4H-semi HPSI 2inch Sic subiecto laganum Productio Donec Research gradus

Silicon carbide subiectum maxime dividitur in genus conductivum et semi-insulantem, carbidi carbidi conductivi substrati ad n-typum maxime adhibitum est pro epitaxiali GaN fundatum LED et aliis machinis optoelectronicis, SiC-fundatur vis electronicarum machinarum, etc., et semi- insulating SiC carbide silicon subiecta maxime adhibetur pro epitaxial fabricandi GaN summus potentiae radiophonicae frequentiae cogitationes.Praeter alta-puritas semi-insulationis HPSI et SI diversa semiinsulatio, summus puritas semi-insulationis ferebat intentionem 3.5* 1013 ~ 8* 1015/cm3, cum mobilitate alta electronica;semi-insulatio materiae est summus resistentiae, resistivity altissima est, plerumque pro Proin fabrica subiecta, non-activa.

Semi-insulating Silicon Carbide substratum sheet SiC laganum

SiC crystallus structuram suam physicam, relativam Si et GaAs, SiC pro physica determinat;latitudo band vetita magna est, proxima ad 3 tempora Sii, ut fabrica fabrica temperaturas sub diuturno firmitate operetur;naufragii agri vires altae, 1O tempora quae Sii, ut fabrica intentione capacitatis, amplio fabrica intentione valorem;saturitas electronica rate est magna, 2 times quae of Si est, ad augendam frequentiam et vim densitatis fabrica;Scelerisque conductivity is high, than Si, the thermal conductivity is high, the thermal conductivity is high, the scelerisque conductivity is high, augue quam in, scelerisque conductivity is high a scelerisque.Princeps scelerisque conductivity, plus quam 3 temporibus Si, augens calorem dissipationis capacitatis de fabrica et perceptio miniaturizationis machinae.