Substratum
-
Lingotum semi-insulatorium carburi silicii 4H-SiC, sex unciarum, gradus fictitii
-
Lingotum SiC typi 4H, diametro 4 pollicum, crassitudine 6 pollicum, 5-10 mm, gradus investigationis/fictitii.
-
Sapphirus sex unciarum, crystallus singularis, sapphirus Boule, Al2O3 99.999%
-
Substratum Sic, crustula carburi silicii, typus 4H-N, alta duritia, resistentia corrosionis, politura primae classis.
-
Lamella carburi silicii duarum unciarum, typus 6H-N, gradus primi, gradus investigationis, gradus fictitius, crassitudo 330μm-430μm.
-
Substratum carburi silicii 2 pollicum 6H-N, utrinque politum, diametro 50.8 mm, gradus productionis, gradus investigationis.
-
Substratum SIC typi p 4H/6H-P 3C-N typi 4 unciarum 〈111〉± 0.5°Zero MPD
-
Substratum SiC typi P 4H/6H-P 3C-N 4unciae crassitudine 350µm Gradus productionis Gradus fictitii
-
4H/6H-P lamella SiC sex unciarum, gradus MPD zero, gradus productionis, gradus simulati.
-
Lamella SiC typi P 4H/6H-P 3C-N, crassitudine 6 pollicum, 350 μm, cum orientatione plana primaria.
-
Processus TVG in lamella quartz-sapphiri BF33 Perforatio lamellae vitreae
-
Lamella Silicii Crystallina Singularis Substratum Si Typus N/P Lamella Silicii Carbidi Optionalis