Lamellae SiC quattuor unciarum, substrata SiC semi-insulantia 6H, gradus primarius, investigationis, et fictitii.

Descriptio Brevis:

Substratum carburi silicii semi-insulatum per secando, triturando, poliendo, purgando, aliisque technologis tractandis post accretionem crystalli carburi silicii semi-insulati formatur. Stratum crystallinum vel multistratum in substrato crescit quod requisitis qualitatis, ut epitaxia, satisfacit, deinde instrumentum micro-undarum radiophonicarum (RF) fabricatur per combinationem designii circuitus et involucri. Praesto est ut substrata monocrystallina carburi silicii semi-insulata, magnitudinibus 2", 3", 4", 6", 8", industrialia, investigationis, et probationis.

Mitte nobis inscriptionem electronicam

Proprietates

Specificatio Producti

Gradus			Gradus Productionis MPD Zero (Gradus Z)			Gradus Productionis Standardis (Gradus P)		Gradus Simulacrum (Gradus D)
Diameter			99.5 mm ~ 100.0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Orientatio Lamellae			Extra axem: 4.0° versus <1120> ±0.5° pro 4H-N, In axem: <0001>±0.5° pro 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientatio Plana Primaria		{10-10} ±5.0°
Longitudo Plana Primaria		32.5 mm ± 2.0 mm
Longitudo Plana Secundaria		18.0 mm ± 2.0 mm
Orientatio Plana Secundaria		Facies siliconis sursum: 90° dextram a plano primo ±5.0°
Exclusio Marginis		Tres millimetra
LTV/TTV/Arcus/Stamen		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Asperitas			Facies C				Polonica		Ra≤1 nm
			Facies Si	CMP	Ra ≤ 0.2 nm					Ra ≤ 0.5 nm
Fissurae Marginum a Luce Altae Intensitatis		Nullus						Longitudo cumulativa ≤ 10 mm, singularis longitudo ≤2 mm
Laminae Hexagonales Luce Altae Intensitatis		Area cumulativa ≤0.05%						Area cumulativa ≤0.1%
Areae Polytypae Luce Altae Intensitatis		Nullus						Area cumulativa ≤3%
Inclusiones Carbonis Visuales		Area cumulativa ≤0.05%						Area cumulativa ≤3%
Scalpturae Superficiei Silicii a Luce Altae Intensitatis		Nullus						Longitudo cumulativa ≤ 1 * diametrus crustulae
Fragmenta Marginis Alta Per Lucem Intensivam		Nulla permissa latitudo et profunditas ≥0.2 mm						Quinque permissi, ≤1 mm singuli
Contaminatio Superficiei Silicii per Intensitatem Magnam		Nullus
Involucrum		Cassetta Multi-Oblectarum vel Vasculum Unius Oblectarum