Lamellae ficticiae conductivae 4H-N SiC, 8 pollicum, 200 mm, gradus investigationis.

Lamella simulata conductiva 4H-N SiC, 8 pollicum, 200 mm, gradus investigationis, imago insignis.

Descriptio Brevis:

Dum mercatus vecturae, energiae et industriae evolvunt, postulatio electronicorum potentiae fidorum et summae efficaciae pergit crescere. Ut necessitatibus melioris efficaciae semiconductorum satisfaciant, fabri machinarum ad materias semiconductorum latam lacunae frequentiae (bandwidth) spectant, ut puta nostram seriem 4H SiC Prime Grade laminarum carburi silicii (SiC) 4H n-typi.

Mitte nobis inscriptionem electronicam

Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Ob proprietates suas physicas et electronicas singulares, materia semiconductoria SiC 200mm ad creanda instrumenta electronica summae efficacitatis, altae temperaturae, radiationi resistens, et altae frequentiae adhibetur. Pretium substrati SiC 8 unciarum gradatim decrescit dum technologia magis progreditur et postulatio crescit. Recentes progressiones technologicae ad fabricationem laminarum SiC 200mm in scala productionis ducunt. Praecipua commoda materiarum semiconductoriarum SiC comparatione cum laminis Si et GaAs: Vis campi electrici 4H-SiC durante disruptione avalanche plus quam ordine magnitudinis maior est quam valores correspondentes pro Si et GaAs. Hoc ad significantem decrementum resistivitatis Ron in statu acti ducit. Humilis resistentia in statu acti, cum alta densitate currentis et conductivitate thermali coniuncta, usum laminarum minimarum pro instrumentis potentiae permittit. Alta conductivitas thermalis SiC resistentiam thermalem fragmenti minuit. Proprietates electronicae instrumentorum ex laminis SiC fundatorum per tempus et temperaturae stabiles sunt, quod magnam firmitatem productorum praestat. Carburum silicii radiationi durae maxime resistens est, quod proprietates electronicas fragmenti non degradat. Alta temperatura operandi crystalli (plus quam 6000°C) permittit ut machinas valde certas ad condiciones operandi difficiles et usus speciales crees. In praesenti, parvas copias crustularum SiC 200mm constanter et continue praebere possumus, et nonnullas copias in horreo habemus.

Specificatio

Numerus	Res	Unitas	Productio	Investigatio	Simulacrum
1. Parametri
1.1	polytypus	--	4H	4H	4H
1.2	orientatio superficiei	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
2. Parametrus electricus
2.1	dopans	--	Nitrogenium typi n	Nitrogenium typi n	Nitrogenium typi n
2.2	resistivitas	ohm ·cm	0.015~0.025	0.01~0.03	NA
3. Parametrus mechanicus
3.1	diameter	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	crassitudo	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientatio incisurae	°	[1-100]±5	[1-100]±5	[1-100]±5
3.4	Profunditas Incisurae	mm	1~1.5	1~1.5	1~1.5
3.5	LTV	μm	≤5 (10mm * 10mm)	≤5 (10mm * 10mm)	≤10 (10mm * 10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Arcus	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Stamina	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4. Structura
4.1	densitas microtuborum	singula/cm²	≤2	≤10	≤50
4.2	contentum metallicum	atomi/cm²	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	singula/cm²	≤500	≤1000	NA
4.4	Perturbatio personalitatis limitem personalitatis (PPL)	singula/cm²	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	singula/cm²	≤7000	≤10000	NA
5. Qualitas positiva
5.1	frons	--	Si	Si	Si
5.2	superficies ornata	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	particula	crustulum/oblectum	≤100 (magnitudo ≥0.3μm)	NA	NA
5.4	scalpere	crustulum/oblectum	≤5, Longitudo Totalis ≤200mm	NA	NA
5.5	Margo fragmenta/incisiones/fissurae/maculae/contaminatio	--	Nullus	Nullus	NA
5.6	Areae polytypae	--	Nullus	Area ≤10%	Area ≤30%
5.7	notatio anterior	--	Nullus	Nullus	Nullus
6. Qualitas dorsi
6.1	finis posterior	--	MP faciei C	MP faciei C	MP faciei C
6.2	scalpere	mm	NA	NA	NA
6.3	Margo vitiorum posteriorum fragmenta/indentationes	--	Nullus	Nullus	NA
6.4	Asperitas dorsi	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Notatio posterior	--	Incisura	Incisura	Incisura
7. Margo
7.1	margo	--	Chamfer	Chamfer	Chamfer
8. Sarcina
8.1	involucrum	--	Epi-paratus cum vacuo involucrum	Epi-paratus cum vacuo involucrum	Epi-paratus cum vacuo involucrum
8.2	involucrum	--	Multi-lamella involucrum cassettae	Multi-lamella involucrum cassettae	Multi-lamella involucrum cassettae