6inch HPSI SiC substrata laganum Silicon Carbide Semi contumeliae SiC uncta

Currentis incrementi methodi pro SiC uno crystallo maxime includuntur haec tria: methodus Phase liquida, caliditas chemicae vaporum methodus depositionis, et methodus vapor corporis gasi (PVT).Inter eos, methodus PVT technologiae maxime pervestigandae et maturae pro SiC unicum crystalli incrementum, eiusque difficultates technicae sunt:

(1) SiC unicum cristallum in caliditate 2300° C supra graphite clausum cubiculi ad complendum processum "solidum - gas- solidum" conversionis recrystallisationis, incrementum cycli est longum, difficile ad temperandum, ad microtubulas, inclusiones et proclives. alia vitia.

(2) Pii carbide una cristallus, inclusis plusquam 200 diversis generibus crystalli, sed productio generalis unius tantum generis crystalli, facilis ad producendum transformationem in cristallum genus in processu incrementi proveniens in defectibus multi-typis inclusionum, processus praeparationis unius. speciei crystalli specificae difficile est stabilitatem processus regere, exempli gratia, amet vena 4H-typei.

(3) Pii carbide unica cristalli incrementi campi thermarum ibi est clivus temperatus, unde in cristallo incrementi processus nativi est accentus internus et inde luxationes, vitia et alia vitia inducta.

(4) Pii carbida unica cristalli incrementi processum, immunditiae externae stricte moderari debet, ita ut altissimam puritatem semi-insulantem crystallum obtineat vel crystallum directum evincat.Pro semi-insulante carbide silicone subiectae in RF adhibitis machinis, proprietates electricas efficiendae sunt, regente turpitudinem nimiam concentrationis ac specierum defectuum puncti in crystallo specifica.