 ad Detectoria Infrarubra
-
Lamellae Indii Antimonidi (InSb) typi N typi P typi Epi paratae non dopatae Te dopatae vel Ge dopatae, 2 unciarum 3 unciarum, 4 unciarum crassitudinis.
-
SiC laganum 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H semi 4H-P 6H-P 3C genus 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
-
Lingotum sapphirinum 3unciarum 4unciarum 6unciarum Monocrystallinum CZ KY methodo configurabile
-
Detector lucis APD substrati lamellae epitaxialis InP 2 pollicum 3 pollicum 4 pollicum ad communicationes fibrae opticae vel LiDAR.
-
Anulus sapphirinus e materia sapphirina synthetica factus, perspicuus et ad mensuram aptabilis, duritia Mohs 9.